技术研发体系基础研究奕斯伟材料搭建了涵盖缺陷分析、杂质分析和硅片性质分析的技术研发平台，通过基础研究体系的建设，加深对硅片特性及客户端应用的理解，针对性开展相关品质参数的工艺开发和改善工作，提升硅片品质 硅片加工奕斯伟材料建立了各工序间参数相互影响、相互制约的研究体系，通过对工艺流程及工序配比的优化，持续提升硅片的平坦度和纳米形貌，探索更优的硅片加工工艺流程。 清洗为符合集成电路制程对硅片表面金属、颗粒、有机物的高品质要求，清洗工序对抛光硅片的表面颗粒进行有效去除，确保达到产品品质要求。 采用检查极限为ppt（万亿分之一）的表面金属检测仪和能检单位为20纳米以下的颗粒计数器，对硅片表面品质进行管控，确保优秀出货水准。 外延片外延片是在抛光片基础上，通过化学气相沉积方法在硅片表面生长一层外延硅单晶薄膜的硅片产品。外延片能实现不同于抛光片的优良近表面特性，满足不同客户对硅片的定制化需求。

专利技术，这一技术采用先进的绝缘体上硅片 (SOI) 形式，可在单芯片上设计、制造和集成多个射频、混合信号和数字功能。 Peregrine 拥有超过 180 多项获批和正在申请中的专利，且 UltraCMOS 出货量已超 2 百万。