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Zentel 力积存储国际领先的DRAM设计，制造和销售公司浙江力积存储科技有限公司 不仅仅是世界上技术规格和应用覆盖面最广的内存产品线，也是国内唯一畅销国际市场近二十年的内存品牌。 Zentel成立Zentel Japan2004-06 完成第一个与力晶共同开发的110纳米512MbDDR12005-03 第一家公司于力晶完成110纳米代工产品2006-03 第一家公司于力晶完成产品类别DRAM
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DERA 得瑞领新根据实际的目标需求和产品定义，开发者可以在 NAND 通道数及容量、DRAM 通道及容量、DRAM ECC 开关、DRAM 及/或 NAND 接口传输速率等各个选项之间灵活选择，实现优化组合。 芯片内集成多核 CPU，以及灵活的 NAND 管理接口，可以适配当前所有国内外主流厂商的 NAND Flash。 在基础的 ECC 功能之外，MENG 控制器还对内部的数据通道提供了完整的保护，包括外置 DRAM、内置 SRAM 单元的 ECC 保护，以及完整的数据传输端到端 CRC 保护。 根据实际的目标需求和产品定义，开发者可以在 NAND 通道数及容量、DRAM 通道及容量、DRAM ECC 开关、DRAM 及/或 NAND 接口传输速率等各个选项之间灵活选择，实现优化组合。 根据实际的目标需求和产品定义，开发者可以在 ECC 强度、NAND 通道数及容量、DRAM 通道及容量、DRAM ECC 开关、DRAM 及/或 NAND 接口传输速率等各个选项之间灵活选择，实现优化组合
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Dosilicon 东芯半导体作为Fabless芯片企业，东芯半导体拥有独立自主的知识产权，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研发、设计和销售，是目前国内少数可以同时提供NAND/NOR/DRAM设计工艺和产品方案的存储芯片研发设计公司 优化整体制造环境，形成良好的处理闭环，推动产品不断精益求精自主的创新能力Independent innovation ability前瞻性产品研发，布局前沿技术，增强技术和产品持续创新能力主要产品SPI NAND Flash，PPI NAND Flash，SPI NOR Flash，DDR3(L)，MCP，LPDDR，烧录器厂商应用场景工业控制，通讯网络，消费电子，移动设备，物联网IoT
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Unimos 宏茂微宏茂微拥有全系列存储器封测的一站式解决方案，产品覆盖3D NAND（Raw NAND，eMMC，UFS，eMCP）、2D NAND、NOR、DRAM、SRAM等存储器产品的封装和测试。 2017年10月，长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计制造了中国首款3D NAND闪存。 2019年9月，搭载长江存储自主创新Xtacking®架构的第二代TLC 3D NAND闪存正式量产。 通过不懈努力和技术创新，长江存储致力于成为全球领先的NAND闪存解决方案提供商。 主要产品覆盖3D NAND（Raw NAND，eMMC，UFS，eMCP)、2D NAND、NOR、DRAM、SRAM等存储器产品的封装和测试应用领域消费电子、工业控制、物联网设备、汽车电子等领域
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SK Hynix 海力士SK海力士致力于生产DRAM、NAND Flash和CIS非存储器为主的半导体产品。 发展历程1983 创立现代电子1984 韩国首次成功试产16Kb SRAM1987 开始出口256Kb DRAM1989 全球半导体市场份额列入前二十1995 全球首次开发256Mb SRAM，成为韩国十大制造企业 1996 企业公开募股及上市1999 量产全国最快Graphic 16Mb SDRAM，收购LG半导体2001 更名为海力士半导体股份公司，脱离现代集团2004 成功研发NAND Flash产品2005 技术HBM2014 重庆后工序生产公司成立2015 韩国利川M14竣工2017 研发出20纳米级全球最快的GDDR62018 韩国清州M15竣工，韩国利川M16开工2019 行业首次研发出128层4D NAND
