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SiCChip 中科汉韵江苏中科汉韵半导体有限公司 坐落于徐州经济技术开发区，于 2019 年注册成立，由中国科学院微电子研究所和徐州中科芯韵半导体产业投资基金共同投资的半导体芯片设计和制造企业。 公司具有雄厚的 SiC 器件综合研究、开发、经营管理的能力和规模化生产的能力。 中科汉韵聚焦于第 3 代半导体SiC MOSFET 芯片的研发、生产和销售, 同时设计和生产与之相配的 SiC 二极管（JBS），芯片生产在自己工厂完成。 中科汉韵也研发与自产的SiC 芯片配套的 SiC 驱动芯片和先进封装技术和模块，但是驱动芯片和先进模块的生产由合作企业完成。公司产品将广泛应用于电动汽车、数据中心、机器人等新基建领域。 中科汉韵大楼已于 2020 年 11 月正式投入使用，2021年5月SiC功率器件项目正式通线。目标成为国内规模化生产SiC MOSFET 芯片的主要企业。
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SICHAIN 清纯半导体公司成立一年来，技术与产品发展迅速，目前已突破国产SiC功率器件设计及大规模制造瓶颈，在极短时间内先后开发出自主知识产权的SiC二极管及 Mosfet器件产品，产品先后通过车规级可靠性测试，是目前国内唯一能够在 SiC器件核心性能和可靠性方面达到国际一流水平、并且基于国内产线量产SiC Mosfet的企业。
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SemiQ是一家总部位于美国的碳化硅 (SiC) 功率半导体器件和材料开发商和制造商，包括：SiC 功率 MPS 二极管（650V、1200V、1700V）碳化硅模块碳化硅功率MOSFETSiC 定制模块碳化硅裸片 SiC 定制 N 型外延晶圆SemiQ 是一家私营企业，部分员工持股。 最近，SemiQ 发布了第三代 SiC 肖特基二极管（合并 PiN 肖特基型），其中包括浪涌电流、防潮性以及整体鲁棒性和坚固性方面的改进。加速高温可靠性测试已超过800万器件小时。 为了降低客户的风险，SemiQ 正在构建一个具有多个来源的完全冗余供应链，用于：碳化硅衬底组装和测试工厂SiC外延晶圆仓库碳化硅晶圆制造
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DACO 罡境电子台湾罡境电子股份有限公司，成立于1994年，是台湾半导体行业中先驱且创新的芯片和模块装配制造商，专注于设计、制造优质的半导体产品，涵盖IGBT、SiC（碳化硅）二极管、SiC（碳化硅）金属氧化物半导体场效晶体管 罡境电子的创办人来自台湾国家科学委员会的半导体研究中心，具有制造金属闸极集成电路、聚合物闸极集成电路、功率金属氧化物半导体以及Sipos GPP晶圆的丰富经验。 在过去的几年里，罡境电子一直与为军事应用提供服务的公司保持合作关系，研究和制造符合军事规范的高功率整流模块。近年来，我们的研发团队一直在开发尖端技术以获得各种专利，并实施垂直技术来升级对客户的服务。 ） 产品开发2013 可控硅整流器 （SCR） 产品开发2014 推出碳化硅 （SiC） 二极管模块2015 推出功率 MOSFET 模块2016 推出碳化硅 （SiC） 功率 MOSFET2017 推出 IGBT 模块2018 新加坡销售代表处设立2020 推出碳化硅 （SiC） 桥式整流器2023 碳化硅 （SiC） MOSFET 分立器件主要产品IGBT；Silicon Carbide；MOSFET
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Bestirpower 萃锦半导体公司拥有成熟量产的 SiC MOSFET 和 IGBT 超薄晶圆背面特色工艺，性能和参数对标国际产品；在芯片制造价值链上，可以提供“一站式 FSM+BGBM”中后道完整解决方案，对标国际领先技术水平，定制背面金属及减薄工艺 公司在宁波和上海设立总部，负责芯片设计和研发，在上海、深圳、西安等地建有应用和销售中心，制造基地位于宁波慈溪高新区，42,000平米功率芯片制造厂房正在筹建中。 产品优势器件一致性好，器件参数较为稳定;器件抗冲击能力强，适合电机控制等场台；器件雪崩耐量高，适合恶劣应用场景；器件产品系列较为完善；EMI兼容性好；萃锦高压平面MOSFET系列产品，采用业界优良的平面技术设计制造而成 Wafer基于国际先进的超结和碳化硅芯片技术，萃锦半导体已研发超结MOSFET、SiC肖特基二极管和SiC MOSFET芯裸芯片和晶圆。 总之，碳化硅（SiC）在电动汽车行业中具有巨大的应用潜力。通过提高器件的导热性、击穿电压和导通电阻，以及其对环保的潜在作用，SiC为电动汽车行业的发展提供了有力支持。
