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MOSFET开关

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  • Silan 士兰微 SDH8666Q 内置高压功率MOSFET的多重模式开关电源控制器

  • Rockwell 罗克韦尔 42EF-U2RCB-A2 接近传感器

  • HVACQuick.com CS-410 电流传感器

  • Visual Sound RA200 音频放大器和前置放大器

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  • LXPSEMI 澜芯半导体

    上海澜芯半导体有限公司 成立于2022年6月,公司总部坐落于上海嘉定,在张江设有研发中心,是一家全栈功率芯片设计公司,产品包含碳化硅MOSFET,硅基IGBT, MOSFET等相关芯片、单管和功率模块产品 依托多年在功率半导体丰富的开发经验和深厚的车规级功率半导体行业应用背景,历经半年多的时间在2023年8月首款碳化硅芯片1200V 80mΩ SiC MOSFET就功通过了1000小时175℃ 100%Vds 主要产品SiCLXPSEMI SiC MOSFET在导通电阻,开关损耗,高温运行和导热性上的优异特性极大地提升了电力电子系统的转换效率和功率密度,并使得系统的整体成本降低。 IGBT澜芯IGBT芯片采用先进的微沟槽器件结构,产品具有更低的导通压降与更小的开关损耗。 SJ MOSFET为适应电源系统高效率小型化的需求,澜芯半导体推出了超结高压MOSFET, SJ MOSFET具有更快的开关速度,可以大大提高系统效率、降低发热量,还可以简化系统EMI设计。
  • Bestirpower 萃锦半导体

    主要产品SiC MOSFET产品优势更高的系统效率较小的Eoss损耗能量,极低的开关损耗,芯片面积小;开关速度快,开关噪声低,更高频率适用性;抗雪崩能力强,可以承受更大的浪涌电流;芯片可靠性高,参数一致性好 SJ MOSFET产品特性:卓越的鲁棒性;良好的开关特性适用于硬开关和软开关;显著降低开关和导通损耗;产品优势:适用于硬开关和软开关(PFC和LLC);在PFC和PWM级的应用中,低振铃趋势为易用性和快速设计方面提供了便利性 氢燃料空压机萃锦开发的SiC MOSFET 优化了元胞结构,具有导通损耗低,开关损耗小,开关频率高,契合氢能用空压机高频应用与高功率密度特点。 暖通空调 HVAC萃锦开发的 SiC MOSFET 优化了元胞结构,具有导通损耗低,开关损耗小,开关频率高,高温条件下,阈值电压、导通电阻、开关损耗等参数稳定性好,导通损耗低,契合暖通空调系统的高效节能应用要求 固态变压器萃锦开发的 SiC MOSFET 优化了元胞结构,具有导通损耗低,开关损耗小,开关频率高,高温条件下,阈值电压、导通电阻、开关损耗等参数稳定性好,导通损耗低,契合固态变压器的高效节能应用要求,
  • Din-Tek Semiconductor 鼎日

    我们的产品线包括各种类型的MOSFET,如增强型MOSFET、耗尽型MOSFET等,能够满足不同行业和应用的需求。 在电力电子领域,我们的MOSFET被广泛应用于电源管理、电机驱动、可再生能源等领域。在汽车电子领域,我们的MOSFET被用于车载充电器、电池管理系统等应用中。 我们的产品具有低内阻、高开关速度,并且提供多样化的封装选项,适用于各类电子产品。IGBTsDin-Tek利用SGT屏蔽栅工艺和薄晶圆技术实现了低VCE(sat)、低开关损耗的IGBT产品。 由于其比硅器件更高的开关特性和更低的导通电阻,GaN器件有望有助于降低功耗和各种电源的小型化以及外围组件的小型化。 SiC MOSFET650V SiC MOSFET,1200V SiC MOSFET与传统的硅器件相比,碳化硅(SiC)器件由于拥有低导通电阻特性以及出色的高温、高频和高压性能,已经成为下一代低损耗半导体可行的候选器件
  • ASDsemi 安森德