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Samsung Semiconductor 三星半导体我们的辉煌历程纵观公司历史，从艰难起步到全球半导体巨擘，我们一直秉持着对创新的不懈追求1975 开始为 发光二极管 (LED) 手表大量生产 集成电路 (IC)1988 开发 4Mb DRAM1998 EUV 的 7 纳米 LPP2016 推出汽车解决方案品牌 Exynos Auto 和 ISOCELL Auto2017 开始量产第 5 代 V-NAND 及开发行业第一款 8Gb LPDDR5；开发三星的第一款 2010-最近突破极限，改变未来 我们不断突破极限，推动行业变革，现已蓄势待发，准备实现下一次的飞跃2010 32nm高介电金属闸极(HKMG: High-K Metal Gate)工艺研发成功；20nm级NAND 闪存量产；2011 30纳米级4Gb移动DRAM量产;推出品牌应用处理器Exynos;2013 3D垂直NAND(V-NAND)存储器开始量产；推出移动 AP Exynos 5 Octa，内置big.LITTLE (AP)开始量产；2016 10纳米鳍式场效应晶体管系统级芯片(SoC)量产；10纳米级DRAM量产；核心技术移动端光线追踪，端侧AI，像素技术，超高分辨率传感器，高动态范围技术，内存主要产品DRAM，
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UnilC 紫光国芯公司是以存储技术为核心的产品和服务提供商，核心业务包括标准存储芯片，模组和系统产品，嵌入式DRAM和存储控制芯片，以及专用集成电路设计开发服务，产品包括DRAM KGD、DRAM颗粒、DRAM模组、系统产品和设计服务 公司十余年来一直专注于存储器尤其是DRAM存储器的研发和技术积累，拥有从产品立项、指标定义、电路设计、版图设计到硅片、颗粒、内存条测试及售前售后技术支持等全方位技术积累。 在面向大数据和人工智能等新兴领域，公司采用三维集成技术，实现将逻辑晶圆和DRAM晶圆的异质集成，开发出高带宽、大容量的3D DRAM芯片，及内嵌超高带宽超低功耗DRAM的人工智能（AI）芯片。 公司还在NAND Flash、NOR Flash 和新型存储器RRAM等领域开发有产品，进行了研发布局。紫光国芯同时还拥有数字电路和混合电路专业设计团队，提供基于先进工艺的ASIC设计开发验证服务。
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GigaDevice 兆易创新2005年成立2016年上市1500+员工200亿颗累计出货量打造“感存算控连”一体化芯生态拥抱智能互联“芯”时代公司的核心产品线为存储器（Flash、利基型DRAM）、32位通用型MCU、智能人机交互传感器 主要产品FlashSPI NOR Flash，SPI NAND Flash，Parallel NAND Flash，封装信息，WLCSP，KGD32位微控制器(MCU)高性能MCU，主流型MCU，入门级 MCU，低功耗MCU，无线MCU，车规MCU，专用MCU利基型DRAM利基型DDR3L，利基型DDR4，LPDDR4X传感器触控，指纹识别模拟产品专用电源管理，电机驱动，锂电池管理，高性能电源，模数转换器
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Winbond 华邦半导体Winbond公司的核心产品包含闪存（Code Storage Flash Memory）、利基型动态随机存取内存（Specialty DRAM）及移动随机存取内存（Mobile DRAM），运用技术自主之优势及谨慎规划的产能策略 聚焦于中低容量产品，提供规格完整的串口式闪存（Serial Flash）和并行式闪存（Parallel Flash）产品，满足小尺寸封装规格，具有脚数低、体积小、成本低的特性；亦提供串口式 （SPI）NAND 型及单层式（SLC）NAND型闪存以满足客户更多的编码储存需求。 华邦半导体以所擅长的高性能和低功耗内存核心设计技术，结合自有十二吋晶圆厂之生产优势，推出包含利基型动态随机存取内存（Specialty DRAM）和移动随机存取内存（MobileDRAM）之全系列自有产品
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ESMT （Elite Semiconductor） 晶豪科技公司创立公司初創時便以成為客戶各類型記憶體產品及技術之供應者為職志，研發之特定型DRAM 產品廣泛應用於 PC 週邊、資訊家電、及消費性、通訊等系統，目前已成功建立各種容量及介面規格的特定型 DRAM 產品線 ( 包括 SDRAM 、 DDR I/II/III及PSRAM 、低耗電之 Mobile DRAM等 )；在快閃記憶體方面，亦已完成多種容量及介面類型的NOR Flash 及NAND Flash
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三星与科研团队共同发现一种半导体新材料非晶氮化硼（a-BN）07-02 19:22
