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TIANCHENG 天成先进公司致力于半导体立体集成技术的研发与创新，专注于为用户提供完善的12英寸3D/2.5D-TSV、2.5D-Fanout、UHD-FCBGA系统集成与晶圆级先进封装解决方案，一期建设完成后将具备年产24万片 晶圆级三维集成技术体系平台聚焦“纵横（2.5D）”、“洞天（3D）”、“方圆（Micro Assembly）”三大技术方向。 Si-less Integration）纵横·域（2.5D Mix Integration）2.5D集成技术通过TSV、TMV、RDL、uBump、Chip to Wafer、Wafer molding等工艺技术 集成技术）洞天·集（3D TSV Integration）洞天·汇（3D TSV Ultra Integration）洞天·合（3D TSV Lite Integration）3D集成技术通过TSV、晶圆重构 、堆叠等工艺技术，以3D TSV Si堆叠、重构堆叠、Si Interposer堆叠等方式，实现存储芯片、裸芯片等3D集成，增加TSV立体集成工艺兼容性和灵活性。
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Casmeit 中科智芯第一阶段建筑面积共计约为12000平方米，其中净化生产面积近4000平方米，建成后将可形成年生产加工12万片12寸晶圆的产能，二期项目规划总建筑面积约3万平方米。 全年投产后产能将增长到年产100万片12 寸晶圆。公司研发团队由具有国际知名企业研发技术与管理经验、江苏省“双创”领军人才和具有丰富研发经验的本土研发团队组成。 作为集成电路先进封装研发与生产代工基地，中科智芯产品/技术定位于：凸晶(点) /微凸点 （Bumping /Micro-Bumping）、晶圆级芯片封装（Wafer Level Chip Scale Packaging 现阶段公司主要研发与生产的重点主要为晶圆级扇出型封装技术，该技术随着各种大数据、可穿戴、移动电子器件以及高端通讯的需求增长，以其高性价比的优势成为了首选的先进封装方式。 中科智芯熟练地掌握了晶圆级扇出型封装生产工艺制程，拥有十多项自主知识产权，能够为不同客户定制先进合理的设计方案，是大多数客户应用这门技术的可以信赖的商业伙伴。
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XMC 武汉新芯武汉新芯专注于先进特色工艺开发，重点发展三维集成技术3DLink™、特色存储工艺和数模混合工艺平台，致力于为全球客户提供高品质的创新产品及技术服务。 武汉新芯于2019年推出了业界极具竞争力的50nm Floating Gate NOR Flash工艺平台。 武汉新芯3DLink™是业界领先的半导体三维集成技术平台，可利用纳米级互连技术将多片晶圆或晶圆与芯片在垂直方向直接连接在一起。 该平台包括两片晶圆堆叠技术S-stacking®、多片晶圆堆叠技术M-stacking®和异质集成技术Hi-stacking®等技术类别。 代工服务武汉新芯致力于成为值得信赖的半导体特色工艺引领者。公司面向全球客户提供40nm及以上工艺制程的12英寸NOR Flash、CIS和Logic晶圆代工与技术服务。
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wlopt 安特永（晶方光电）安特永（苏州）光电科技有限公司，原名：苏州晶方光电科技有限公司，依托于苏州晶方半导体科技股份有限公司，于2018年成立于苏州工业园区。 同时，Anteryon拥有独特的混合压印工艺，其产品混合镜头（Hybrid Lens）可用于高精度光刻机，农业用机器人传感器，低功率激光器，工业投线仪等相关产品。 公司致力于与各相关产业的头部企业建立战略合作伙伴的共赢关系，成为世界晶圆级光学一站式解决方案的龙头企业。 致力于为客户提供正确的解决方案我们的质量方针全员参与、精细管理，顾客满意、持续改进 我们的环境方针 节约各种资源、降低环境影响推进持续改善、遵守法律公约建设绿色地球、人人都有责任我们的HSF方针绿色产品百分百，环境物质零缺陷核心技术相机模组，堆叠晶圆 ，镜片晶圆主要产品镜头激光模组光学镜和滤光片光机电一体化
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BT Imaging主要产品实验室设备 & 软件LIS-R3太阳能电池设施产量提升和性能改进的“黄金标准”工具LIS-R3 是一款用于硅锭、晶圆、电池和微型模块样品的先进表征工具。 针对TOPCon、PERC、HJT等电池工艺，是多年研发、不断改进的结果。最近的升级包括与 24 个母线样本的兼容性、新的 SMU 和 BC 电池测量。 此外，配套的的专有软件功能揭示并解决了阻碍大批量堆叠电池生产的挑战。 BT Imaging 非常期待与合作伙伴继续开发该工具能够与合作伙伴继续开发该工具，以满足新型复杂细胞生产阻碍因素的要求。 典型用例包括晶圆剔除、根据预测的电池效率进行晶圆质量分类、晶圆和电池研发以及生产线工艺改进。 iLS-W3 还提供可运输的离线配置以及附带的自动化功能。 该工具在高质量的PL和AOI成像功能的支持下，以成本效益和空间效益为特色，能够针对以前未控制的高温工艺步骤进行评估和处理。初始应用包括TOPCon金属化和烧结效果量化以及激光工艺质量跟踪。
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华进半导体2020年4月获批准建设国家集成电路特色工艺及封装测试创新中心，12月获准设立国家级博士后科研工作站。 公司作为国家级封测/系统集成先导技术研发中心，通过以企业为创新主体的产学研用结合新模式，开展系统级封装/集成先导技术研究，研发2.5D/3D TSV互连及集成关键技术（包括TSV制造、凸点制造、TSV背露、芯片堆叠等 同时将开展多种晶圆级高密度封装工艺与SiP产品应用的研发，以及与封装技术相关的材料和设备的验证与研发。 公司拥有3200 平米的净化间和300mm晶圆整套先进封装研发平台（包括2.5D/3D IC后端制程和微组装，测试分析与可靠性）及先进封装设计仿真平台。 国内第一个研发成功的“2.5D TSV硅转接板制造及系统集成技术”成套工艺技术，技术指标国内领先，达到国际先进水平。
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Access 越亚半导体产品特性1.5~12层，奇数或偶数层的超薄载板叠构铜柱法支撑任意层和任意形状的高密度互联方式任意层进行依序增层的加成法的载板工艺铜柱互连的一致性提升射频信号的保真度，保证信号完整性载板内置大面积电镀铜块极大地降低 IR drop并提升电源完整性堆叠铜块为芯片建立起高效散热的三维连接通道可兼容采用传统的Tenting/MSAP技术市场应用手机/移动电话；宏基站；微基站；WiFi无线网络；AloT智能物联网(Cat1 产品特性嵌埋后可具有1~5层的扇出线路，并实现芯片顶底面互连的3D结构具有自主知识产权的专利工艺并兼容传统MSAP技术带来更多的芯片与被动器件嵌埋集成采用类晶圆工艺用核磁溅射薄膜钛铜金属（Sputter 以电镀铜柱取代传统机钻镭钻为载板层间的互连方式；以电镀铜柱或铜块作为Cavity空腔的形成方法；以电镀铜柱或凸点作为芯片与载板的焊接点Coreless 无芯封装载板专利技术无需采用传统Core材；任意层起始的顺序增层工艺 ；基于铜柱法的任意层间的互连方式；基于铜柱法的任意形状的互连方式；实现超薄介质层堆叠的封装载板技术主被动器件嵌埋封装专利技术实现封装体三维尺度的缩小；同时内埋主被动组件于载板内形成系统级封装(SiP)；
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解读CMOS图像传感器5种特定的制造工艺技术2021-01-21
