公司拥有先进的新型存储芯片研发与产业化平台，掌握了MRAM设计、制造全套关键技术，成功开发独立式存储芯片和嵌入式IP等系列产品并可提供90/40/28nm多个先进工艺节点下的芯片设计、工艺研发、流片、测试分析等全方位服务 随着摩尔定律的演进，晶体管先后经历了平面结构、Fin场效应晶体管（FinFET）和环绕式栅极晶体管(Gate-All-Around）等阶段，其密度、性能和能效不断提高。 嵌入式存储是逻辑制程中不可或缺的一环。其中，嵌入式闪存（eFlash）作为一种主流的非易失性嵌入式存储技术，在40纳米及以上的成熟工艺中占据主导地位。 业界普遍认为，28/22纳米将是eFlash具有成本效益的最后一个工艺节点，因此开始持续研发新型嵌入式非易失存储技术，如eMRAM和eRRAM等。 新型嵌入式非易失存储技术一般基于逻辑工艺的互联层（BEOL），具备良好的前后段兼容性，可延展至28纳米及更先进工艺节点，且性能更具有竞争力，如下图。