、算力、储能、风电、工业驱动等领域，提供高可靠、高性能的分立器件、模块和板级方案，产品包括600v ~ 2000v电压平台的第三代半导体碳化硅 SiC MOSFET 和模块,、硅基超结 SJ MOS、IGBT 公司拥有成熟量产的 SiC MOSFET 和 IGBT 超薄晶圆背面特色工艺，性能和参数对标国际产品；在芯片制造价值链上，可以提供“一站式 FSM+BGBM”中后道完整解决方案，对标国际领先技术水平，定制背面金属及减薄工艺 适合电机控制等场台；器件雪崩耐量高，适合恶劣应用场景；器件产品系列较为完善；EMI兼容性好；萃锦高压平面MOSFET系列产品，采用业界优良的平面技术设计制造而成，涵盖500V-900V电压范围系列产品IGBT Module产品优势强大的功率控制能力，适用于各种功率应用场合;低电感设计；开关损耗低；优良的可靠性和稳定性；出色的短路耐受性；紧凑设计，灵活串并联应用；萃锦的IGBT 模块采用不同的产品系列，配置多种电流 、电压等级，具有斩波器、逆变、整流、六单元、三电平等拓扑结构。