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Dosilicon 东芯半导体作为Fabless芯片企业，东芯半导体拥有独立自主的知识产权，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研发、设计和销售，是目前国内少数可以同时提供NAND/NOR/DRAM设计工艺和产品方案的存储芯片研发设计公司 Cutting-edge Technology拥有1xnm先进制程聚焦高附加值产品多元的市场布局Diversified market layout对物联网、智能硬件应用、汽车电子、医疗监控等新兴领域的布局和开拓 control整合各方资源，优化整体制造环境，形成良好的处理闭环，推动产品不断精益求精自主的创新能力Independent innovation ability前瞻性产品研发，布局前沿技术，增强技术和产品持续创新能力主要产品 SPI NAND Flash，PPI NAND Flash，SPI NOR Flash，DDR3(L)，MCP，LPDDR，烧录器厂商应用场景工业控制，通讯网络，消费电子，移动设备，物联网IoT
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DERA 得瑞领新根据实际的目标需求和产品定义，开发者可以在 NAND 通道数及容量、DRAM 通道及容量、DRAM ECC 开关、DRAM 及/或 NAND 接口传输速率等各个选项之间灵活选择，实现优化组合。 每个 NAND 通道均配置专用 ECC 单元，多个通道并发访问时延迟和吞吐量均不受影响。 根据实际的目标需求和产品定义，开发者可以在 NAND 通道数及容量、DRAM 通道及容量、DRAM ECC 开关、DRAM 及/或 NAND 接口传输速率等各个选项之间灵活选择，实现优化组合。 每个 NAND 通道均配置专用 ECC 单元，多个通道并发访问时延迟和吞吐量都不受影响。 根据实际的目标需求和产品定义，开发者可以在 ECC 强度、NAND 通道数及容量、DRAM 通道及容量、DRAM ECC 开关、DRAM 及/或 NAND 接口传输速率等各个选项之间灵活选择，实现优化组合
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Unimos 宏茂微宏茂微具备汽车电子质量体系认证，并拥有十余年的车规产品封装和测试经验，以及完备的可靠性及失效分析的实验能力。 宏茂微拥有全系列存储器封测的一站式解决方案，产品覆盖3D NAND（Raw NAND，eMMC，UFS，eMCP）、2D NAND、NOR、DRAM、SRAM等存储器产品的封装和测试。 2017年10月，长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计制造了中国首款3D NAND闪存。 通过不懈努力和技术创新，长江存储致力于成为全球领先的NAND闪存解决方案提供商。 主要产品覆盖3D NAND（Raw NAND，eMMC，UFS，eMCP)、2D NAND、NOR、DRAM、SRAM等存储器产品的封装和测试应用领域消费电子、工业控制、物联网设备、汽车电子等领域
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SK Hynix 海力士SK海力士致力于生产DRAM、NAND Flash和CIS非存储器为主的半导体产品。 作为全球领先的半导体制造商，当前在韩国利川和清州、 中国无锡和重庆设有四个生产基地，并在全球16个国家和地区设立了销售、研发等基地。 发展历程1983 创立现代电子1984 韩国首次成功试产16Kb SRAM1987 开始出口256Kb DRAM1989 全球半导体市场份额列入前二十1995 全球首次开发256Mb SRAM，成为韩国十大制造企业 1996 企业公开募股及上市1999 量产全国最快Graphic 16Mb SDRAM，收购LG半导体2001 更名为海力士半导体股份公司，脱离现代集团2004 成功研发NAND Flash产品2005 技术HBM2014 重庆后工序生产公司成立2015 韩国利川M14竣工2017 研发出20纳米级全球最快的GDDR62018 韩国清州M15竣工，韩国利川M16开工2019 行业首次研发出128层4D NAND
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Samsung Semiconductor 三星半导体初创入局自1974年迈出第一步以来，我们的发展步伐改变了全球存储器市场的格局，系统半导体（System LSI）和晶圆代工（Foundry）领域也在全球逐渐具备领导力。 业务范围三星半导体在存储器、系统半导体和晶圆代工（Foundry）领域驱动技术革新。 EUV 的 7 纳米 LPP2016 推出汽车解决方案品牌 Exynos Auto 和 ISOCELL Auto2017 开始量产第 5 代 V-NAND 及开发行业第一款 8Gb LPDDR5；开发三星的第一款 闪存量产；2011 30纳米级4Gb移动DRAM量产;推出品牌应用处理器Exynos;2013 3D垂直NAND(V-NAND)存储器开始量产；推出移动 AP Exynos 5 Octa，内置big.LITTLE (AP)开始量产；2016 10纳米鳍式场效应晶体管系统级芯片(SoC)量产；10纳米级DRAM量产；核心技术移动端光线追踪，端侧AI，像素技术，超高分辨率传感器，高动态范围技术，内存主要产品DRAM，
