-
HMT 恒迈瑞材料苏州恒迈瑞主要产品及定制服务包括：COF封装驱动芯片(Driver IC) 的选型及应用；COF IC柔性封装基板(COF Film) 的设计、开模定制、封测；化合物半导体材料：4H-N型/4H-SI型SiC Ingots晶棒，SiC晶圆切割片，SiC双抛衬底片，碳化硅同质外延片；氮化镓GaN衬底片Free-Standing Substrate/ Gan-On-SAP Template, 各类GaN Epitaxy Wafer 外延片 GaN-On-SiC/GaN-On-Si/GaN-On -SAP 的定制及应用。
-
SemiQ是一家总部位于美国的碳化硅 (SiC) 功率半导体器件和材料开发商和制造商，包括：SiC 功率 MPS 二极管（650V、1200V、1700V）碳化硅模块碳化硅功率MOSFETSiC 定制模块碳化硅裸片 SiC 定制 N 型外延晶圆SemiQ 是一家私营企业，部分员工持股。 最近，SemiQ 发布了第三代 SiC 肖特基二极管（合并 PiN 肖特基型），其中包括浪涌电流、防潮性以及整体鲁棒性和坚固性方面的改进。加速高温可靠性测试已超过800万器件小时。 为了降低客户的风险，SemiQ 正在构建一个具有多个来源的完全冗余供应链，用于：碳化硅衬底组装和测试工厂SiC外延晶圆仓库碳化硅晶圆制造
-
Cor Energy 能华微电子江苏能华微电子科技发展有限公司 于2010年成立，是一家专注于第三代半导体GaN的高新技术企业，核心团队汇聚了从外延到器件设计、制造工艺，封装和测试到应用模块等各个环节的科技创新型高级专家，是全球为数不多同时掌握增强型 能华半导体采用IDM全产业链模式，致力于硅基GaN（GaN-on-Si),蓝宝石基GaN（GaN-on-Sapphire), 碳化硅基GaN（GaN-on-SiC) 晶圆与器件的研发、设计、制造与销售 荣誉资质主要产品外延产品 8寸硅基外延片、6寸硅基外延片、碳化硅基外延片、蓝宝石基外延片功率器件 DFN5*6、DFN8*8、TO220、TO220F、TO252代加工平台光刻、刻蚀、TSV、PECVD
-
HC Semitek 华灿光电LED外延片LED外延片生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和SiC、Si)上，将气态物质有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。 目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。LED外延片衬底材料是半导体照明产业技术发展的基石。 不同的衬底材料，需要不同的LED外延片生长技术、芯片加工技术和器件封装技术，衬底材料决定了半导体照明技术的发展路线。 蓝宝石衬底片对蓝宝石晶体毛坯按特定要求加工制作的基片，可以用金属氧化物化学气相沉积（MOCVD）等技术在基片上外延生长一层单晶薄膜，进一步制作各种元器件。
-
LEAPSIC 嘉展力芯半导体肖特基二极管的基本结构是重掺杂的N型4H-SiC片、4H-SiC外延层、肖特基接触层和欧姆接触层。 碳化硅金属氧化物场效应晶体管(SiC MOSFET)在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的IGBT相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，利用其工作特性，可以用于更高的工作频率 裸晶片通常是大圆片形式（wafer form）或单颗芯片（die form）的形式存在，封装后成为半导体器件、集成电路、或更复杂电路（混合电路）的组成部分。 客制规格订制嘉展力芯合作的碳化硅半导体晶圆厂拥有完整的4/6寸生产流程线，拥有碳化硅外延、高温离子注入、高温退火、高温氧化等全套工艺设备，提供完整的器件生产工艺步骤定制. 包括在设计阶段要遵循的国际上对于电子电器产品的安全可靠标准ISO26262，在流片和封装阶段要遵循的AEC-Q001、AEC-Q004以及TS16949，不单适用于封装供应商，也对流片产业有同样的要求；
-
NOYUSEM 蓉矽半导体蓉矽拥有一支掌握碳化硅核心技术的国际化团队，整合台湾与欧洲先进碳化硅制造工艺平台，结合大陆封测和应用解决方案，建立了材料、外延、晶圆制造与封装测试均符合IATF 16949质量管理标准的完整供应链，独立自主开发世界一流水平的车规级碳化硅器件 发展历程2024年第二代车规级SiC MOSFET正式发布；蓉矽半导体第二代NovuSic® 1200V 20mΩ SiC MOSFET正式发布通过AEC-Q101车规级可靠性认证；蓉矽半导体碳化硅 二极管(G1)量产；1200V/20A EJBS™二极管正式量产2021年订单金额达300万；硅基MCR@订单金额达300万SiC MOSFET(G1)量产；SiC MOSFET(G1)1200V /75mΩ 正式量产SiC MOSFET(G1)开发成功1200V/75mΩ SiC MOSFET 第一次工程流片即达91.2%良率天使轮融资完成；进行MCR产品优化及SiC产品量产硅基MCR科技成果转化 ；电子科大功率集成技术实验室专利突破性硅基理想二极管2020年Sic二极管(G1)开发成功；1200V/20A EJBS™ SiC二极管首次工程流片即达97%良率2019年蓉矽半导体成立；设立于成都市高新区外资矽能科技功率半导体孵化器质量管理体系蓉矽半导体拥有
-
ASDsemi 安森德安森德（ASDsemi）致力于为全球客户提供半导体功率器件和模拟IC，产品覆盖功率器件：中低压 、高压、超结MOSFET，第三代半导体SiC、GaN；模拟芯片：电源管理芯片、信号链芯片；SiP系统级芯片三大类产品线 南科大联合实验室成立2022年 首个SiP产品正式量产2021年 进入立讯、辰阳、台德等客户AVL，出货超2亿只2020年 出货超5000万只质量体系认证和国家高新科技企业认证2019年 DC-DCIC正式流片； GaN MOS正式流片；SJ MOS正式流片；LDO 正式流片2018年 ASDsemi品牌成立产品；小批量试用于立讯的ODM客户和小米等品牌2017年 中低压MOSFET设计；和流片，验证荣誉资质主要产品 安森德ASDsemi SJ MOSFET系列产品，采用自主创新先进的多层外延技术，优化了器件开关特性，使其在系统应用中具有更好的表现，为系统设计提供更多选择，可广泛应用于新能源汽车充电桩。
-
SEMI中国化合物半导体标准技术委员会2022 春季会议在线顺利召开2022-04-29