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NOYUSEM 蓉矽半导体蓉矽拥有一支掌握碳化硅核心技术的国际化团队，整合台湾与欧洲先进碳化硅制造工艺平台，结合大陆封测和应用解决方案，建立了材料、外延、晶圆制造与封装测试均符合IATF 16949质量管理标准的完整供应链，独立自主开发世界一流水平的车规级碳化硅器件 发展历程2024年第二代车规级SiC MOSFET正式发布；蓉矽半导体第二代NovuSic® 1200V 20mΩ SiC MOSFET正式发布通过AEC-Q101车规级可靠性认证；蓉矽半导体碳化硅 二极管(G1)量产；1200V/20A EJBS™二极管正式量产2021年订单金额达300万；硅基MCR@订单金额达300万SiC MOSFET(G1)量产；SiC MOSFET(G1)1200V /75mΩ 正式量产SiC MOSFET(G1)开发成功1200V/75mΩ SiC MOSFET 第一次工程流片即达91.2%良率天使轮融资完成；进行MCR产品优化及SiC产品量产硅基MCR科技成果转化 技术优势蓉矽拥有全供应链IATF 16949认证以确保产能，前段具备台湾晶圆制造与工程管理能力，后段掌握大陆封测、应用方案，并有全球多平台与合作伙伴提供产能与技术支持，市场需求广阔。
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深圳倾佳深圳市倾佳电子有限公司-专业功率半导体(IGBT单管，IGBT模块，碳化硅SiC-MOSFET，氮化镓GaN)以及新能源汽车连接器分销商，致力于服务中国工业电源及新能源汽车制造商。 近年来，倾佳电子-着力推广国产碳化硅SiC功率器件，国产SiC-MOSFET，国产SiC-MOSFET功率模块，国产氮化镓GaN HEMT以及配套的隔离驱动IC，自举驱动IC,不断在高压汽车电驱系统、高压快充桩 除了车载应用，SiC碳化硅的替代IGBT方案开始在工业的UPS系统（不间断电源）、轨道交通等领域推出。
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Global Power 泰科天润泰科天润半导体科技（北京）有限公司 (Global Power Technology)是中国碳化硅（SiC）功率器件产业化的倡导者之一。 泰科天润致力于中国半导体功率器件制造产业的发展，并向全球功率器件消费者提供优质的半导体功率器件产品和专业服务。 泰科天润总部坐落于中国北京中关村东升科技园北领地内，园区环境优雅。 泰科天润在北京拥有一座完整的半导体工艺晶圆厂，可在4/6英寸SiC晶圆上实现半导体功率器件的制造工艺。 泰科天润通过与产业同行、科研院所、国内外专家共同探索与开发，正在将SiC功率器件推广到更多更广的应用领域。
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PEAKSEMI 上海浦峦公司主要从事IGBT、MOSFET、 SiC等功率半导体芯片与器件的设计、制造和销售，并提供相关的应用解决方案。总部设在上海，上海为芯片设计中心，湖北襄阳拥有封测产线，深圳设有销售办事处。 公司研发团队拥有十余年功率半导体芯片研发和制造经验，率先实现国产IGBT芯片量产；拥有国际领先的IGBT，MOSFET及SiC等功率半导体芯片的设计和工艺技术，是少数掌握晶圆制成工艺、悬浮压接封装技术、 17mΩ-160mΩ、650V-1700V对应的SiC芯片已完成市场验证。可提供TO-247/247-P/247-4/T-Pack等多种封装的分立器件，及相关全SiC模块。
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BYD 比亚迪半导体比亚迪半导体股份有限公司 是国内领先的IDM企业，主要从事功率半导体、智能控制IC、智能传感器、光电半导体，半导体制造及服务，覆盖了对光、电、磁等信号的感应、处理及控制， 产品广泛应用于汽车、能源、工业和消费电子等领域 功率器件经过十多年技术沉淀，产品涵盖MOSFET、IGBT、IPM、SiC功率器件等。未来比亚迪功率半导体产业将不断优化提升IGBT及SiC芯片和模块性能表现，往高效率、高集成、高可靠性方向快速发展。 制造与服务比亚迪半导体代工业务主要包含晶圆制造及封装测试两大部分组成，产品涵盖车用IGBT及FRD晶圆制造以及DFN/QFN封测、Wafer划片、晶圆测试、成品测试等服务。 Wafer划片能力涵盖Si晶圆、Taiko晶圆及SiC晶圆切割等工艺；测试能力可提供CP、FT、Tri-Temp等定制产品测试开发业务。
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Wolfspeed：预计8英寸SiC新厂2024年达产2022-07-04