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GigaDevice 兆易创新兆易创新科技集团股份有限公司 (股票代码603986) 是全球领先的Fabless芯片供应商，公司成立于2005年4月，总部设于中国北京，在中国上海、深圳、合肥、西安、成都、苏州和香港，美国、韩国、日本 、英国、德国、新加坡等多个国家和地区均设有分支机构和办事处，营销网络遍布全球，为客户提供优质便捷的本地化支持服务。 2005年成立2016年上市1500+员工200亿颗累计出货量打造“感存算控连”一体化芯生态拥抱智能互联“芯”时代公司的核心产品线为存储器（Flash、利基型DRAM）、32位通用型MCU、智能人机交互传感器 主要产品FlashSPI NOR Flash，SPI NAND Flash，Parallel NAND Flash，封装信息，WLCSP，KGD32位微控制器(MCU)高性能MCU，主流型MCU，入门级 MCU，低功耗MCU，无线MCU，车规MCU，专用MCU利基型DRAM利基型DDR3L，利基型DDR4，LPDDR4X传感器触控，指纹识别模拟产品专用电源管理，电机驱动，锂电池管理，高性能电源，模数转换器
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UnilC 紫光国芯公司是以存储技术为核心的产品和服务提供商，核心业务包括标准存储芯片，模组和系统产品，嵌入式DRAM和存储控制芯片，以及专用集成电路设计开发服务，产品包括DRAM KGD、DRAM颗粒、DRAM模组、系统产品和设计服务 公司十余年来一直专注于存储器尤其是DRAM存储器的研发和技术积累，拥有从产品立项、指标定义、电路设计、版图设计到硅片、颗粒、内存条测试及售前售后技术支持等全方位技术积累。 在面向大数据和人工智能等新兴领域，公司采用三维集成技术，实现将逻辑晶圆和DRAM晶圆的异质集成，开发出高带宽、大容量的3D DRAM芯片，及内嵌超高带宽超低功耗DRAM的人工智能（AI）芯片。 公司还在NAND Flash、NOR Flash 和新型存储器RRAM等领域开发有产品，进行了研发布局。紫光国芯同时还拥有数字电路和混合电路专业设计团队，提供基于先进工艺的ASIC设计开发验证服务。 可支持各类存储器和ASIC产品的功能和性能测试验证分析、量产测试工程开发、应用工程测试、可靠性试验、以及小批量生产和工程样品开发。
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Winbond 华邦半导体Winbond公司的核心产品包含闪存（Code Storage Flash Memory）、利基型动态随机存取内存（Specialty DRAM）及移动随机存取内存（Mobile DRAM），运用技术自主之优势及谨慎规划的产能策略 ，具有脚数低、体积小、成本低的特性；亦提供串口式 （SPI）NAND型及单层式（SLC）NAND型闪存以满足客户更多的编码储存需求。 华邦半导体编码型闪存产品在计算机周边市场拥有相当的市占率，并且积极拓展应用于行动装置、消费电子，以及多样性之车用电子、物联网和穿戴装置等应用领域。 华邦半导体以所擅长的高性能和低功耗内存核心设计技术，结合自有十二吋晶圆厂之生产优势，推出包含利基型动态随机存取内存（Specialty DRAM）和移动随机存取内存（MobileDRAM）之全系列自有产品 华邦半导体承诺生产的Winbond芯片具有高超的品质和可靠性。对生产过程的每个步骤都高标准与严厉要求，经过不断的研究探索和制程的提高，华邦半导体致力于建立且维持高水平的品质和可靠性。
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ESMT （Elite Semiconductor） 晶豪科技ESMT的业务活动包括R&D、制造、营销以及为各种存储器和混合信号产品提供设计服务。我们于2002年3月在台湾证券交易所上市。 公司创立公司初創時便以成為客戶各類型記憶體產品及技術之供應者為職志，研發之特定型DRAM 產品廣泛應用於 PC 週邊、資訊家電、及消費性、通訊等系統，目前已成功建立各種容量及介面規格的特定型 DRAM 產品線 ( 包括 SDRAM 、 DDR I/II/III及PSRAM 、低耗電之 Mobile DRAM等 )；在快閃記憶體方面，亦已完成多種容量及介面類型的NOR Flash 及NAND Flash
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Ingenic 君正集成电路君正在处理器技术、多媒体技术和AI技术等计算技术领域持续投入，其芯片在智能视频监控、AIoT、工业和消费、生物识别及教育电子领域获得了稳健和广阔的市场。2020年，君正完成对美国ISSI的收购。 ISSI面向汽车、工业和医疗等领域提供高品质、高可靠性的存储器产品，包括SRAM、DRAM、NOR Flash、2D NAND Flash 和eMMC，客户遍布全球。 君正将整合其积累十几年的计算技术，及ISSI三十余年的存储、模拟和互联技术，利用公司拥有的完整车规芯片质量和服务体系，为汽车、工业、AIoT等行业的发展持续做出贡献。
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三星与科研团队共同发现一种半导体新材料非晶氮化硼（a-BN）07-02 19:22
