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Wafer China 唐晶量子公司拥有国际一流的MOCVD外延工艺经验技术团队，已攻克外延片生长关键技术难题，其重要参数已达或优于国际先进水平。唐晶量子是国内极少数具有GaAs和InP化合物半导体外延片量产能力的代工平台。 主要产品砷化镓 VCSEL高速率砷化镓VCSEL产品应用描述10G和25G VCSEL数据通信产品是一种高速、高效、低功耗、可靠性高的光电子元件，广泛应用于数据通信领域。 砷化镓 EEL/PD产品应用描述砷化镓边发射激光器(EEL) 和光电二极管（PD）是一种基于砷化镓（砷化镓）半导体材料的光电子元件。 砷化镓 EEL是通过在砷化镓材料中注入电流来激发电子从价带跃迁到导带，发出光子。可应用于光通信、光纤传感、光磁记录等领域。砷化镓光电二极管（PD）是一种基于PN结的光探测器。 砷化镓 HBT产品应用描述砷化镓 HBT（Heterojunction Bipolar Transistor）是一种异质结双极晶体管，该结构具有高电子迁移率和较低的基本收缩效应，砷化镓 HBT主要应用于高速放大器
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Advanced-Microsemi 新微半导体解决方案业务领域概述作为先进的集成电路化合物晶圆代工企业，新微半导体拥有一流的工艺制程和特色解决方案，为广大客户提供3/4/6吋基于氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAs）与磷化铟（InP）材料的一站式化合物半导体晶圆代工服务 公司具备6吋非金工艺的晶圆代工能力，为客户提供低本高效的氮化镓功率器件代工服务，产品广泛应用于消费电子、数据中心、汽车电子和光伏等领域。 应用场景电子消费、工业电源、新能源汽车、光伏光电解决方案在光电领域，新微半导体提供基于3/4吋磷化铟（InP）与4/6吋砷化镓（GaAs）材料的全系列光电工艺解决方案，为广大客户提供覆盖各波段的边发射激光器 光电探测器(PD)工艺平台新微半导体提供基于3/4吋磷化铟（InP）和4吋砷化镓（GaAs）材料体系的PD艺平台，包含可实现光敏面直径至3000μm大尺寸MPD和10G/25G高速光通信PD/APD两大工艺平台 垂直腔面发射激光器（VCSEL）工艺平台新微半导体提供4/6吋砷化镓（GaAs）材料体系的VCSEL工艺平台，包含高速10G/25G/50G PAM4 850nm VCSEL和高功率陈列VCSEL两大类型
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深圳阿珂法我们致力于半导体晶体砷化镓（GaAs）光纤温度传感器、荧光光纤温度传感器、光电检测产品的研发、生产、应用与技术服务。 由中国自主研发、具有完全知识产权的光纤传感、光电检测设备核心技术，与欧洲精密制造工艺相结合，让我们的产品达到世界领先水平。
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苏州长瑞光电苏州长瑞光电有限公司 成立于2008年04月28日，原公司主营业务包括光收发模块组装，工艺生产内容主要为二极管、集成电路等部件和PCB板的SMT业务。 目前研发并应用在包括25Gb/s-NRZ和50Gb/s-PAM4在内的850nm砷化镓基高速多模VCSEL芯片产品。
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PeregrineUltraCMOS 技术既能实现传统专业工艺的高水平性能，又拥有 CMOS 的基本优势——使用最广泛的半导体工艺技术标准。 Peregrine 利用 UltraCMOS 10 技术推出首款达到砷化镓 (GaAs) 性能的功率放大器，作为其针对移动设备市场的 Global 1 全集成、可配置射频前端的一个部件。
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沈阳和研科技公司主营HG系列晶圆研磨机、DS系列精密划片机、JS系列全自动切割分选一体机及其它半导体专用设备我们专注于硅片、玻璃、陶瓷、砷化镓、铌酸锂，金属等硬脆材料的精密切割加工。 成立以来，公司一直秉承着“不断开拓，勇于创新”的理念，依托于先进的产品技术及丰富的行业经验，不断为客户提供合理、实用、高效的产品解决方案，我们以专业的、完美的售后服务体系一直为您解决工艺中的技术难题；客户的需求是公司发展的强劲动力
