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PieceMakers 补丁科技补丁科技为标准內存和KGD产品提供封装和未封装的 IC芯片, 为从小型企业到大型企业、从SoC制造商到系统公司等多元化客户群的提供服务。 团队补丁科技由丁达刚先生创立，丁达刚先生是一位拥有 40 多年 IC产业经验的专业记忆体芯片设计者。他在记忆体电路设计方面获得了 60 多项专利和多项国际奖项。 该团队在 DRAM 电路设计和测试方面具有丰富的实战经验。加入我们的团队，参与全球领先的 AI 记忆体设计。 主要产品人工智能片HBLL-RAM，HiBaLL-RAM，PIM-DDR3DRAM片标准型DRAM，KGD DRAM，PSRAM应用领域高性能计算应用AI神经网络，数据科学，机器学习，进化计算，自然语言处理 去中心化数据库，身份验证，财产登记，智能合约相关产品： HBLL - 2D SIP / 144 GBPSHiBaLL - 3D Stacking / > 1 TBPSPIM-DDR3 - CNN in DRAM
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CXMT 长鑫存储作为一体化存储器制造商，公司专业从事动态随机存取存储芯片(DRAM)的设计、研发、生产和销售，目前已建成第一座12英寸晶圆厂并投产。 DRAM 产品广泛应用于移动终端、电脑、服务器、虚拟现实和物联网等领域。
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UnilC 紫光国芯公司是以存储技术为核心的产品和服务提供商，核心业务包括标准存储芯片，模组和系统产品，嵌入式DRAM和存储控制芯片，以及专用集成电路设计开发服务，产品包括DRAM KGD、DRAM颗粒、DRAM模组、系统产品和设计服务 公司十余年来一直专注于存储器尤其是DRAM存储器的研发和技术积累，拥有从产品立项、指标定义、电路设计、版图设计到硅片、颗粒、内存条测试及售前售后技术支持等全方位技术积累。 在面向大数据和人工智能等新兴领域，公司采用三维集成技术，实现将逻辑晶圆和DRAM晶圆的异质集成，开发出高带宽、大容量的3D DRAM芯片，及内嵌超高带宽超低功耗DRAM的人工智能（AI）芯片。 公司在过去几年中成功为客户完成了十余款基于65nm/40nm工艺的SoC芯片设计和流片，帮助客户快速完成芯片设计和测试。 公司也成功提供多款从产品定义开始完成芯片架构设计、电路设计、仿真验证、后端设计、流片、测试验证、量产工程全流程的“交钥匙”芯片开发服务。
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Alliance Memory 联盟记忆Alliance Memory 是一家全球无晶圆厂制造商，生产传统和新技术存储器产品，这些产品是 Micron、Samsung、ISSI、Cypress、Nanya、Hynix 和其他公司的 SRAM、DRAM 我们的产品组合包括用于主流数字信号处理器 (DSP) 和微控制器的全系列 3.3V 和 5V 异步 SRAM；和同步 SRAM、低功耗 SRAM、伪 SRAM、3.3V 同步 DRAM (SDR)、移动 DDR、2.5V 单 (DDR1)、1.8V 双 (DDR2) 和 1.5V 和 1.35V 三倍速率 (DDR3) 1.2V四倍速率 (DDR4) 同步 DRAM，以及 5V 并行 NOR 闪存设备 高晶圆芯片投资意味着我们可以在保持稳定定价的同时最大限度地减少或消除芯片收缩。我们的目标是与客户建立长期关系，并为我们制造的零件提供长期支持。 我们的大部分 SRAM、DRAM 和 FLASH 产品直接从库存中发货，库存在美国、上海和台湾。
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Dosilicon 东芯半导体东芯半导体股份有限公司 成立于2014年，总部位于上海，在深圳、南京、香港、韩国均设有分公司或子公司，矢志成为领先的存储芯片设计公司，服务全球客户。 作为Fabless芯片企业，东芯半导体拥有独立自主的知识产权，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研发、设计和销售，是目前国内少数可以同时提供NAND/NOR/DRAM设计工艺和产品方案的存储芯片研发设计公司
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Payton 沛顿科技沛顿科技自成立以来一直专注于高端存储芯片 (DRAM、NAND FLASH) 封装和测试服务，目前是国内的高端存储器封装测试内资企业，具备动态存储颗粒DDR5、DDR4、DDR3以及LPDDR5、LPDDR4 以“卓越品质，用心造芯”的理念，向成为国内最大芯片封测企业的目标不断迈进。
