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Silikron 硅能半导体新硅能微电子(苏州)有限公司 由各知名高校、研究所教授及优秀的功率器件、模块设计团队组成，均具有十数年以上器件及模块设计和应用经验；聚焦Si/SiC基MOSFET、IGBT、FRD、PIM和IPM等产品 愿景 成为一流的中国功率半导体企业信仰 敬天爱人，天道酬勤使命 让功率更高效，让世界更美好价值观 允公允能，惟实励新；至善至精，诚信悦人；技术引领新硅能目前已获得47项专利，其中10项是发明专利 质量管理体系新硅能微电子(苏州)有限公司已通过 ISO9001：2015质量体系认证。 科研支持硅能半导体功率MOSFET芯片设计工程技术研究中心是江苏省省属实验室，我们打造了一个为MOSFET、IGBT、SiC和模块等主要产品的研究和开发提供强大支持的创新平台，致力于为MOSFET、IGBT 为MOSFET、IGBT、SiC和模块等产品的深入研究和开发提供了一个受控、创新的环境。
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NOYUSEM 蓉矽半导体产品涵盖碳化硅EJBS™ (Enhanced Junction Barrier Schottky)二极管与碳化硅MOSFET；硅基产品有175˚C高结温的理想二极管MCR®（MOS-Controlled 正式发布顺利完成Pre-A轮融资敬请关注9月27日线上新品发布会举办“芯见未来”产品发布会；发布自主开发的NovuSic® EJBS™和理想硅基MCR®二极管系列产品SiC二极管 (G1)量产；1200V/20A EJBS™二极管正式量产2021年订单金额达300万；硅基MCR@订单金额达300万SiC MOSFET(G1)量产；SiC MOSFET(G1)1200V /75mΩ 正式量产SiC MOSFET(G1)开发成功1200V/75mΩ SiC MOSFET 第一次工程流片即达91.2%良率天使轮融资完成；进行MCR产品优化及SiC产品量产硅基MCR科技成果转化 ；电子科大功率集成技术实验室专利突破性硅基理想二极管2020年Sic二极管(G1)开发成功；1200V/20A EJBS™ SiC二极管首次工程流片即达97%良率2019年蓉矽半导体成立；设立于成都市高新区外资矽能科技功率半导体孵化器质量管理体系蓉矽半导体拥有
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LXPSEMI 澜芯半导体上海澜芯半导体有限公司 成立于2022年6月，公司总部坐落于上海嘉定，在张江设有研发中心，是一家全栈功率芯片设计公司，产品包含碳化硅MOSFET，硅基IGBT, MOSFET等相关芯片、单管和功率模块产品 依托多年在功率半导体丰富的开发经验和深厚的车规级功率半导体行业应用背景，历经半年多的时间在2023年8月首款碳化硅芯片1200V 80mΩ SiC MOSFET就功通过了1000小时175℃ 100%Vds 产品覆盖1200V SiC MOSFET 6mΩ、12mΩ、14mΩ、30mΩ、40mΩ、60mΩ、80mΩ等，已有众多客户与澜芯建立了深度的技术交流，对于澜芯半导体的技术实力给予了充分的肯定，现客户群体已覆盖光伏储能 主要产品SiCLXPSEMI SiC MOSFET在导通电阻，开关损耗，高温运行和导热性上的优异特性极大地提升了电力电子系统的转换效率和功率密度，并使得系统的整体成本降低。 SJ MOSFET为适应电源系统高效率小型化的需求，澜芯半导体推出了超结高压MOSFET, SJ MOSFET具有更快的开关速度，可以大大提高系统效率、降低发热量，还可以简化系统EMI设计。
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Din-Tek Semiconductor 鼎日企业目的我们的目标是将最先进的MOSFET设计技术应用于各种电子设备中，以提高其性能、效率和可靠性。为此，我们致力于不断研发新的MOSFET设计技术，以满足客户日益增长的需求。 我们的产品线包括各种类型的MOSFET，如增强型MOSFET、耗尽型MOSFET等，能够满足不同行业和应用的需求。 在电力电子领域，我们的MOSFET被广泛应用于电源管理、电机驱动、可再生能源等领域。在汽车电子领域，我们的MOSFET被用于车载充电器、电池管理系统等应用中。 由于其比硅器件更高的开关特性和更低的导通电阻，GaN器件有望有助于降低功耗和各种电源的小型化以及外围组件的小型化。 SiC MOSFET650V SiC MOSFET,1200V SiC MOSFET与传统的硅器件相比，碳化硅（SiC）器件由于拥有低导通电阻特性以及出色的高温、高频和高压性能，已经成为下一代低损耗半导体可行的候选器件