    设计;和流片,验证荣誉资质主要产品MOSFET;模拟IC;SIP产品应用行业能源电源:安森德超结MOSFET具有低导通损耗、低开关损耗、高开关速度等优点,在能源电源中发挥着重要作用。 随着半导体工艺的不断发展,超结MOSFET的导通损耗和开关损耗将进一步降低,为各种电源设备带来更高的效率和更低的能源消耗。 安森德ASDsemi SJ MOSFET系列产品,采用自主创新先进的多层外延技术,优化了器件开关特性,使其在系统应用中具有更好的表现,为系统设计提供更多选择,可广泛应用于新能源汽车充电桩。 车载OBC;电动助力转向;新能源汽车充电桩智能家居:安森德全系列MOSFET产品,功能齐全,性能稳定,可提供全面的家用电器解决方案组合,使开发者更轻松的满足不同应用中的技术需求。 小家电;LED电源电机驱动:安森德全系列MOSFET产品,功能齐全,性能稳定,是室内和室外无线电动工具以及电机驱动多场景差异化条件下应用的理想选择。两轮电动车;电动工具;直流风扇
  • Advanced Linear Devices

    ALD提供的產品包括:超低VOS@超低输入偏置轨到轨CMOS运算放大器,超低电荷注入低压模拟开关,具有高输出电流驱动器的精密CMOS电压比较器,超低信号功率EPAD电压比较器,低漂移CMOS定时器具有高放电输出 ,精密匹配的一对小信号N沟道或P沟道MOSFET阵列和EPAD? MOSFET.
  • GP(GreenPower)格瑞宝

    基本信息:注册资本 1000万元人民币 注册地址 中国-上海-张江高科主营业务:功率器件研发、销售;功率器件解决方案、集成电路设计、集成电路测试核心产品:功率分立器件(主营MOSFET) 通用IC(LDO ,DC-DC等)技术水平:国内领先的SGT MOST工艺 坚持自主研发公司资质:高新技术企业主要产品二极管 TVS,肖特基二极管,稳压二极管,整流二极管,开关二极管,大功率TVS,快恢复二极管三极管 晶体管数字晶体管 ,MOSFET MOSFETN Channel MOSFET,P Channel MOSFET,Multi Channel MOSFET,SGT Channel MOSFET,VDMOS,Super Junction
  • Diodes 达尔科技

    主要产品Diodes的产品包括二极管、整流器、晶体管、mosfet、保护装置、功能特定阵列、单栅逻辑、放大器和比较器、霍尔效应和温度传感器、电源管理装置(包括LED驱动器)、AC-DC转换器和控制器、DC-DC 开关和线性电压调节器,以及电压参考以及特殊功能设备,如USB电源开关、负载开关、电压监控器和电机控制器。
  • Siliconmagic 芯迈半导体

    主要产品功率器件超结MOSFET,蔽栅沟槽型MOSFET,碳化硅单管及模组电源管理集成电路电池管理,开关稳压器,接口 & 保护,LED显示背光,LCD/OLED电源管理,SoC电源管理,接口电源管理应用领域汽车电子通讯消费电子工业应用数据中心
  • Leading-ch 领晨科技

    主要产品:瞬态抑制二极管;静电保护元件;半导体放电管;肖特基二极管;整流二极管;自恢复保险MOSFET产品中压功率MOSFET、低压功率MOSFET、小信号MOSFET、高压功率MOSFET技术优势完善的 MOSFET配套产品;低阻抗MOSFET产品。 二极管小信号整流二极管、小信号肖特基二极管、开关二极管、快恢复二极管、普通整流二极管、稳压二极管、肖特基二极管、超快恢复二极管、高效率整流二极管技术优势完善的二极管配套产品;Low VF肖特基二极管;高反向耐压整流管
  • 香港富研科技

    主营产品负载开关 电压调整器 DC/DC转换器 功率MOSFET 低噪声放大器(LNA) 电压泵 电池充电IC 电压检测器 CMOS逻辑电路 运算放大器 PLL时钟友生器 振荡器IC 温度传感器 霍尔开关
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    2022-05-28
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