此外，我们拥有 SiC 器件中性能最高的体二极管、最低的温度 Qrr、近 5V 的 EMI 抗扰度阈值电压以及出色的短路额定值。所有这一切都伴随着业界最广泛的 SiC 分立晶体管产品组合。 利用成长型市场的大趋势UnitedSiC FET 在全球快速增长的市场中得到广泛认可，特别是在高压 DC-DC 电源转换拓扑（例如 LLC 和相移全桥）以及 AC-DC 应用（例如 6 开关 SiC 解决方案替代 在快速增长的 EV 电机驱动市场中，UnitedSiC 业界最高性能、最低 R(DS)-on FET，额定电压为 650 V 和 1200 V，正迅速成为 EV 电源设计人员的首选产品。 SiC FET 是提高性能和可靠性的主要贡献者，可降低下一代数据中心的整体系统成本。此外，我们还为工业车辆提供重要的充电时间和充电时长优势。 强大的专利组合展示的产品性能广泛的产品范围深厚的 SiC 专业知识

公司半导体业务产品广泛用于全球各类电子设计，丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管（GaN FET）、碳化硅（SiC）二极管、绝缘栅双极晶体管（IGBT