，电压电流范围：4-75A/200-1600V；加工工艺：普通工艺、玻璃钝化工艺GPP；外形分类：方桥、扁桥；应用范围：变频器、伺服驱动、电焊机、商用电磁炉等。 三相整流桥，电压电流范围：4-75A/200-1600V，加工工艺：普通工艺、玻璃钝化工艺GPP。外形分类：方桥、扁桥。应用范围：变频器、伺服驱动、电焊机、商用电磁炉、光伏储能等。 单相/三相整流二极管模块；电路类型：MDQ，MDS；电压电流范围：30-500A/1200-2500V；加工工艺：普通工艺、玻璃钝化工艺GPP；连接方式：焊接式；应用范围：变频器、伺服驱动、UPS、电焊机 晶闸管模块单臂半控晶闸管模块，电路类型：MFA、MFC、MFK；电压电流范围：25-1000A/800-1800V；加工工艺：普通工艺、玻璃钝化工艺GPP；连接方式：焊接式、压接式；应用范围：变频器、伺服驱动 单相半控晶闸管模块，电路类型：MFQ、TFQ；电压电流范围：40-100A/1200-1600V；加工工艺：普通工艺、玻璃钝化工艺GPP；连接方式：焊接式；应用范围：变频器、伺服驱动、UPS等。

公司集成电路产品业务布局在功率链（电源管理、功率器件、电机驱动业务）和信号链（数据转换器、电力专用芯片、物联网前端、非挥发存储器、标准信号产品业务），主要目标市场为汽车电子、工控、光伏、储能、能效监测、 Of IOT），用电感知系统级芯片(Power Sensor SoC)电源管理线性稳压器（南京微盟），DC-DC（南京微盟），锂电池管理（南京微盟），电压检测（南京微盟），AC-DC（南京微盟），LED驱动 双极型低压差线性稳压器(Bipolar Type LDO Linear Regulator)，锂电池充电芯片(Li-ion Battery Charger)，精密限流负载开关(Load Switch)，三端稳压器 (LCD Display Driver)，电力线载波通信调制解调芯片(Power Line Communication Modem IC)，单相计量芯片（锐能微），三相计量芯片（锐能微），单相SOC芯片 （锐能微），三相Soc芯片（锐能微），MCU芯片（锐能微）电机驱动马达驱动(DC Motor Driver)，半桥驱动，MOS驱动，磁保持继电器驱动(Relay Driver)，达林顿(Darlington

MCU接受高压电池的高压能量，依据整车控制的扭矩需求指令，把高压直流信号转化为三相交变电流信号输出给电机执行器。 同时该方案，兼容单相/三相输入，基于车规级碳化硅器件和符合ASILD多核主控芯片及电源管理芯片，单颗主控芯片完成电力电子单元（OBC+DC/DC）实时控制、系统通信、安全监测等功能，简化了系统设计，通过全数字控制及三层功能安全架构监控设计 SiC功率模块M1系列(塑封半桥)M1模块可进一步提升新能源汽车主驱逆变器的功率密度，其专为宽禁带器件（如SiC Mosfet）在主驱逆变器应用而设计，是面向未来的新能源汽车所需要的功率模块解决方案，可以满足逆变器 SiC功率模块H1系列(灌封三相全桥)H1模块专为提升新能源汽车主驱逆变器转换效率而设计，具有功率密度高、散热优良、可靠性高等特点。 单通道低边驱动器9401AE9401 是单通道输出栅极驱动器，是NPN 和 PNP 分立驱动器的更佳替代方案。

致力于研发与生产中高电压第三代宽禁带半导体功率器件及功率模块，做对社会发展有价值，产业兴盛有责任的实体企业！ 全碳化硅功率模块汽车级全碳化硅功率模块是为新能源汽车主逆变器应用需求推出的系列功率模块产品，包括半桥MOSFET模块、三相全桥MOSFET模块、塑封单面散热半桥MOSFET模块等，采用银烧结技术等最新的全碳化硅 包括在设计阶段要遵循的国际上对于电子电器产品的安全可靠标准ISO26262，在流片和封装阶段要遵循的AEC-Q001、AEC-Q004以及TS16949，不单适用于封装供应商，也对流片产业有同样的要求；在认证测试阶段要遵循AEC-Q100\Q104相关规范 风力/光伏发电碳化硅功率器件针对光伏逆变器、不间断电源设备以及风能电机驱动器等大功率模组件的应用进行设计，以达到更小尺寸、更低物料成本以及更高的效率。 碳化硅二极管、碳化硅三极管