2023年07月05日 华芯半导体砷化镓总部研产基地项目打桩动工。2024年01月15日 华芯半导体砷化镓总部研产基地项目厂房已实现全面封顶。 transistor, HBT）由双极结型晶体管（Bipolar junction transistor, BJT）发展而来，因在发射区（Emitter）、基区（Base）和集电区（Collector）使用了不同禁带宽度的半导体材料得名 III-V族化合物砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）及衍生化合物以其直接带隙结构、禁带宽度和优秀的电子迁移率，毋庸置疑地成为HBT器件的最佳材料。 HEMTHEMT 高电子迁移率晶体管（High Electron Mobility Transistor, HEMT）是一种复合半导体场效应晶体管（FETs），它使用两种具有不同能隙的材料，通常包括一个宽禁带半导体 （如AlGaAs）和一个窄禁带半导体（如GaAs）形成异质结，在结界面形成二维电子气层为载流子提供沟道。

镓敏光电团队具备强大的技术研发能力，有着丰富的半导体器件设计制造及管理经验，以开发国际上性能领先的紫外传感芯片为使命，为高灵敏度紫外传感提供完美的解决方案。 镓敏光电致力于研发和生产基于新型宽禁带半导体材料的高性能紫外传感器。 宽禁带半导体是近年来国内外重点研究和发展的新型第三代半导体材料，其代表材料包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）半导体，具有禁带宽度大、导热性能好、电子饱和漂移速度高以及化学稳定性优等特点，用于耐高温、