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NetsolNetSol 有限公司，网络解决方案的首字母缩写，是一家由经验丰富的世界最佳存储器团队创立的无晶圆厂存储器设计公司。 NetSol 最初的重点将是面向网络市场的高速、高可靠性和低延迟存储器产品；包括有线和无线局域网交换机、路由器、接口、AIMMS等等。
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Adesto Technologies其产品组合包括串行闪存和导电桥接 RAM(CBRAM) 存储器技术。 CBRAM 是一款超低功耗、CMOS兼容型非易失性存储器，专为广泛的分立和嵌入式市场而定制。 这种特殊技术则不同于其它新兴存储器，它可以定制服务于广泛的应用。 Adesto 见证了 CBRAM 技术第一步作为存储器技术为诸如低功耗移动设备和高性能服务器等更苛刻应用所选择。 与其它存储器技术不同，CBRAM 是完全 CMOS 兼容的，且存储单元、架构及其制造工艺均经过优化，有证据显示其在工作方式方面具有极强的通用性。 Adesto 在 2012 年发布了其首款基于 CBRAM 技术的存储器器件，并计划在 2013 年早期面向 $5B 非易失性 EEPROM 和NOR 闪存市场供货。
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RM 睿科微电子合肥睿科微电子有限公司 是由清控银杏、华山资本、中投中财、华登国际、合高投、正和岛投资等国内外知名风投机构联合出资，由美国纳斯达克上市半导体存储器公司 Rambus(RMBS) 与中国A股上市公司兆易创新 公司主要致力开发先进新型存储器芯片和接口技术。新型存储器芯片是一种非易失性存储器，它通过改变特定固体电介质材料的电阻来进行工作。 相比传统的嵌入式存储器具有功耗更低、密度更高、制造成本显著降低等优势，使其成为物联网（IoT）应用的理想选择。 睿科的核心团队来自于全球主要半导体公司的研发骨干，拥有国内外名校教育背景和平均超过15年的存储器设计、研发、产品经验以及产品实战经历。 自2018年成立以来，团队成员夜以继日、砥砺奋进，已经研制出兼容主流CMOS工艺的新型存储器设计和制造方法并取得多项国际PCT专利，为这一系列技术的全面推广夯实了基础，在蓬勃发展的新型存储器大市场中抢占先机
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Puya 普冉半导体普冉半导体（上海）股份有限公司 是业内领先的低功耗非易失性存储器芯片及基于存储芯片的衍生芯片供应商。 公司目前主要产品包括NOR Flash和EEPROM两大非易失性存储器芯片、MCU微控制器芯片及模拟产品。产品广泛应用于物联网、智能手机及周边、可穿戴、服务器、光模块、工业控制、汽车电子、安防等领域。 公司聚焦领先的非易失性存储器芯片，凭借超低功耗和高可靠性的产品优势，积累了良好的品牌认可度，成为全球NOR Flash和EEPROM的主要供应商之一。 基于存储器技术优势，公司于2021年推出“存储+ ”战略，积极拓展MCU及模拟芯片领域，依托公司在存储领域的技术优势和平台资源，实现向更高附加值领域和更多元化的市场拓展。 公司以“普冉之芯，造福世界”的愿景，专注于产品创新，围绕非易失存储器领域，在继续完善和提升非易失性存储器产品线的同时，有效推进“存储+”战略，实现微控制器和模拟产品线的高速发展，不断满足客户对高性能芯片产品的需求
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China-Flash 中天弘宇集成电路中天弘宇专注于快闪存储器（Flash Memory）的研发、应用和市场推广领域。 ，初步构建了拥有国内、国际完整自主知识产权专利的系列新型高性能快闪存储器产品，实现了中国集成电路存储器领域底层技术零的突破，“在非易失存储领域属国际首创技术”。 ，形成新型高性能存储器系列产品，属于自主、原创、可控的先进存储技术。 ”存储器技术中天弘宇运用国际首创、国内自主原创的“二次电子倍增注入浮栅”的物理原理，创新发明了“二次电子倍增注入浮栅式”存储器技术，是一种用新的物理原理构造的电子存储器技术，继“热电子注入”、“隧穿注入 ，走出一条集成电路存储器发展的新路子。
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Macronix 旺宏Macronix 是非易失性存储器（NVM）市场领先的集成设备制造商，提供全系列的NOR闪存、NAND闪存和ROM产品。 凭借其世界一流的研发和制造能力，Macronix 继续为消费、通信、计算、工业、汽车、网络和其他细分市场的客户提供高质量、创新和性能驱动的产品。 为提供下一代非易失性存储器解决方案，Macronix 与其高科技全球联盟合作伙伴共同开发相变存储器。旺宏还宣布了全球首创的闪存前瞻技术BE-SONOS™。 我们还为空间受限的应用提供极小封装和超薄封装的闪存产品，以满足市场趋势。此外，我们还推出了 19 纳米 NAND 闪存和 e•MMC™ 产品系列，非常适合要求更高质量和可靠性的嵌入式应用。 Macronix 在 Fab 5 和 Fab 2 设计和制造其非易失性存储器产品。展望未来，Macronix 将继续在专注于非易失性存储器产品的先进技术开发方面的研究工作。
