本项目计划投资33.87亿元，建设1.5万片/月的砷化镓射频代工线。 项目规划用地面积59.3亩，建筑面积73,978平方米，已于2024年1月全面封顶，2024年7月洁净室建成及设备机台进场，11月产出第一片高功率高效能砷化镓射频6寸晶圆，预计于2025年上半年进入大规模量产阶段 公司专注于射频化合物半导体晶圆代工业务，面向手机、WiFi路由器、基站、卫星通讯、雷达应用等高、中、低频射频应用终端市场，涵括物联网、车联网、移动穿戴装置、光通讯、光传感装置等应用场景，皆为未来主流的新兴产业 珠海华芯微电子汇聚了专业团队，致力于解决射频晶圆代工卡脖子的问题，期许在未来几年内推出高品质、高良率的制程技术，全力协助国内企业实现百分之百国产化制造。 2023年07月05日 华芯半导体砷化镓总部研产基地项目打桩动工。2024年01月15日 华芯半导体砷化镓总部研产基地项目厂房已实现全面封顶。

作为先进的化合物半导体晶圆代工企业，新微半导体拥有一流的工艺制程和特色解决方案，专注于为功率和光电两大应用领域的客户提供多元化的晶圆代工及配套服务，生产的芯片可广泛应用于通信、新能源、消费电子、汽车、工业和生物医疗等终端应用领域 解决方案业务领域概述作为先进的集成电路化合物晶圆代工企业，新微半导体拥有一流的工艺制程和特色解决方案，为广大客户提供3/4/6吋基于氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAs）与磷化铟（InP）材料的一站式化合物半导体晶圆代工服务 公司具备6吋非金工艺的晶圆代工能力，为客户提供低本高效的氮化镓功率器件代工服务，产品广泛应用于消费电子、数据中心、汽车电子和光伏等领域。 应用场景电子消费、工业电源、新能源汽车、光伏光电解决方案在光电领域，新微半导体提供基于3/4吋磷化铟（InP）与4/6吋砷化镓（GaAs）材料的全系列光电工艺解决方案，为广大客户提供覆盖各波段的边发射激光器 垂直腔面发射激光器（VCSEL）工艺平台新微半导体提供4/6吋砷化镓（GaAs）材料体系的VCSEL工艺平台，包含高速10G/25G/50G PAM4 850nm VCSEL和高功率陈列VCSEL两大类型

光电子先导院已经建成了光子芯片公共服务平台和先进光子器件工程创新平台，现拥有完整的工艺技术团队（超百人），拥有先进的化合物芯片关键设备100余台(套)，拥有百级到十万级洁净厂房8000㎡，具备砷化镓（GaAs 品质控制与保证系统1、技术研发过程中的质量策划，充分落实各阶段的技术评审，及控制关键质量特性的设计2、完善的供应商和原物料认证、评价、退出机制3、对原物料采购和晶圆出货实行严格地品质控制（IQC & OQC 可靠性设计、管理和失效分析能力8、客户投诉的快速响应，确保客退品处置、分析及问题回溯的时效9、以客户满意与卓越绩效为目标的持续改进（Kaizen、QCC、6 Sigma）应用场景化合物、硅光、异质异构集成晶圆代工解决方案设计支援共同研发共同研发机制 研发定制晶圆代工单步工艺代工光刻工艺接触式光刻最小图形尺寸：1μm，套刻精度：±0.5μm步进式光刻最小图形尺寸：0.5μm，套刻精度：±0.1μm金属薄膜工艺、介质薄膜工艺、蚀刻工艺、化学工艺、减薄工艺 、激光划片成套工艺代工VCSEL器件工艺、GaAs功率器件工艺定制工艺代工我们可根据您的工艺具体需求，进行定制化的代工，请填写下面的信息，我们会尽快与您取得联系。