技术简介MRAM 技术简介20世纪80年代，法国Albert Fert与德国Peter Grünberg两位科学家在研究磁/非磁纳米多层膜的层间耦合时发现了巨磁阻（Giant Magneto Resistance ，GMR）效应，揭示了磁性纳米薄膜结构中电子自旋与电子输运过程的关联及调控方法，孕育了迄今为止容量最大、应用最广泛的现代电脑硬盘，对信息存储领域起到了划时代的推动作用，两位科学家因此获得2007年度诺贝尔物理学奖 在GMR效应发现后，数据存储产业获得了突飞猛进的发展。 1995年变化率更大、更稳定的隧穿磁阻效应（Tunneling Magneto Resistance，TMR）被发现，2002年TMR磁头替代GMR磁头进入市场，使硬盘的记录密度更进一步提升。 除了硬盘，TMR效应也孕育了另一种磁性存储器——磁随机存储器（Magnetic Random Access Memory，MRAM）。

公司主要生产先进的霍尔效应集成传感器产品，与中国科学院电子研究所、苏州纳米研究所等知名研究机构及企业建立了战略合作关系，具有较强的新产品、新技术开发能力。 并与中国科学院微电子研究所共同研制开发了功率VDMOS、霍尔效应集成传感器等产品。华芯公司保证向客户提供高质创新的产品。产品采用严格的质量检控方法,以确保产品质量的可靠性。 主要产品单极霍尔开关、双极霍尔开关、全极霍尔开关、线性霍尔元件、品牌霍尔替代、现货库存推荐、磁阻开关