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Nanya 南亚科技南亚科技以创新为核心价值，致力于动态随机存取存储器（DRAM）的研发、设计、制造、营销和销售。Nanya致力于研发，使公司积累了广泛的DRAM专业知识和知识产权。 作为企业公民的真正领导者，南亚积极实施绿色制造技术。南亚利用人工智能(AI)的力量显着提升产能和效率。结果是一家公司以对地球环境友好的方式提供行业领先的DRAM解决方案。
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Alliance Memory 联盟记忆Alliance Memory 是一家全球无晶圆厂制造商，生产传统和新技术存储器产品，这些产品是 Micron、Samsung、ISSI、Cypress、Nanya、Hynix 和其他公司的 SRAM、 DRAM 和 NOR FLASH IC 的引脚直接替代品。 我们的产品组合包括用于主流数字信号处理器 (DSP) 和微控制器的全系列 3.3V 和 5V 异步 SRAM；和同步 SRAM、低功耗 SRAM、伪 SRAM、3.3V 同步 DRAM (SDR)、移动 DDR、2.5V 单 (DDR1)、1.8V 双 (DDR2) 和 1.5V 和 1.35V 三倍速率 (DDR3) 1.2V四倍速率 (DDR4) 同步 DRAM，以及 5V 并行 NOR 闪存设备 我们的目标是与客户建立长期关系，并为我们制造的零件提供长期支持。我们的大部分 SRAM、DRAM 和 FLASH 产品直接从库存中发货，库存在美国、上海和台湾。
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CXMT 长鑫存储作为一体化存储器制造商，公司专业从事动态随机存取存储芯片(DRAM)的设计、研发、生产和销售，目前已建成第一座12英寸晶圆厂并投产。 DRAM 产品广泛应用于移动终端、电脑、服务器、虚拟现实和物联网等领域。
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SMART Modular Technologies美国 Smart Modular Technologies 是设计和制造特殊内存和存储解决方案（例如 DRAM 模块）的先驱。 它在马来西亚、美国、韩国和巴西设有制造单位。它的一些子公司位于捷克共和国、苏格兰、台湾、香港和新加坡。Smart Modular 提供哪些类型的产品？ 产品组合包括闪存、MASK ROM、存储器 IC、辅助存储控制器、微控制器、DRAM、SRAM、外围 IC、OTP ROM 和闪存。众所周知，它的一些产品可以消除内存可靠性故障的风险。 Smart 的 DRAM 模块因其长期可靠性而广受欢迎，可满足工业应用的需求。DDR5 超值系列提供经过严格测试的 DRAM 模块。 主要产品DRAM——DDRUSB闪存/ SD卡mSATA固态硬盘
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PieceMakers 补丁科技补丁科技为标准內存和KGD产品提供封装和未封装的 IC芯片, 为从小型企业到大型企业、从SoC制造商到系统公司等多元化客户群的提供服务。 该团队在 DRAM 电路设计和测试方面具有丰富的实战经验。加入我们的团队，参与全球领先的 AI 记忆体设计。 主要产品人工智能片：HBLL-RAM，HiBaLL-RAM，PIM-DDR3DRAM片：标准型DRAM，KGD DRAM，PSRAM应用领域高性能计算应用AI：神经网络，数据科学，机器学习，进化计算，自然语言处理 去中心化数据库，身份验证，财产登记，智能合约相关产品：HBLL - 2D SIP / 144 GBPS；HiBaLL - 3D Stacking / > 1 TBPS；PIM-DDR3 - CNN in DRAM
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Unigen公司专门设计和制造定制的企业级Flash存储、DRAM和ARMOUR产品应用，利用其创新的硬件和软件专业知识。 公司总部位于加利福尼亚州弗里蒙特，在此地运营其最先进的、符合ISO 9001:2008和ISO 14001:2004标准的设计、制造和测试设施。
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Zentel 力积存储国际领先的DRAM设计，制造和销售公司浙江力积存储科技有限公司 不仅仅是世界上技术规格和应用覆盖面最广的内存产品线，也是国内唯一畅销国际市场近二十年的内存品牌。 Zentel成立Zentel Japan2004-06 完成第一个与力晶共同开发的110纳米512MbDDR12005-03 第一家公司于力晶完成110纳米代工产品2006-03 第一家公司于力晶完成产品类别DRAM
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Dosilicon 东芯半导体作为Fabless芯片企业，东芯半导体拥有独立自主的知识产权，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研发、设计和销售，是目前国内少数可以同时提供NAND/NOR/DRAM设计工艺和产品方案的存储芯片研发设计公司 Diversified market layout对物联网、智能硬件应用、汽车电子、医疗监控等新兴领域的布局和开拓，形成多元化的市场布局严格的品质管控Strict quality control整合各方资源，优化整体制造环境
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Samsung Semiconductor 三星半导体积极践行环保制造、采用可再生能源、构建可持续供应链，并投身于有益社会的实践。我们始终默默耕耘，只为成就更好的未来。业务范围三星半导体在存储器、系统半导体和晶圆代工（Foundry）领域驱动技术革新。 我们的辉煌历程纵观公司历史，从艰难起步到全球半导体巨擘，我们一直秉持着对创新的不懈追求1975 开始为 发光二极管 (LED) 手表大量生产 集成电路 (IC)1988 开发 4Mb DRAM1998 开始发布业界先进的 128Mb 闪存,美国奥斯汀工厂开始生产 (SAS),于1990-1999 占据世界舞台中心2009 开始大规模生产业界先进的 40 纳米级 2Gb DRAM2015 开始量产基于 量产；核心技术移动端光线追踪，端侧AI，像素技术，超高分辨率传感器，高动态范围技术，内存主要产品DRAM，固态硬盘，嵌入式存储，CXL 存储器，多制层封装芯片，处理器，图像传感器，显示芯片，安全解决方案 游戏固态硬盘应用领域人工智能，服务器，汽车，5G & 互联，移动通信端，电脑和游戏，生活方式晶圆代工（Foundry）晶圆代工，工艺技术，先进封装，SAFE™，Foundry Events，制造
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SK Hynix 海力士SK海力士致力于生产DRAM、NAND Flash和CIS非存储器为主的半导体产品。 作为全球领先的半导体制造商，当前在韩国利川和清州、 中国无锡和重庆设有四个生产基地，并在全球16个国家和地区设立了销售、研发等基地。 发展历程1983 创立现代电子1984 韩国首次成功试产16Kb SRAM1987 开始出口256Kb DRAM1989 全球半导体市场份额列入前二十1995 全球首次开发256Mb SRAM，成为韩国十大制造企业
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严选DRAM制造厂家，提供从DRAM制造设计、研发、生产制造深耕产品，打造值得信赖的传感器品牌，解决选品、技术支持问题，实现采购放心、售后无忧。
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