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Maplesemi 美浦森半导体深圳市美浦森半导体有限公司（MSemitek）成立于2014年，总部位于深圳，是国内最早专业从事硅与碳化硅器件研发、生产和销售的半导体公司，国家级高新技术企业、国家级专精特新“小巨人”企业。 公司产品线包括：高中低压全系列（Trench/SGT MOSFET、 超结MOSFET、Planar MOSFET）、碳化硅系列（SiC Diode/MOSFET）、IGBT系列（单管/模块），其广泛应用于 专业于MOSFET器件领域的拓展，运用创新的电路设计和国际同步的研发技术，成功研发出新一代MOSFET系列产品，产品相关性能达到行业领先水平。 主要产品高压MOSFET中低压MOSFET超结MOSFET碳化硅DIODE碳化硅MOSFETFRDIGBT
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Silicon Billion 硅兆光电厦门市硅兆光电科技有限公司是专业从事光电式继电器（固态继电器）研发及销售的企业。 公司遵循“专业，专注，专心”的企业精神，不断向学习国内外顶级企业； 公司整合了国内外专业光耦合芯片、功率MOSFET、可控硅等芯片企业的优势，开创性应用多芯片组装，并融合了国内外固态继电器应用领域的经验教训
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LEAPSIC 嘉展力芯半导体碳化硅金属氧化物场效应晶体管(SiC MOSFET)在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的IGBT相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，利用其工作特性，可以用于更高的工作频率 全碳化硅功率模块汽车级全碳化硅功率模块是为新能源汽车主逆变器应用需求推出的系列功率模块产品，包括半桥MOSFET模块、三相全桥MOSFET模块、塑封单面散热半桥MOSFET模块等，采用银烧结技术等最新的全碳化硅 通过将芯片与功率模块中的硅功率器件结合，可以实现这些目标。特别是碳化硅二极管，它是进一步扩展 IGBT技术的重要部分。 由于存储电荷少，所以可以明显降低现代 IGBT 的导通损耗，因此与相应的纯硅基解决方案相比，可以实现更高的开关频率和/或更高的电流处理能力。 碳化硅功率器件测试实验室产品应用新能源车目前我国已逐步跨入新能源汽车时代，为了满足大输出功率的需求，功率半导体器件材料从硅基IGBT转向碳化硅MOSFET，电压平台从400V升级到800V，搭载的功率半导体器件的需求也大幅提升
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Orientalsemi 东微半导体主要产品包括GreenMOS系列高压超级结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低压屏蔽栅MOSFET。 公司在保持高压超级结MOSFET领域优势的基础上，还有超级硅MOSFET产品、高压高速Tri-gate IGBT（“TGBT”）等先进产品。
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EPC （Efficient Power Conversion ） 宜普EPC 第一个推出增强模式硅基氮化镓 (eGaN) FET，可替代众多应用中的功率 MOSFET，其所做的不仅仅是提高电力效率。它还支持五年前不存在的新的、改变生活的应用程序。
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睿创芯电子，NS，ATMEL，PHI（NXP），TOSHIBA，MAXIM（DALLAS），TI（BB，CHIPCON），ADI，ON，SAMSUNG，ALTERA；并兼营许多其它著名品牌各类电子元件，包括功率MOSFET 、可控硅、二三极管、单片机、内存、光电子元件等。
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不用第三代半导体，如何实现更高的功率密度？2022-04-21
