珠海华芯微电子有限公司 成立于2023年，隶属于华芯(珠海)半导体有限公司。公司位于珠海市高新区唐家湾镇科新二路88号，被认证为珠海市高新区立柱项目以及广东省重点项目。 2023年07月05日 华芯半导体砷化镓总部研产基地项目打桩动工。2024年01月15日 华芯半导体砷化镓总部研产基地项目厂房已实现全面封顶。 HEMTHEMT 高电子迁移率晶体管（High Electron Mobility Transistor, HEMT）是一种复合半导体场效应晶体管（FETs），它使用两种具有不同能隙的材料，通常包括一个宽禁带半导体 （如AlGaAs）和一个窄禁带半导体（如GaAs）形成异质结，在结界面形成二维电子气层为载流子提供沟道。 III-V族化合物半导体因其高电子迁移率、击穿场强和更易得的异质结构，能实现HEMT器件高速、高功率和稳定性等多项优秀性能。

精炼 45 年的科技、制造以及全球供应链专业技术台湾半导体股份有限公司（Taiwan Semiconductor Co., Ltd.）在分立功率整流器方面的核心能力数十年来备受肯定，拥有多样的产品组合， 台湾半导体股份有限公司 (以下简称台半) 成立于 1979 年，由董事长王秀亭先生带领下，全球员工人数成长达到 1,500 多人，并以质量、服务和价值的承诺做为集团指导原则。 通过创新制造能力的战略扩展，以及致力于开创高效半导体解决方案，台湾半导体期望成为成功企业的正确选择，以及建立长久伙伴关系。为何选择台湾半导体？ 整合多样性半导体产品选择先进、高效且以客户为导向的物流流程灵活且弹性的服务，满足客户特定需求为不同应用领域提供最高水平的质量和性能无论是联系咨询还是通过我们的分销合作伙伴，台湾半导体将提供您所需的解决方案 ，开关二极管，肖特基二极管电源管理放大器与比较器稳压器车用稳压器，线性稳压器，切换式稳压器LED驱动器车用LED驱动器，交流对直流LED驱动器，直流对直流LED驱动器，线性LED驱动器线性LED驱动器宽能隙碳化硅二极管氮化镓晶体管应用领域汽车

氮化镓（GaN）是一种宽带隙半导体材料。 GaN功率半导体将为 LED 灯泡带来以下优势：大幅节省能源成本：不同于传统照明系统，提升的能效将使 LED 在同样亮度下消耗更少能源，兼具减少电费支出与节能效益。 应用场景灯光照明TV电源氮化镓作为高转换效率宽禁带半导体材料的代表，基于氮化镓功率器件开发的快充方案，使用高度集成的氮化镓功率芯片，可以获得精简的外围电路，仅需搭配几颗降压MOS和VBUS开关管即可组成一个方案 应用场景电动汽车储能电力转如今的储能系统被要求处理不常见的高水平电流，并且维持高度的可靠性和稳定性，在必要时，它们还需要快速精准地释放储存的能量，这需要高质量的宽禁带功率半导体。 华燊泰科技参与制定宽禁带功率半导体的行业标准。与传统硅器件相比，华燊泰科技的碳化硅 MOSFET 和二极管具有更高的性能和更低的损耗，同时允许能源系统工程师设计出更轻便的系统，降低整体系统尺寸和成本。