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HMT 恒迈瑞材料苏州恒迈瑞主要产品及定制服务包括：COF封装驱动芯片(Driver IC) 的选型及应用；COF IC柔性封装基板(COF Film) 的设计、开模定制、封测；化合物半导体材料：4H-N型/4H-SI型SiC Ingots晶棒，SiC晶圆切割片，SiC双抛衬底片，碳化硅同质外延片；氮化镓GaN衬底片Free-Standing Substrate/ Gan-On-SAP Template, 各类GaN Epitaxy Wafer 外延片 GaN-On-SiC/GaN-On-Si/GaN-On -SAP 的定制及应用。
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YASC 长飞先进安徽长飞先进半导体股份有限公司 是一家专注于碳化硅（SiC）功率半导体产品研发及制造的企业，具备从外延生长、器件与模块设计、晶圆制造到模块封测的全产业链能力。 产品：SiC外延片，分立式SiC肖特基二极管，分立式SiC MOSFET，SiC MOSFET裸芯片，SiC肖特基二极管裸芯片，SiC功率模块代工服务晶圆代工：长飞先进拥有先进的SiC晶圆工艺生产和检测设备 ，完善的工艺流程和完整的工艺平台，涵盖SiC外延和器件，能够提供全面的工艺开发与技术解决方案，同时可以根据客户的需求，提供一站式代工流片服务。 生产制造长飞先进拥有国内一流的6英寸产线设备和先进的配套系统，具备42万片晶圆及外延/年产能规模。 其中，芜湖基地年产6万片6英寸SiC MOSFET外延及晶圆、640万个功率模块、1800万个功率单管；武汉基地可年产36万片6英寸SiC MOSFET外延及晶圆、6100万个功率模块。
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SemiQ是一家总部位于美国的碳化硅 (SiC) 功率半导体器件和材料开发商和制造商，包括：SiC 功率 MPS 二极管（650V、1200V、1700V）碳化硅模块碳化硅功率MOSFETSiC 定制模块碳化硅裸片 SiC 定制 N 型外延晶圆SemiQ 是一家私营企业，部分员工持股。 最近，SemiQ 发布了第三代 SiC 肖特基二极管（合并 PiN 肖特基型），其中包括浪涌电流、防潮性以及整体鲁棒性和坚固性方面的改进。加速高温可靠性测试已超过800万器件小时。 为了降低客户的风险，SemiQ 正在构建一个具有多个来源的完全冗余供应链，用于：碳化硅衬底组装和测试工厂SiC外延晶圆仓库碳化硅晶圆制造
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Super 超致半导体是全球首家超结IGBT器件原厂，也是国内首家多层外延超结MOS原厂。 公司专注功率半导体器件的研发和创新，产品涵盖范围广，包括高压超结MOS、中低压SGT-MOS、超结IGBT、SiC-MOS以及SiC-SBD等。 公司产品定位高端，高压MOS采用国际主流的多层外延工艺，在性能和可靠性等方面得到市场的充分肯定，且在主要应用领域服务于头部客户，应用范围包括UPS、服务器电源、充电桩、OBC等工业市场。
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Cor Energy 能华微电子江苏能华微电子科技发展有限公司 于2010年成立，是一家专注于第三代半导体GaN的高新技术企业，核心团队汇聚了从外延到器件设计、制造工艺，封装和测试到应用模块等各个环节的科技创新型高级专家，是全球为数不多同时掌握增强型 能华半导体采用IDM全产业链模式，致力于硅基GaN（GaN-on-Si),蓝宝石基GaN（GaN-on-Sapphire), 碳化硅基GaN（GaN-on-SiC) 晶圆与器件的研发、设计、制造与销售 荣誉资质主要产品外延产品 8寸硅基外延片、6寸硅基外延片、碳化硅基外延片、蓝宝石基外延片功率器件 DFN5*6、DFN8*8、TO220、TO220F、TO252代加工平台光刻、刻蚀、TSV、PECVD
