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Nanya 南亚科技南亚科技以创新为核心价值，致力于动态随机存取存储器（DRAM）的研发、设计、制造、营销和销售。Nanya致力于研发，使公司积累了广泛的DRAM专业知识和知识产权。 作为企业公民的真正领导者，南亚积极实施绿色制造技术。南亚利用人工智能(AI)的力量显着提升产能和效率。结果是一家公司以对地球环境友好的方式提供行业领先的DRAM解决方案。
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UnilC 紫光国芯公司是以存储技术为核心的产品和服务提供商，核心业务包括标准存储芯片，模组和系统产品，嵌入式DRAM和存储控制芯片，以及专用集成电路设计开发服务，产品包括DRAM KGD、DRAM颗粒、DRAM模组、系统产品和设计服务 公司十余年来一直专注于存储器尤其是DRAM存储器的研发和技术积累，拥有从产品立项、指标定义、电路设计、版图设计到硅片、颗粒、内存条测试及售前售后技术支持等全方位技术积累。 在面向大数据和人工智能等新兴领域，公司采用三维集成技术，实现将逻辑晶圆和DRAM晶圆的异质集成，开发出高带宽、大容量的3D DRAM芯片，及内嵌超高带宽超低功耗DRAM的人工智能（AI）芯片。 公司是“国家高新技术企业”“国家企业技术中心”“国家知识产权优势企业”“陕西省存储器工程技术研究中心”，公司建设有占地面积2000余平米的世界先进水平的存储器芯片测试、模组测试、模组应用和ASIC测试实验室
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Alliance Memory 联盟记忆Alliance Memory 是一家全球无晶圆厂制造商，生产传统和新技术存储器产品，这些产品是 Micron、Samsung、ISSI、Cypress、Nanya、Hynix 和其他公司的 SRAM、 DRAM 和 NOR FLASH IC 的引脚直接替代品。 我们的产品组合包括用于主流数字信号处理器 (DSP) 和微控制器的全系列 3.3V 和 5V 异步 SRAM；和同步 SRAM、低功耗 SRAM、伪 SRAM、3.3V 同步 DRAM (SDR)、移动 DDR、2.5V 单 (DDR1)、1.8V 双 (DDR2) 和 1.5V 和 1.35V 三倍速率 (DDR3) 1.2V四倍速率 (DDR4) 同步 DRAM，以及 5V 并行 NOR 闪存设备 我们的大部分 SRAM、DRAM 和 FLASH 产品直接从库存中发货，库存在美国、上海和台湾。
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CXMT 长鑫存储2016年5月，长鑫存储技术有限公司的事业在 “创新之都”——安徽合肥启动。 作为一体化存储器制造商，公司专业从事动态随机存取存储芯片(DRAM)的设计、研发、生产和销售，目前已建成第一座12英寸晶圆厂并投产。 DRAM 产品广泛应用于移动终端、电脑、服务器、虚拟现实和物联网等领域。 我们将凭借值得信赖的产品和服务满足不断增长的市场需求，致力于成为技术领先与商业成功的半导体存储公司，以存储科技赋能信息社会，改善人类生活。
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Dosilicon 东芯半导体作为Fabless芯片企业，东芯半导体拥有独立自主的知识产权，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研发、设计和销售，是目前国内少数可以同时提供NAND/NOR/DRAM设计工艺和产品方案的存储芯片研发设计公司 先进的技术水平Cutting-edge Technology拥有1xnm先进制程聚焦高附加值产品多元的市场布局Diversified market layout对物联网、智能硬件应用、汽车电子、医疗监控等新兴领域的布局和开拓 quality control整合各方资源，优化整体制造环境，形成良好的处理闭环，推动产品不断精益求精自主的创新能力Independent innovation ability前瞻性产品研发，布局前沿技术 ，增强技术和产品持续创新能力主要产品SPI NAND Flash，PPI NAND Flash，SPI NOR Flash，DDR3(L)，MCP，LPDDR，烧录器厂商应用场景工业控制，通讯网络，消费电子
