公司成立于2006年，已赋能全球数百家知名客户，授权逾100亿颗高端SoC芯片进入规模量产，拥有100%成功率以及过十亿颗FinFET定制芯片成功量产的骄人业绩。 基于多年的技术积累和强大的研发团队，芯动科技不断率先推出满足市场需求的高性能GPU产品。 面向未来， 芯动科技将持续赋能全球数字化创新， 用数百次FinFET流片经验和灵活共赢的商业模式，全方位服务于全球客户，助力合作伙伴快速实现产品成功，创造令人心动的美好生活。 开放的心态实现与客户长期共赢芯动HighlightTSMC和SAMSUNG 4&3nm共同认证的IP生态伙伴2023年度数字互动行业突出贡献奖（登云奖）2023年度数字互动行业最佳实时互动基础设施第十七届“中国芯”优秀技术创新产品第十六届 我们IP的优势高性价比、高可靠性提供各种PHY&Controller完整解决方案，可Combo各种应用场景并且全兼容，确保设计高可靠、高性能、高安全、可扩展，各主流FinFET工艺全覆盖。

公司坚持以市场为导向，全力打造以新型存储芯片及系统为核心的新型存储器生态圈，推动微电子、纳米科技及信息存储技术的发展，为新型处理器架构创新提供器件和技术支撑。 其中核心团队由半导体技术和自旋电子学领域的资深管理和技术专家组成，团队专业领域涵盖器件与电路设计、先进制造工艺、器件与芯片测试以及应用开发等，具备存储器的研发和制造能力。 技术简介MRAM 技术简介20世纪80年代，法国Albert Fert与德国Peter Grünberg两位科学家在研究磁/非磁纳米多层膜的层间耦合时发现了巨磁阻（Giant Magneto Resistance eMRAM 技术简介半导体技术的发展历程可以追溯到上世纪40年代，自晶体管发明以来，集成电路的特征尺寸已经从微米级别进入纳米级别。 随着摩尔定律的演进，晶体管先后经历了平面结构、Fin场效应晶体管（FinFET）和环绕式栅极晶体管(Gate-All-Around）等阶段，其密度、性能和能效不断提高。