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FISO Technologies公司的目标服务市场包括医疗行业、工艺控制、能源和科研实验室。光纤传感器和探头均由经验丰富的工程师和科学家按照客户需求而设计。我们了解，客户的工作环境富有挑战，亟需具备尖端技术的产品。 箱体本身采用模块化，研究人员可以根据时间和预算，添加FPI-LS模块，从而增加更多通道。所供应的箱体包含2个、5个或8个模块。模块在光纤测量系统中，“信号调节”模块具备光源和接收器双重作用。 砷化镓检测技术原理该测量原理利用了砷化镓材质 对白光的透射和吸收 特性。温度 特性。 温度 与砷化镓半导体晶反射光谱 的 关系十分易于测量，随着温度的，随着温度的 变化，砷化镓晶体的透，砷化镓晶体的透 射光谱不断 射光谱不断 变化。
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Lumi Laser 镭明激光激光开槽设备、激光隐形切割设备、晶圆裂片设备、TSV钻孔设备、stip 打标设备、多功能倒膜设备、晶圆贴膜设备、固晶设备、UV 解胶设备、IC 卷盘包装设备等公司拥有一支包括机械、电气、软件、光学、控制与工艺等相关专业的优秀技术队伍 激光开槽应用于高速逻辑元器件绝缘膜的Low-膜，因其机械强度低，若使用普通的刀片进行切割加工，会发生Low-《膜剥落的风险，这种通过激光去除Low-K膜以及相应配线层的加工，就是激光开槽工艺。 激光全切切割GaAs(砷化镓)等化合物半导体用切割时，进给速度慢，难以获得高生产率，高频器件。
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OEIC 光电子先导院创新性地提出并打造了“公共平台+专项基金+专业服务”的光电子芯片创新服务生态，持续破解光子产业创新主体在初始阶段“建不起产线、产品无法验证、产能无话语权、市场风险高”四大痛点，打通光子产业科技成果转化的市场化断点和产业化堵点 光电子先导院已经建成了光子芯片公共服务平台和先进光子器件工程创新平台，现拥有完整的工艺技术团队（超百人），拥有先进的化合物芯片关键设备100余台(套)，拥有百级到十万级洁净厂房8000㎡，具备砷化镓（GaAs 11月，发布VCSEL单结单孔及单结阵列PDK202203月6寸晶圆点亮04月先进光子器件工程创新平台主体封顶09月VCSEL三结快测流程成功激射202110月先进光子器件工程创新平台立项、VCSEL工艺平台建设完成技术服务流程标准化确定 研发定制晶圆代工单步工艺代工光刻工艺接触式光刻最小图形尺寸：1μm，套刻精度：±0.5μm步进式光刻最小图形尺寸：0.5μm，套刻精度：±0.1μm金属薄膜工艺、介质薄膜工艺、蚀刻工艺、化学工艺、减薄工艺 、激光划片成套工艺代工VCSEL器件工艺、GaAs功率器件工艺定制工艺代工我们可根据您的工艺具体需求，进行定制化的代工，请填写下面的信息，我们会尽快与您取得联系。
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VITAL 先导科技业务布局先导科技集团实践垂直⼀体化发展战略，聚焦快速发展的⾼科技产业，在稀散⾦属、先进材料和资源回收业务的基础上，重点布局下游器件、模组、系统等领域，产品应⽤于半导体、微电⼦、5G、光通讯、光伏、LED 2024年5月，山东德州天衢新区与广东先导稀材股份有限公司签订总投资50亿元的半导体激光雷达及传感器件产业化项目投资协议。 行业地位全球稀散⾦属市场的重要⽣产企业，是⾸个实现国产化⼤尺⼨ITO旋转靶的供应商（G11），全球三⼤红外材料供应商之⼀，化合物半导体衬底产品的核⼼供应商，也是全球知名太阳能⽣产商的战略合作伙伴，持续为全球客 高附加值材料产品将高纯度化合物，通过多种工艺加工成为高附加值的新材料产品，这些产品可以应用于航空航天、光伏产业、半导体等领域，具备广泛的市场潜力和应用前景。 主要产品上游碲Te，铟In，镓Ga，锗Ge，硒Se，铋Bi，砷As，镉Cd，锡Sn，铝Al，钴Co，镍Ni，锂Li，铍Be，锑Sb，银Ag，金Au，钯Pd，铂Pt，铑Rh，钌Ru，铱lr，铅Pb，镥Lu
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卓胜微入局！GCS化合物半导体项目前景可期2020-06-11
