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Runxin 润新微电子(GaN) 功率器件氮化镓 (GaN) 功率器件润新微电子提供具有更高性价比、稳定可靠的氮化镓产品，致力于推动电能转换革命！ 技术成熟度高栅压安全区间大类MOS，应用简单易实现市场化高效率；可靠；服务氮化镓 (GaN) 器件应用氮化镓（GaN）器件应用润新微电子提供具有更高性价比、稳定可靠的氮化镓产品，致力于推动电能转换革命！ MOS驱动IC芯片，无需特殊的驱动芯片；驱动网络简单，只需配合栅极电阻调节开关速度，串联磁珠抑制EMI干扰。 兼容标准MOS驱动、应用简单润新微电子氮化镓器件的驱动兼容传统的MOS驱动IC芯片，无需特殊的驱动芯片；驱动网络简单，只需配合栅极电阻调节开关速度，串联磁珠抑制EMI干扰。 目前市面上的p-GaN增强型氮化镓器件依赖负压驱动，甚至依赖于专用的电流型驱动IC芯片，增加了电力电子系统的复杂程度。
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HMT 恒迈瑞材料公司致力于Wide Bandgap宽禁带半导体晶体材料及晶圆材料，Silicon Substrate 半导体封装材料，Slicing Wafer /IC (Au Bumping Ready)封测Turnkey 苏州恒迈瑞主要产品及定制服务包括：COF封装驱动芯片(Driver IC) 的选型及应用；COF IC柔性封装基板(COF Film) 的设计、开模定制、封测；化合物半导体材料：4H-N型/4H-SI型 SiC Ingots晶棒，SiC晶圆切割片，SiC双抛衬底片，碳化硅同质外延片；氮化镓GaN衬底片Free-Standing Substrate/ Gan-On-SAP Template, 各类GaN
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Hongwan 弘湾半导体弘湾半导体是一家功率半导体的Fablite 轻资产型设计公司，专注于高性能功率半导体、能源变换与传输核心器件驱动和第三代半导体化合物功率芯片等产品，公司的核心技术及产品涵盖：高性能线性稳压器（LDO）、MOS/IGBT 栅驱动IC 芯片、三相电机驱动、宽禁带半导体氮化镓（GaN）芯片等。
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深圳倾佳深圳市倾佳电子有限公司-专业功率半导体(IGBT单管，IGBT模块，碳化硅SiC-MOSFET，氮化镓GaN)以及新能源汽车连接器分销商，致力于服务中国工业电源及新能源汽车制造商。 近年来，倾佳电子-着力推广国产碳化硅SiC功率器件，国产SiC-MOSFET，国产SiC-MOSFET功率模块，国产氮化镓GaN HEMT以及配套的隔离驱动IC，自举驱动IC,不断在高压汽车电驱系统、高压快充桩
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深圳立次方科技代理分销产品华润微/华晶：高压MOS，超结MOS，中低压MOS， 碳化硅二极管，IGBT等东微：COOLMOS，中低压MOS，IGBT美浦森：高压VDMOS, 超结MOS，碳化硅二极管镓未来：氮化镓MOS 慧易芯：电源管理IC圣邦微：运算放大器、比较器、音/视频放大器、模数/数模转换器、模拟开关、电平转换及接口电路、LDO、微处理器电源电压监测、DC/DC转换器、背光及闪光LED驱动、过压保护及负载开关、 马达驱动及MOSFET驱动、电池保护及充放电管理芯片等立泰：肖特基二极管，快恢复二极管，VDMOS芯茂微：同步整流IC，电源管理IC富仕达（ELCON）：固态电容必易（KIWI）：电源管理IC安森美（ON ）：电源管理IC，肖特基二极管，稳压管等光宝（LITEON）：桥堆，肖特基二极管，快恢复管，光耦恩智浦（NXP）：电源管理IC，快恢复二极管等英飞凌（INFINEON）：MOS管，电源管理IC作为半导体元器件领域的专业增值服务商
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HPEC 格见半导体格见半导体实时控制微控制器凭借优异的低延迟实时控制特性，可与氮化镓 (GaN) IC 和碳化硅 (SiC) 功率器件配合使用，从而发挥其全部功能。
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Prisemi 芯导科技/DC电源芯片防护器件静电及浪涌防护器件 ESD/EOS，瞬态浪涌抑制二极管 TVS，稳压管 Zener，晶闸浪涌保护器 TSSMOSFET产品中低压 MOSFET，高压 MOSFET第三代半导体产品氮化镓器件 GaN HEMT，氮化镓驱动芯片 GaN Driver IC，碳化硅肖特基 SiC SBD，碳化硅MOS SiC MOS整流器件和小信号器件，肖特基SBD，快恢复二极管FRD，整流桥 Bridge，整流二极管
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Power X 博尔芯半导体主要产品激光雷达驱动产品栅极驱动产品氮化镓(GaN) IC
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ISW 智融科技智融科技多年来深耕数模混合芯片，产品广泛应用于移动电源、车载充电器、氮化镓充电器、户外储能电源和智能插排等设备。 ，已经量产商用的氮化镓直驱控制器多为国外厂商产品，客户的选择余地十分有限，同时也蕴藏着巨大的商机。 近日，智融科技就推出了一款氮化镓直驱控制芯片SW1106。 ，已经量产商用的氮化镓直驱控制器多为国外厂商产品，客户的选择余地十分有限，同时也蕴藏着巨大的商机。 近日，智融科技就推出了一款氮化镓直驱控制芯片SW1106。
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MOT 仁懋电子项发明专利；2022 注册商标INZOOM；长三角洲基地投资建厂；2023 启动全球战略布局；获得国家级专精特新小巨人企业认定；广东省第三代半导体功率器件封测工程技术研究中心；2024 科学技术成果评价证书；氮化镓功率器件技术研发及产业化 ，中低压Trench SGT MOS功率二极管平面肖特基二极管，沟槽肖特基二极管，快恢复二极管小信号晶体管&二极管小信号开关二极管，小信号三极管，小信号MOS，小信号肖特基二极管产品SiC & GaN氮化镓 MOS，碳化硅二极管功率三极管大功率三极管，音响对管稳压二极管稳压二极管IC电压基准IC，BMS保护IC，充电管理IC，运放IC，非隔离IC应用领域电源，工业，新能源，家电，消费电子品质技术品质文件2024
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电子电路的发展,电源体积趋于模块化和小型化2022-05-09