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HC Semitek 华灿光电LED外延片LED外延片生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和SiC、Si)上，将气态物质有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。 目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。LED外延片衬底材料是半导体照明产业技术发展的基石。 不同的衬底材料，需要不同的LED外延片生长技术、芯片加工技术和器件封装技术，衬底材料决定了半导体照明技术的发展路线。 蓝宝石衬底片对蓝宝石晶体毛坯按特定要求加工制作的基片，可以用金属氧化物化学气相沉积（MOCVD）等技术在基片上外延生长一层单晶薄膜，进一步制作各种元器件。
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NOYUSEM 蓉矽半导体成立于2019年，是致力于第三代宽禁带半导体碳化硅（SiC）功率器件设计与开发的高新技术企业。 蓉矽拥有一支掌握碳化硅核心技术的国际化团队，整合台湾与欧洲先进碳化硅制造工艺平台，结合大陆封测和应用解决方案，建立了材料、外延、晶圆制造与封装测试均符合IATF 16949质量管理标准的完整供应链，独立自主开发世界一流水平的车规级碳化硅器件 发展历程2024年第二代车规级SiC MOSFET正式发布；蓉矽半导体第二代NovuSic® 1200V 20mΩ SiC MOSFET正式发布通过AEC-Q101车规级可靠性认证；蓉矽半导体碳化硅 二极管(G1)量产；1200V/20A EJBS™二极管正式量产2021年订单金额达300万；硅基MCR@订单金额达300万SiC MOSFET(G1)量产；SiC MOSFET(G1)1200V /75mΩ 正式量产SiC MOSFET(G1)开发成功1200V/75mΩ SiC MOSFET 第一次工程流片即达91.2%良率天使轮融资完成；进行MCR产品优化及SiC产品量产硅基MCR科技成果转化
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LEAPSIC 嘉展力芯半导体发展历程2022嘉展力芯提出19篇国内专利申请20221200V/40m SiC MOSFET tape-out(下线)2022嘉展力芯提出第15篇美国专利申请20221200V / 10A SiC Shottky 肖特基二极管的基本结构是重掺杂的N型4H-SiC片、4H-SiC外延层、肖特基接触层和欧姆接触层。 碳化硅金属氧化物场效应晶体管(SiC MOSFET)在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的IGBT相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，利用其工作特性，可以用于更高的工作频率 混合碳化硅模块碳化硅（SiC）二极管和晶体管是现代电力电子解决方案和创新电力电子解决方案的关键组件，旨在实现超高功率密度和效率。 通过将芯片与功率模块中的硅功率器件结合，可以实现这些目标。 客制规格订制嘉展力芯合作的碳化硅半导体晶圆厂拥有完整的4/6寸生产流程线，拥有碳化硅外延、高温离子注入、高温退火、高温氧化等全套工艺设备，提供完整的器件生产工艺步骤定制.
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SZTU 微纳加工中心微纳加⼯中⼼拥有化合物光电器件的全套⼯艺加⼯能⼒，如GaAs和InP基VCSEL、DFB等，兼具部分第三代半导体（如GaN、SiC）和硅基MEMS器件加⼯能⼒。 平台特色平台服务，光刻工艺设备和键合工艺设备，薄膜工艺设备，离子注入/退火设备和干法刻蚀工艺设备，湿法刻蚀工艺和后道工艺设备，测量表征设备，外延工艺设备，微纳加工中心工艺模块
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REASUNOS 瑞森半导体公司专注于高质、高性能的产品研发，核心研发第三代宽禁带半导体技术，是国内碳化硅（SiC）产品系列较早实现量产并全球销售的企业。品质、性能对标国际品牌，成功替代众多进口系列，助力芯片国产化。 在功率器件领域，就更高耐压、更大电流，模块化等发展方向以及SiC MOSFET、GaN HEMTs系列持续投入研发中。 主要产品功率半导体器件超高压MOS，高压MOS，碳化硅MOS，碳化硅二极管，多层外延超结MOS，内置FRD高压MOS，低压MOS-SGT，低压MOS-Trench，IGBT，肖特基二极管电源管理IC恒流
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230亿SiC项目在列！重庆高新区重大项目名单出炉2023-09-16
