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Lyontek 来扬科技我们致力于异步SRAM（低功耗SRAM和高速/快速SRAM）产品的设计、开发和在目标市场的销售，其中包括：(a) 工业电子(b) 销售点(c) 消费电子产品(d) 沟通(e) 汽车电子(f) 医疗电子产品 长期供应SRAM产品：64K至64M SRAM。» 多种供电电压：1.8V、3V、5V及宽范围2.7~5.5V。»
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Alliance Memory 联盟记忆Alliance Memory 是一家全球无晶圆厂制造商，生产传统和新技术存储器产品，这些产品是 Micron、Samsung、ISSI、Cypress、Nanya、Hynix 和其他公司的 SRAM、 我们的产品组合包括用于主流数字信号处理器 (DSP) 和微控制器的全系列 3.3V 和 5V 异步 SRAM；和同步 SRAM、低功耗 SRAM、伪 SRAM、3.3V 同步 DRAM (SDR)、移动 我们的大部分 SRAM、DRAM 和 FLASH 产品直接从库存中发货，库存在美国、上海和台湾。
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ISSI 芯成半导体ISSI 的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。 为了增加产品的多样化并提供与ISSI的SRAM，DRAM和闪存专业知识相辅相成的产品，ISSI正在开发精选的非内存产品以供在ISSI的主要市场中使用。
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GSI Technology成立于 1995 年，是 SRAM 半导体存储器解决方案的领先供应商。GSI 的最新产品利用其市场领先的 SRAM 技术。
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Avalanche Technology凭借这些特性，我们的技术将服务于并超越客户的目标，作为嵌入式应用中除分立SRAM、非易失性SRAM、NOR和DRAM之外的SRAM、eFlash和ROM的替代品。
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Everspin Technologies8位并行接口MRAM系列并行 MRAMs 高速、 非易失性，等同SRAM的读取和写入周期时间。8位MRAM系列， 符合RoHS，提供TSOP BGA封装，容量从256Kb到16Mb。 16位并行接口MRAM系列并行 MRAMs 高速、 非易失性，等同SRAM的读取和写入周期时间。16位MRAM系列，符合RoHS，提供TSOP BGA封装，容量从1Mb到16Mb。3.3V。
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SK Hynix 海力士发展历程1983 创立现代电子1984 韩国首次成功试产16Kb SRAM1987 开始出口256Kb DRAM1989 全球半导体市场份额列入前二十1995 全球首次开发256Mb SRAM，成为韩国十大制造企业
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Etron Technology 钰创Etron 中国大陆首开“国微计划”，帮助开发了台湾首个8英寸晶圆亚微米技术，为台湾的DRAM和SRAM产业奠定了坚实的基础。
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深圳智嘉所涉及的产品领域主要为 SDRAM / SRAM / EEPROM/ POWER MANAGEMENT/ 复位电路等产品．为了公司长远发展，公司计划在苏州／成都成立分公司，诚邀有志从事于半导体行业的精英的加入
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Chip Power 晶强实业公司代理多项国内外的产品，包含NETSOL/ SRAM、New Vision Displav/ 液晶触控模块，瑞典公司Acconeer公司雷达传感器产品、ANT/ DC Power Converter，
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AMD 官宣 3D Chiplet 架构：可实现“3D 垂直缓存”2022-03-16
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英飞凌新品：第二代高可靠性SRAM推出2021-04-07
