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中车半导体株洲中车时代半导体有限公司 是中车集团旗下专业从事功率半导体研发、设计、生产、销售的企业，也是国内头部的功率半导体IDM企业，同时掌握IGBT、SiC器件、大功率晶闸管、IGCT及其组件技术，其产品可大量应用在新能源发电
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Sinopower 大中集成电路台湾大中集成电路(股份)有限公司 创立于2008年8月，为一家专业功率半导体组件(MOSFET & IGBT) 及高压集成电路(HV IC) 的设计公司。
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Koryo 光菱电子/友菱电子Explore Electronics)7、台湾新绿科技 (GreenMark Tech)8、台湾笙科电子 (AMICCOM Communication Corp.)9、瑞士商CT-Concept代理经销之电子零组件產品种类 1、记忆体芯片：SRAM, EEPROM2、微处理器：MCU 64bit/32bit/16bit/8bit/4bit3、 特定应用集成电路芯片：特殊用途ASSP IC、ASIC4、液晶显示组件：TFT LCD, STN LCD5、接口芯片: DVI,HDMI,LVDS 发射接收芯片6、分散式元件：小信号电晶体、光藕，功率电晶体、场效电晶体、闸流管、整流管、IGBT、IPM、 DIP-IPM、DIP-CIB 、LOGIC IC7、驱动模块: IGBT Driver, Hibrid IC 射频发射接收芯片 (RF IC8、LED驱动芯片(照明/背光)9、其他：FINGER PRINTER、SENSOR传感器等服务宗旨竭诚为您服务是我们的荣幸
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TECHSEM 台基半导体电流范围200A-4000A，电压范围400V-7200V）；大功率半导体模块（MTC系列、MFC系列、MDS系列、MTG系列等，电流范围:26A-1500A，电压范围:400V-4500V）；功率半导体组件
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Everlight 亿光电子LED（Visible LED）照明（Lighting LED），植物用LED（Horticulture Lighting LED），紫外线LED（UV LED），闪光灯LED（Flash LED），车用组件 光开关（Optical Switch）传感器（Sensor）Ambient Light Sensor，Ambient Light and Proximity Sensor，Color Sensor光耦组件 Photo Darlington，Schmitt Trigger，High Speed，Triac Driver，Photo Power Triac Driver，Solid State Relay，IGBT
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芯瓷半导体黄光微影、垂直互连、3D堆叠等半导体核心技术，是第三代半导体功率器件封装、新一代晶圆级封装的理想基板，在高功率半导体照明(LED)、半导体激光器(VCSEL)、5G通讯模组(PA) 绝缘栅双极二极管(IGBT 微机电系统(MEMS)传感器、聚焦型光伏组件制造、军用产品等领域有广泛的应用前景。
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Sensitron Semiconductor主要产品军级（美）/特军级/超特军级/宇航级认证合格二极管全集成电机控制器前级整流固态功率管理器（控制器）瞬态电压抑制器碳化硅整流器和整流桥定制（厚膜）混合集成电路电源组件（SPM系列）分立IGBT/MOSFET 电源整流器高压/整流桥/二极管组件电压调节器齐纳二极管裸片产品
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APEC 富鼎先进是专注于设计研发MOSFET，产品涵盖了高压、中压、低压MOSFET及CoolMOS，应用涉及电源、通讯、PC、MB、安防、电机、照明、LED TV等领域富鼎先进电子提供整体解决方案，新的电力需求的MOSFET、IGBT 富鼎先进电子在提高产品的经济规模下，持续承诺一致性的质量保证，这造就了本公司在台湾MOSFET组件供给市场的领先地位。
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Techovice 特维思科技围绕处理器芯片、IGBT芯片、射频芯片、电池、激光器等大功率器件，能提供全套的设计、生产、实验服务。产品已大量运用于军工、储能、医疗、激光行业。 公司根据市场痛点需求进行定向研发创新，从设计、材料、工艺等方面进行创新研究，形成宽温液冷源、高可靠性液冷工艺、轻量化液冷源、液冷/均温轻量化一体机箱、低/中温相变储热技术、轻量化防腐高导热技术、高可靠性半导体制冷组件
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LEAPSIC 嘉展力芯半导体碳化硅金属氧化物场效应晶体管(SiC MOSFET)在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的IGBT相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，利用其工作特性，可以用于更高的工作频率 混合碳化硅模块碳化硅（SiC）二极管和晶体管是现代电力电子解决方案和创新电力电子解决方案的关键组件，旨在实现超高功率密度和效率。 通过将芯片与功率模块中的硅功率器件结合，可以实现这些目标。 特别是碳化硅二极管，它是进一步扩展 IGBT技术的重要部分。 由于存储电荷少，所以可以明显降低现代 IGBT 的导通损耗，因此与相应的纯硅基解决方案相比，可以实现更高的开关频率和/或更高的电流处理能力。 风力/光伏发电碳化硅功率器件针对光伏逆变器、不间断电源设备以及风能电机驱动器等大功率模组件的应用进行设计，以达到更小尺寸、更低物料成本以及更高的效率。
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日本电装与联电合作生产功率半导体2022-05-06
