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Sony Semiconductor 索尼成像 & 传感技术索尼从1996年开始开发CMOS图像传感器，2000年，索尼的第一款CMOS图像传感器“IMX001”商品化。 当时的CMOS图像传感器在昏暗环境下成像的噪点很多，像素也不及CCD。 索尼下定决心舍弃过去全球市场份额第一的CCD，转向仅占很小一部分市场的CMOS图像传感器。 之后在2007年，高速、低噪点，搭载独创列并行A/D转换电路的CMOS图像传感器商品化，2009年，感光度是传统商品2倍的背照式CMOS图像传感器商品化，其性能已超越人眼。 2012年，凭借像素单元和信号单元的堆栈结构，实现高画质、多功能、小型化的堆栈式CMOS图像传感器商品化，2015年，将实现了小型化、高性能和生产效率提升的Cu-Cu（铜-铜）连接在全球范围内率先投入实用等
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Gpixel 长光辰芯长春长光辰芯微电子股份有限公司（以下简称“长光辰芯”）成立于2012年，是一家专注于高性能CMOS图像传感器设计研发的国际化企业。 公司总部位于中国长春，同时在中国杭州、大连、比利时安特卫普和日本东京设有子公司，为全球合作伙伴提供先进的CMOS图像传感器产品和优质服务。 专注图像技术，坚持科技创新长光辰芯拥有海内外一流的半导体物理学专家和技术团队，具备科学级背照式CMOS图像传感器、14/16bit ADC、高分辨率大靶面、stacking、一维和二维拼接、电荷域全局快门像素等核心技术能力 核心技术全局快门像素，大靶面、超高分辨率，低噪声、高速、HDR技术，TDI图像传感器设计技术，背照式工艺，堆栈式芯片设计主要产品GMAX系列，GSPRINT系列，GSENSE系列，GLUX系列，GCINE
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DB HiTek 东部高科东部高科 (DB HiTek) 总部位于韩国，是世界领先的专业半导体代工厂，拥有广泛的支持服务，以及强大的竞争制造技术组合，包括模拟/电源(BCDMOS)、CMOS图像传感器(CIS)、混合信号、高压CMOS 东部高科的SPAD制造工艺确保了光子探测性能，基于940nm波长的前照式（FSI）和背照式（BSI）的SPAD光子探测概率分别可达3.2%和7%。 此外，东部高科计划未来通过BDTI（背照式深沟槽隔离，通过在像素之间形成绝缘部分，最小化光损耗，提高光学性能）工艺将光子探测概率提升至15%，从而实现行业最高的竞争力。
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CVSENS 创视半导体创视半导体（杭州）有限公司 (CVSENS) 是一家专业从事CMOS图像传感器芯片产品研发、设计及服务的高新技术企业。 创始团队主要来自于原海外顶尖CMOS图像传感器核心研发团队，其中海外设计经验者超50名，在高端CIS领域已有超过15年的研发及管理经验，负责过百余款高端CIS芯片研发设计。 核心技术高感光度技术我司背照式像素结构(BSI)可提升像素开口率，具有更高灵敏度和高信噪比，相比传统传感器，在弱光环境下可提高约30%~50%的感光能力，能够在弱光下拍摄更高的质量的照片。
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CCD？CMOS？背照式？堆栈式？图像传感器结构小科普2021-09-26
