唐晶量子新生产基地项目位于西安高新区丝路科学城规划核心区，拟建设多条砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)化合物半导体外延片研发和生产产线，预计建成后外延片年产量超十万片。 砷化镓 HBT产品应用描述砷化镓 HBT（Heterojunction Bipolar Transistor）是一种异质结双极晶体管，该结构具有高电子迁移率和较低的基本收缩效应，砷化镓 HBT主要应用于高速放大器 磷化铟 DFB/FP/PD产品应用描述磷化铟 DFB（Distributed Feedback）、FP（Fabry-Perot）和PD（Photodiode)，分别基于光子晶格结构、光腔谐振结构和内部光电效应