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28纳米

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严选28纳米厂家,提供从28纳米设计、研发、生产制造深耕产品,打造值得信赖的传感器品牌,解决选品、技术支持问题,实现采购放心、售后无忧。
  • 皖芯集成电路

    合肥皖芯集成电路有限公司成立于2022年12月,是一家专注于集成电路芯片产品制造的高新技术企业,公司致力于研发与生产55纳米至28纳米的先进芯片,包括显示驱动芯片、CMOS图像传感器芯片、电源管理芯片、
  • HLMC 华力微电子

    作为行业内领先的集成电路芯片制造企业,华力拥有先进的工艺制程和完备的解决方案,专注于为设计公司、IDM公司及其他系统公司提供65/55纳米至28/22纳米不同技术节点的一站式芯片制造技术服务。 完备的逻辑及特色工艺华力建立了拥有自主知识产权的65/55纳米、40纳米和28/22纳米逻辑工艺技术平台,并在此基础上延伸开发了射频、图像传感器、高压、超低功耗、嵌入式存储器等特色工艺技术可以有效满足客户多元化需求 领先的生产制造能力华力引入先进生产设备,能够满足193纳米浸没式光刻技术、应变硅技术、高介电常数金属栅级 (HKMG) 技术、铜后道金属互连技术、大马士革一体化刻蚀技术等工艺技术的要求同时还配备了业界先进的亮场缺陷检测和电子扫描显微镜等检测设备 上海华力微电子有限公司 (华力一期,简称“华虹五厂”)位于上海张江高科技园区建有中国大陆第一条12英寸全自动集成电路芯片制造生产线,工艺水平覆盖65/55纳米和40纳米技术节点,设计月产能3.5万片。 上海华力集成电路制造有限公司 (华力二期,简称“华虹六厂”) 位于上海康桥工业园区,规划工艺水平28/22纳米技术节点,设计月产能4万片。华虹六厂于2018年10月建成投片。
  • 驰拓科技

    公司拥有先进的新型存储芯片研发与产业化平台,掌握了MRAM设计、制造全套关键技术,成功开发独立式存储芯片和嵌入式IP等系列产品并可提供90/40/28nm多个先进工艺节点下的芯片设计、工艺研发、流片、测试分析等全方位服务 其中,嵌入式闪存(eFlash)作为一种主流的非易失性嵌入式存储技术,在40纳米及以上的成熟工艺中占据主导地位。 业界普遍认为,28/22纳米将是eFlash具有成本效益的最后一个工艺节点,因此开始持续研发新型嵌入式非易失存储技术,如eMRAM和eRRAM等。 新型嵌入式非易失存储技术一般基于逻辑工艺的互联层(BEOL),具备良好的前后段兼容性,可延展至28纳米及更先进工艺节点,且性能更具有竞争力,如下图。 同时HIKSTOR eMRAM与逻辑工艺有着优良的兼容性,可延展至28纳米及以下先进工艺节点,且额外光罩数量仅3~5层。
  • Alnair Labs

    目前,Alnair Labs 是全球领先的基于碳纳米管光子技术超短脉宽激光系统的制造商和方案解决方。 我们最近还扩展了我们的产品线,包括10Gb/s,28Gb/s误码率测试仪和各种高速射频子系统和解决方案。
  • Chipup 芯昇科技

    公司已具备芯片规划、设计、集成、验证、后端、封装设计、量产测试完整IC产业链体系,并已成功量产多颗28纳米工艺芯片。
  • Leadmicro 微导科技

    江苏微导纳米科技股份有限公司(简称“微导纳米”,股票代码688147.SH)成立于2015年12月,是一家面向全球的半导体、泛半导体高端微纳装备制造商。 公司形成了以原子层沉积(ALD)技术为核心,CVD等多种真空薄膜技术梯次发展的产品体系,专注于先进微米级、纳米级薄膜设备的研发、生产与应用。 自成立以来,公司通过不断吸纳国内外优秀人才和保持高水平研发投入,已在微米级、纳米级薄膜沉积核心技术领域具有丰富的技术积累。 在此基础上,公司继续深化开发对技术水平和工艺要求更高的半导体薄膜沉积设备,是国内首家成功将量产型High-k 原子层沉积设备应用于28nm 节点集成电路制造前道生产线的国产设备公司,设备总体表现和工艺关键性能参数达到国际同类水平
  • SINO IC 上海华岭

    上海华岭集成电路技术股份有限公司 成立于2001年,注册于上海张江国家科学城郭守敬路351号2号楼,2021年12月20日,在上海临港新片区设立全资子公司“华岭申瓷” ,2022年10月28日北交所上市 完善的数据分析系统、7*24的专业快速响应能力,服务覆盖CPU、MCU、CIS、MEMS、FPGA、存储器芯片、通信芯片、射频芯片、信息安全芯片、卫星导航芯片、AI芯片等广泛领域产品,服务产品工艺覆盖7-28 纳米等先进制程。
  • ASAIR 奥松电子

    奥松电子MEMS半导体生产线一期工程为500纳米MEMS半导体工艺制程,生产设备约占整个投资规模的70%。 根据规划,2021年二期工程建成350纳米制程工艺MEMS半导体生产线;2022年三期工程将建成180纳米制程工艺MEMS半导体生产线;总项目全部建成投产后,每月流片规模将达到4万片;2021年8月,奥松电子官网宣布对外开放 奥松半导体8英寸MEMS特色芯片IDM产业基地项目,于2023年6月28日开工建设,总投资35亿元,用地约230亩,包含8英寸CMOS+MEMS特色传感器芯片量产线、8英寸MEMS特色晶圆快速研发线、智能传感器创新研发中心
  • 西北工业大学宁波研究院

    研究院累计引进科研人才145人,其中:国字号人才16人、省市级人才19人;入驻全日制研究生120人;企业联合培养博士28名、硕士121名;入站博士后18名,出站2名;获2021年度宁波市服务人才先进单位称号 培育产业化项目28个,引进和孵化企业40余家,2022年园区产值超过3亿元。 MEMS产线(研发平台)-8英寸西北工业大学宁波研究院智能传感芯片技术研究中心依托西北工业大学微机电系统及纳米技术双一流学科、极端环境智能微系统国家重点实验室(培育)宁波基地、空天微纳系统教育部重点实验室宁波基地等优势平台
  • Qualcomm 高通半导体

    2014年7月,在中国内地颇具规模、拥有先进技术的集成电路晶圆代工企业——中芯国际与Qualcomm共同宣布在28纳米工艺制程和晶圆制造服务方面开展合作,此后中芯国际实现了28纳米骁龙处理器的成功量产, 在Qualcomm的支持下,中芯长电先后完成了28纳米硅片凸块加工量产和14纳米硅片凸块加工,并于2017年9月宣布开始Qualcomm 10纳米硅片超高密度凸块加工认证,由此成为中国内地第一家进入10 纳米先进工艺技术节点的半导体中段硅片制造公司。
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