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Zentel 力积存储国际领先的DRAM设计，制造和销售公司浙江力积存储科技有限公司 不仅仅是世界上技术规格和应用覆盖面最广的内存产品线，也是国内唯一畅销国际市场近二十年的内存品牌。 Zentel成立Zentel Japan2004-06 完成第一个与力晶共同开发的110纳米512MbDDR12005-03 第一家公司于力晶完成110纳米代工产品2006-03 第一家公司于力晶完成产品类别DRAM
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DERA 得瑞领新北京得瑞领新科技有限公司（简称 DERA）是一家技术导向的产品研发企业，其致力于发展计算架构中的底层存储核心技术—半导体存储。 技术支持得瑞领新技术研发团队，能对客户问题做到快速响应以及研发端产品设计层面上的深度支持，能快速定位和解决客户问题。 根据实际的目标需求和产品定义，开发者可以在 NAND 通道数及容量、DRAM 通道及容量、DRAM ECC 开关、DRAM 及/或 NAND 接口传输速率等各个选项之间灵活选择，实现优化组合。 根据实际的目标需求和产品定义，开发者可以在 NAND 通道数及容量、DRAM 通道及容量、DRAM ECC 开关、DRAM 及/或 NAND 接口传输速率等各个选项之间灵活选择，实现优化组合。 根据实际的目标需求和产品定义，开发者可以在 ECC 强度、NAND 通道数及容量、DRAM 通道及容量、DRAM ECC 开关、DRAM 及/或 NAND 接口传输速率等各个选项之间灵活选择，实现优化组合
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SK Hynix 海力士SK海力士致力于生产DRAM、NAND Flash和CIS非存储器为主的半导体产品。 基于过去三十多年的半导体生产运营经验， SK海力士致力于实现持续的研发与投资，增强技术与成本竞争力，引领全球半导体市场。 发展历程1983 创立现代电子1984 韩国首次成功试产16Kb SRAM1987 开始出口256Kb DRAM1989 全球半导体市场份额列入前二十1995 全球首次开发256Mb SRAM，成为韩国十大制造企业 脱离现代集团2004 成功研发NAND Flash产品2005 开始生产300mm2006 中国合作工厂竣工2008 韩国清州M11竣工2012 SK海力士成立，韩国清州M12竣工，意大利/美国/台湾技术中心成立 2013 全球首次研发TSV技术HBM2014 重庆后工序生产公司成立2015 韩国利川M14竣工2017 研发出20纳米级全球最快的GDDR62018 韩国清州M15竣工，韩国利川M16开工2019
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Etron Technology 钰创Etron 中国大陆首开“国微计划”，帮助开发了台湾首个8英寸晶圆亚微米技术，为台湾的DRAM和SRAM产业奠定了坚实的基础。
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ISSI 芯成半导体ISSI 的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。 公司组织ISSI 的外包制造模式基于与亚洲和国内主要铸造厂的联合技术开发关系的历史。ISSI还将在选定的铸造厂进行战略股权购买。 ISSI 客户公司的客户都是一些电子工业巨头，包括松下，博世，摩比斯，德尔福，大陆集团，江森自控，飞利浦，哈曼/贝克尔，SiriusXM，TRW，阿尔卡特朗讯，思科系统，爱立信，华为技术，诺基亚西门子网络 ISSI与主要晶圆代工厂以高度协作的方式合作，以开发领先的工艺技术，并在行业升级周期中更安全地获取晶圆产能。致力于成为ISSI产品的长期供应商。 为了增加产品的多样化并提供与ISSI的SRAM，DRAM和闪存专业知识相辅相成的产品，ISSI正在开发精选的非内存产品以供在ISSI的主要市场中使用。
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中国DRAM和NAND存储技术和产业能赶超韩国吗?2022-07-07
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美光宣布全球专利突破5万件2022-05-19
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美光宣布：卢东晖出任台湾美光董事长2022-05-06
