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严选宽带隙技术厂家，提供从宽带隙技术设计、研发、生产制造深耕产品，打造值得信赖的传感器品牌，解决选品、技术支持问题，实现采购放心、售后无忧。
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UnitedSiC 联合碳化硅利用美国 UnitedSiC 创新的设备技术加速SiC的采用，使客户能够为社会最先进的应用提供业界领先的电源效率，尤其是在移动性，IT基础设施和可再生能源方面。 我们的愿景使用我们的创新设备技术加速 SiC 的采用，使我们的客户能够为社会最先进的应用提供行业变革级别的电源效率，特别是在移动、IT 基础设施和可再生能源方面。 幸运的是，过去几十年对宽带隙研究的投资现已形成成熟的 SiC 功率器件供应链，从根本上改变了主流功率转换器的效率和功率密度。 致力于技术领先我们的技术为我们的客户提供了最简单的途径来升级他们的传统电源设计或以最小的努力在他们的新设计中获得最高的功率密度。 我们的技术可以直接替换 PFC、LLC 或 PSFB 拓扑的硅超结，并直接兼容任何 SiC MOSFET 竞争对手的栅极驱动要求。
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Wolfspeed 沃孚半导体我们组建了业内最优秀的半导体团队——这支团队特别适合领导行业转型、千载难逢的技术变革。我们是业内唯一拥有市场上经过最现场测试的碳化硅和碳化硅基氮化镓解决方案的完全商业化、广泛产品组合的公司。 汽车我们的宽带隙碳化硅器件可实现更快、更高效的充电并增加电动汽车的续航里程。 通讯基础设施我们的碳化硅基氮化镓技术解决方案通过扩展现有的 4G 系统功能和支持下一代 5G 网络，帮助满足世界的连接需求。 现在对我们和我们公司来说是一个激动人心的时刻——整个行业都在重塑，而 Wolfspeed 正在提供推动这一转型的技术。” -- 格雷格·洛 / 首席执行官
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华燊泰科技企业凝聚了技术研发、团队管理、产品品控等领域的优秀人才及专家。拥有超过二十年的市场经营经验，与上市公司建立了深厚的合作关系。通过稳定可靠的供应链深度合作实现定制化兼备降本增效的生产能力。 氮化镓（GaN）是一种宽带隙半导体材料。 从技术角度分析，采用GaN技术的充电器外形尺寸可比传统的基于硅的充电器减少30-50%，同时，整体系统效率大幅提升，在相同尺寸和相同输出功率的情况下，充电器外壳温度将比传统充电器更低。 而驾驭清洁能源则需要更精尖的技术和更高的可靠性，华燊泰科技的碳化硅功率器件，就是为了这样的需求而制造的。
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STMicroelectronics 意法半导体当今世界飞速发展，而在这背后，离不开我们的先进技术。 为了实现技术的交付，我们将微芯片（或常规的“芯片”）嵌入到前沿的创新设计中，并使其在各类产品中发挥出关键作用，比如电动汽车和遥控钥匙、大型工厂机器和数据中心、清洗设备、硬盘、智能手机和牙刷等。 我们致力于为更加智能、绿色、可持续的未来创造半导体技术。我们坚信技术在应对环境和社会挑战方面发挥着关键作用。因此，我们的半导体技术开发均以员工、客户和合作伙伴的利益为前提。 我们是全球垂直整合制造商 (IDM)作为IDM，我们不断投资于专有技术和扩大生产范围。我们为客户设计、生产和交付产品，为其提供必要的专业知识，同时保障供应安全和质量。 功率监测器，电流检测，运算放大器(运放)复位和电压监控IC电压保护IC，复位和电压监控器，开关控制器，看门狗定时器，微处理器电压监控器，智能复位IC功率晶体管IGBT，功率MOSFET，功率双极器件，宽带隙晶体管航天用高可靠性器件
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