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Bestirpower 萃锦半导体在结温175℃时，我司器件阈值电压、导通电阻、开关损耗等参数稳定性好，导通损耗低，适合感应加热的高温应用特点。 我司器件产品测试严格按照AEC�Q101标准测试，阈值电压、导通电阻、开关损耗等参数稳定性好，导通损耗低，适合高温等严苛工作环境要求。 暖通空调 HVAC萃锦开发的 SiC MOSFET 优化了元胞结构，具有导通损耗低，开关损耗小，开关频率高，高温条件下，阈值电压、导通电阻、开关损耗等参数稳定性好，导通损耗低，契合暖通空调系统的高效节能应用要求 固态变压器萃锦开发的 SiC MOSFET 优化了元胞结构，具有导通损耗低，开关损耗小，开关频率高，高温条件下，阈值电压、导通电阻、开关损耗等参数稳定性好，导通损耗低，契合固态变压器的高效节能应用要求， 我司器件阈值电压、导通电阻、开关损耗等参数稳定性好，导通损耗低，适合高温等严苛工作环境要求。
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Din-Tek Semiconductor 鼎日我们的产品具有低内阻、高开关速度，并且提供多样化的封装选项，适用于各类电子产品。IGBTsDin-Tek利用SGT屏蔽栅工艺和薄晶圆技术实现了低VCE(sat）、低开关损耗的IGBT产品。 由于其比硅器件更高的开关特性和更低的导通电阻，GaN器件有望有助于降低功耗和各种电源的小型化以及外围组件的小型化。 SiC MOSFET650V SiC MOSFET,1200V SiC MOSFET与传统的硅器件相比，碳化硅（SiC）器件由于拥有低导通电阻特性以及出色的高温、高频和高压性能，已经成为下一代低损耗半导体可行的候选器件 SiC元器件的低导通电阻特性有助于显著降低设备的能耗，从而有助于设计出能够减少CO2排放量的环保型产品和系统。
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GaN Systems 氮化镓系统设有导通电阻和可忽略的电荷存储非常低，这些装置能够在过电流硅基解的切换效率良好，并提供到开关电源的设计，逆变器，混合动力汽车和电动汽车，电池管理和功率因数校正戏剧性的好处。
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XLNWEJ 芯微电子电流增益大、导通电阻小，利用小电流实现高电压、大电流的控制，在实际应用中主要作为可控整流器件和可控电子开关使用，应用于工业控制的电源模块、电力传输的无功补偿装置、家用电器的控制板等领域。 输入阻抗高、驱动功率低。具有开关速度快、开关损耗小、热稳定性好等特点，应用于消费电子、工业控制、不间断电源、光伏逆变器、充电桩的电源模块、新能源车的驱动控制系统等领域。 肖特基二极管具有低压大电流、低功耗、高速导通、反向恢复时间短等优良特性。在高频整流、开关电路和保护电路中起整流和续流作用。主要应用于开关电源、通信电源、变频器、光伏接线盒等高频电路中。
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JIAENSEMI 佳恩半导体并通过第三方权威机构评价，公司核心IGBT芯片技术达到国际先进水平,产品在降低导通电阻，逆变电流，尤其在可靠性方面，均领先于国内企业。在市场方面，佳恩半导体销售服务体系已完整覆盖华南、华东、华中地区。 我司多款产品适用电源领域，具有高开关速度、低导通损耗、低栅极电荷等优点，提高了系统效率，由于采用自主创新独特技术，优化了开关特性，使器件在系统中有更好的EMI表现。 我司多款产品适用照明领域，具有更快开关速度、低导通损耗、低栅极电荷、高雪崩耐压、高浪涌能力等优点，由于采用自主创新独特技术，优化了开关特性，使器件在系统中有更好的EMI表现。 我司多款产品适用电源适配器领域，具有高开关速度、低导通损耗、低栅极电荷等优点，提高了系统效率。由于采用自主创新独特技术，优化了开关特性，使器件在系统中有更好的EMI表现。
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罗姆开发出业界先进的第4代低导通电阻SiC MOSFET2021-08-30
