(SAS),于1990-1999 占据世界舞台中心2009 开始大规模生产业界先进的 40 纳米级 2Gb DRAM2015 开始量产基于 EUV 的 7 纳米 LPP2016 推出汽车解决方案品牌 Exynos Auto 和 ISOCELL Auto2017 开始量产第 5 代 V-NAND 及开发行业第一款 8Gb LPDDR5；开发三星的第一款 5G 调制解调器（Exynos 调制解调器 5100）；2018 准备实现下一次的飞跃2010 32nm高介电金属闸极(HKMG: High-K Metal Gate)工艺研发成功；20nm级NAND闪存量产；2011 30纳米级4Gb移动DRAM量产;推出品牌应用处理器Exynos ;2013 3D垂直NAND(V-NAND)存储器开始量产；推出移动 AP Exynos 5 Octa，内置big.LITTLE™ 处理器架构；2014 20纳米级8Gb移动DRAM(LPDDR4 10纳米级DRAM量产；核心技术移动端光线追踪，端侧AI，像素技术，超高分辨率传感器，高动态范围技术，内存主要产品DRAM，固态硬盘，嵌入式存储，CXL 存储器，多制层封装芯片，处理器，图像传感器，显示芯片