主要产品嵌入式存储eMMC，eMCP，UFS，ePOP，BGA SSD，uMCP，DMMC内存LPDDR5，LPDDR4小容量存储SPI NAND固态硬盘2.5寸 SATA SSD，Half Slim SSD，U.2 SSD，M.2 SSD，mSATA SSD内存产品DDR5 SODIMM，DDR5 UDIMM，DDR4 SODIMM，DDR4 UDIMM信创SSD2.5寸SATA SSD，M.2 SATA SSD，M.2 NVMe SSD信创内存模组DDR4 SO-DIMM，DDR4 U-DIMM企业级SSD2.5“ SATA SSD，2.5”U.2 PCIe 4.0 SSD可封测产品嵌入式存储芯片存储卡

/4X、LPDDR5/5X、eMCP、SSD、内存模组等，覆盖消费级、工规级、车规级存储芯片，广泛应用于智能手机、安卓平板、笔记本电脑、教育电子、安卓盒子、智能电视、智能终端、智能家居、物联网、智慧医疗 /4X、LPDDR5/5X、MCP、eMCP 等。 工/车规嵌入式存储晶存推出专为车载和工业领域设计的工/车规存储产品，包括eMMC、LPDDR4/4X及LPDDR5/5X等。 DRAM内存模组该产品线采用先进技术生产DDR5和DDR4系列内存模组，确保高性能、高品质、高可靠性。 /4X、LPDDR5/5X等产品的可靠性、耐温性、稳定性和更长的寿命等特性，从而为工业设备的稳定运行和持久耐用提供更有力的保障。

开始大规模生产业界先进的 40 纳米级 2Gb DRAM2015 开始量产基于 EUV 的 7 纳米 LPP2016 推出汽车解决方案品牌 Exynos Auto 和 ISOCELL Auto2017 开始量产第 5 代 V-NAND 及开发行业第一款 8Gb LPDDR5；开发三星的第一款 5G 调制解调器（Exynos 调制解调器 5100）；2018 于韩国华城建立 EUV 生产线及中国西安建立第二条内存生产线 工艺研发成功；20nm级NAND闪存量产；2011 30纳米级4Gb移动DRAM量产;推出品牌应用处理器Exynos;2013 3D垂直NAND(V-NAND)存储器开始量产；推出移动 AP Exynos 5 Octa，内置big.LITTLE™ 处理器架构；2014 20纳米级8Gb移动DRAM(LPDDR4)开始量产；中国西安工厂(SCS)开始投入生产；2015 第17号生产线开始投入生产；14 纳米鳍式场效应晶体管移动应用处理器(AP)开始量产；2016 10纳米鳍式场效应晶体管系统级芯片(SoC)量产；10纳米级DRAM量产；核心技术移动端光线追踪，端侧AI，像素技术，超高分辨率传感器，高动态范围技术，内存主要产品