AvalancheTechnology总部位于加利福尼亚州弗里蒙特，是利用300毫米标准CMOS工艺制造的垂直磁隧道结(pMTJ)单元结构的自旋转移力矩磁RAM(STT-MRAM)非易失性存储器的全球领导者 凭借300多项有关利用MRAM的单元、电路和系统设计的专利，我们的技术和产品提供了突破性的速度、无限的耐用性和非易失性，同时降低了功耗和成本。

Toggle-MRAM是第一代商用MRAM，以电流产生磁场，利用磁场改变自由层磁化状态，实现数据写入功能。它具有无限擦写次数、抗辐射、宽工作温度范围等特性，但难以进一步突破密度和功耗限制。 1996年，Slonczewski和Berger预测了电流自旋转移力矩（Spin Transfer Torque，STT）作用，该效应在1999年被实验室验证。 利用电流STT作用，可以制作全电流写入的MRAM，即STT-MRAM。STT-MRAM具有结构简单、存储密度高、功耗低、速度快等优势。 目前世界上多家知名半导体巨头如IBM、GlobalFoundries、Samsung、TSMC、UMC、SK Hynix、KIOXIA等和一些专注于MRAM的初创公司均在开展STT-MRAM相关产品技术研发 HIKSTOR eMRAM 产品特点HIKSTOR嵌入式磁随机存储器（Embedded Magnetic Random Access Memory，简称eMRAM）是基于STT效应的第三代磁性随机存储技术

无锡公司主要以STT-MRAM及微纳技术为核心，聚焦MCU、智能传感器、感知系统相关技术和产品；以应用为牵引进行技术研发和项目推广，与各类伙伴开展合作，构建多维融合的智慧城市信息基础设施，推动在无锡形成以