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Fudan Micro 复旦微电子复旦微电子集团现已建立健全安全与识别芯片、非挥发存储器、智能电表芯片、FPGA芯片和集成电路测试服务等产品线。 智能IC卡、射频识别读写器RFID/Reader迄今累计出货量超100亿片。独创国内首个高频/超高频双频测温RFID芯片，应用物理防克隆（PUF）技术，赋能“芯”安全。 智能电表与低功耗MCU 单相表主控MCU市场占有率超60%。自主研发的高可靠工业级主控MCU，性能可靠，实现了核心元器件国产化，累计销售4亿颗。 非挥发存储器 产品涵盖电可擦除只读存储器（EEPROM）、闪存（NOR/NAND）FLASH非挥发存储器系列，EEPROM市场份额居国内第一，高可靠特性FLASH存储器独具特色，月出货量超亿片。 存储系列产品广泛应用于手机模组、网络通讯、消费类电子、工控仪表、物联网、安防监控等领域。
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CXMT 长鑫存储2016年5月，长鑫存储技术有限公司的事业在 “创新之都”——安徽合肥启动。 作为一体化存储器制造商，公司专业从事动态随机存取存储芯片(DRAM)的设计、研发、生产和销售，目前已建成第一座12英寸晶圆厂并投产。 DRAM 产品广泛应用于移动终端、电脑、服务器、虚拟现实和物联网等领域。 我们将凭借值得信赖的产品和服务满足不断增长的市场需求，致力于成为技术领先与商业成功的半导体存储公司，以存储科技赋能信息社会，改善人类生活。
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ISSI 芯成半导体缩写，总部位于美国加利福尼亚州的米尔皮塔斯，在中国，欧洲，香港，印度，日本，韩国，新加坡，台湾和美国设有全球办事处主要产品和市场ISSI 是为以下主要市场：（i）汽车，（ii）通信，（iii）数字消费者以及 ISSI 以高性价比的高品质半导体产品瞄准高增长市场，并寻求与客户建立长期合作关系。即使在制造能力紧张的情况下，ISSI仍然是存储器产品（包括低密度和小批量产品）的长期承诺供应商。 由于其巨大的规模和市场影响力，这些客户通常会推动其细分市场中的内存量，并帮助确定未来内存需求的方向。 ISSI 战略跨各种终端市场对高性能存储设备的需求不断增长，这为高性能存储集成电路（如ISSI）的集中供应商提供了巨大的机会。ISSI利用这一机会的战略的关键要素是：与领先的铸造厂建立协作关系。 ISSI利用生产高质量存储器产品的专业知识，通过行业领先的客户渗透到ISSI的目标市场，ISSI相信这些客户确定了未来内存需求的方向。为关键市场开发精选的非内存产品。
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Kioxia 铠侠日本 铠侠株式会社 ( KIOXIA Corporation )是全球存储器解决方案领导者，致力于开发、生产和销售闪存及固态硬盘(SSD)。 东芝公司于1987年发明了NAND闪存， 2017年4月，铠侠前身东芝存储器集团从东芝公司剥离，开创了先进的存储解决方案和服务，可丰富人们的生活并扩大社会的视野。 1987 年，铠侠发明了世界上第一个不需要电源的 NAND 闪存（非易失性存储器）。该技术目前正被用于从智能手机等数字设备到数据中心等各种领域，已成为信息社会不可或缺的核心组成部分。 存储器闪存现在应用于各种电子产品，例如智能手机及多种存储产品，包括 USB 闪存盘和SSD 等。 历史2019年10月1日，东芝存储器株式会社 (Toshiba Memory Corporation - “TMCHD”) 更名为铠侠株式会社 ( KIOXIA Corporation ) 。
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Gartner：2022年quan球半导体收入预计将增长13.6%2022-05-10
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2022年DRAM和NAND闪存市场规模有望创新高2022-05-10
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Gartner：2022 年quan球半导体收入增长 13.6%，库存改善价格趋稳2022-05-05
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Gartner大幅上调全球半导体规模 预计同比增长13.6%2022-04-30
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Gartner：2022 年全球半导体收入增长 13.6%，库存改善价格趋稳2022-04-29
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TrendForce：受俄乌冲突等影响，预计第二季度 DRAM 价格下跌约 0-5%2022-03-28
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美光科技的HBM2 DRAM存储器即将开始出货2021-07-20
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2020年，全球半导体相比2019年增长10.4%2021-04-29
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一季度全球DRAM市场环比下滑近5%2020-05-19
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SK海力士首季度实现净利润37亿元 同比减少41%2020-04-24