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Samsung Semiconductor 三星半导体我们的存储事业部凭借全球领先的存储半导体技术，加速产业数字化转型；系统LSI事业部为运算处理、通信、电源管理及安全等多种应用设计优化核心芯片；晶圆代工事业部则通过尖端制程技术与深度合作，助力客户实现技术飞跃 我们的辉煌历程纵观公司历史，从艰难起步到全球半导体巨擘，我们一直秉持着对创新的不懈追求1975 开始为 发光二极管 (LED) 手表大量生产 集成电路 (IC)1988 开发 4Mb DRAM1998 (LPDDR4)开始量产；中国西安工厂(SCS)开始投入生产；2015 第17号生产线开始投入生产；14纳米鳍式场效应晶体管移动应用处理器(AP)开始量产；2016 10纳米鳍式场效应晶体管系统级芯片( SoC)量产；10纳米级DRAM量产；核心技术移动端光线追踪，端侧AI，像素技术，超高分辨率传感器，高动态范围技术，内存主要产品DRAM，固态硬盘，嵌入式存储，CXL 存储器，多制层封装芯片，处理器，图像传感器 ，显示芯片，安全解决方案，电源管理芯片，LED，显示消费级存储产品SSD 固态硬盘，PSSD 移动固态硬盘，存储卡，USB 闪存盘，游戏固态硬盘应用领域人工智能，服务器，汽车，5G & 互联，移动通信端
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SCY 时创意深圳市时创意电子有限公司（简称SCY）成立于2008年，是一家在存储芯片领域具备芯片设计、软固件研发、封装测试、制造及应用于一体的国家级高新技术企业。 公司拥有全球领先的芯片封装、测试和现代化模组工厂，形成了完整的供应链生态系统。 产品及业务涵盖SSD固态硬盘、DRAM内存模组、嵌入式存储芯片（eMMC/LPDDR）、便携式存储产品的OEM、ODM等，为全球知名半导体企业提供一站式存储解决方案和产品定制化服务。
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Zentel 力积存储国际领先的DRAM设计，制造和销售公司浙江力积存储科技有限公司 不仅仅是世界上技术规格和应用覆盖面最广的内存产品线，也是国内唯一畅销国际市场近二十年的内存品牌。 今天，我们依托经过二十年国际市场检验的知识产权，稳固的晶圆代工伙伴和经验丰富的工程师团队提供满足多样化市场需求的内存芯片产品。 Zentel成立Zentel Japan2004-06 完成第一个与力晶共同开发的110纳米512MbDDR12005-03 第一家公司于力晶完成110纳米代工产品2006-03 第一家公司于力晶完成产品类别DRAM
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DERA 得瑞领新EMEI 采用12nm工艺技术设计，进一步降低芯片面积和功耗。 根据实际的目标需求和产品定义，开发者可以在 NAND 通道数及容量、DRAM 通道及容量、DRAM ECC 开关、DRAM 及/或 NAND 接口传输速率等各个选项之间灵活选择，实现优化组合。 芯片内集成多核 CPU，以及灵活的 NAND 管理接口，可以适配当前所有国内外主流厂商的 NAND Flash。 根据实际的目标需求和产品定义，开发者可以在 NAND 通道数及容量、DRAM 通道及容量、DRAM ECC 开关、DRAM 及/或 NAND 接口传输速率等各个选项之间灵活选择，实现优化组合。 根据实际的目标需求和产品定义，开发者可以在 ECC 强度、NAND 通道数及容量、DRAM 通道及容量、DRAM ECC 开关、DRAM 及/或 NAND 接口传输速率等各个选项之间灵活选择，实现优化组合
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传美方将豁免三星、SK海力士大陆工厂接收设备管制2023-10-07
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美光推出业界首款HBM3 Gen2内存，能效提升2.5倍2023-07-28
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美光芯片模块或已开始停购！涉联想、浪潮等多家中企2023-05-30
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消息称美光将从日本获得 2000 亿日元资金用于生产 1γ 存储芯片2023-05-17
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美光将向日本投资5000亿日元用于EUV芯片制造，2025年投产2023-05-17
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