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NOYUSEM 蓉矽半导体成立于2019年，是致力于第三代宽禁带半导体碳化硅（SiC）功率器件设计与开发的高新技术企业。 蓉矽拥有一支掌握碳化硅核心技术的国际化团队，整合台湾与欧洲先进碳化硅制造工艺平台，结合大陆封测和应用解决方案，建立了材料、外延、晶圆制造与封装测试均符合IATF 16949质量管理标准的完整供应链，独立自主开发世界一流水平的车规级碳化硅器件 蓉矽碳化硅产品分为高性价比的“NovuSiC®”和高可靠性的“DuraSiC®”系列。 产品涵盖碳化硅EJBS™ (Enhanced Junction Barrier Schottky)二极管与碳化硅MOSFET；硅基产品有175˚C高结温的理想二极管MCR®（MOS-Controlled MOSFET通过AEC-Q101车规级考核和HV-H3TRB加严可靠性验证2023年《2023 碳化硅(Sic)产业调研白皮书》正式发布；蓉矽半导体参编《2023 碳化硅(SiC)产业调研白皮书》，助力产业加速发展创新四川省专精特新中小企业认定
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GTA 积塔半导体积塔在中国（上海）自由贸易试验区临港新片区和徐汇区建有两个厂区，已建和在建产能共计30万片/月（折合8吋计算），其中６吋7万片/月、８吋11万片/月、12吋5万片/月、碳化硅3万片/月，为汽车电子、工业控制和高端消费电子领域提供微控制器 已建成具有自主知识产权的电源管理芯片（PMIC）、控制器（Controller）、功率器件（IGBT、SGT、FRD、TVS等）、碳化硅器件（JBS、MOSFET）、微机电系统（MEMS）等特色工艺平台 积塔是国内较早具备碳化硅（SiC）功率器件制造能力的企业，工艺技术平台覆盖JBS和MOSFET等，已建成自主知识产权的车规级650V/750V/1200V碳化硅JBS工艺平台、650V/750V/1200V 碳化硅MOSFET工艺平台。
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华燊泰科技通过稳定可靠的供应链深度合作实现定制化兼备降本增效的生产能力。 、氮化镓应用领域碳化硅氮化镓 (GaN) 可为便携式产品提供更小、更轻、更高效的桌面 AC-DC 电源。 碳化硅1200V MOSFET平台，持续支持电动汽车向800V高压平台的转型。 而驾驭清洁能源则需要更精尖的技术和更高的可靠性，华燊泰科技的碳化硅功率器件，就是为了这样的需求而制造的。 华燊泰科技的碳化硅 MOSFET 和二极管可减少能源损耗，缩减系统尺寸，并且提供更高的功率密度。
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YASC 长飞先进安徽长飞先进半导体股份有限公司 是一家专注于碳化硅（SiC）功率半导体产品研发及制造的企业，具备从外延生长、器件与模块设计、晶圆制造到模块封测的全产业链能力。 产品与服务拥有国内一流的6英寸产线设备和先进的配套系统自研产品以碳化硅为代表的第三代半导体材料，具有电子饱和速率高、禁带宽度大、击穿场强高、热导率高等特点。 与第一代硅器件相比，碳化硅器件具有开关损耗小、工作结温高、导热能力强等优势。 因此，采用碳化硅器件的电力电子变换器，可以显著提高工作开关频率，减小储能、滤波器和散热器的体积，实现更高的系统效率和功率密度。 长飞先进拥有完备的碳化硅系列产品，包括分立式SiC肖特基二极管（SBD）、分立式SiC MOSFET、SiC 功率模块、SiC MOSFET裸芯片、SiC 肖特基二极管裸芯片，能涵盖电动汽车，工业电源、
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San'an 三安光电20+年化合物半导体行业经验，1000+家客户肯定，2000+万片外延片年产能。应用领域照明产品应用涵盖家居照明，专业照明、景观照明，植物照明，智慧照明等领域，为您打造高效、节能、舒适的健康光环境。 可持续能源提供更快、更小、更轻、更高效和性能更高的宽带碳化硅功率半导体，源源不断地转化更加清洁高效的能源。 你看到的是灯光与线条，我眼中执念的是探索与远方顺应自动驾驶、智能驾驶车舱、智能交互等新技术的趋势，三安持续专注于智能化车灯技术和产品的研发，稳步推进车灯智能化，释放新产能。 三安发布的碳化硅MOSFET量产平台，持续支持电动汽车从硅基IGBT向碳化硅MOSFET架构的转型。 使用碳化硅MOSFET的动力系统更小、更轻、更高效，可以减少车辆近80%的功率损耗，行驶距离延长10%，缓解车主的“续航焦虑”。即刻出发，你，准备好了吗？
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OSEN 欧颂电子公司目前主要生产功放音响配对管、开关晶体管、整流肖特基二极管及场效应管，年生产能力已突破5亿支,产品的质量严格控制在国际标准的99.9%以上,我们正朝着零不良率目标努力。 功放对管”在现场举行了发布会，正式打开国内市场；2018年，成功引入TO-251 SOT-252生产线并实现批量生产；2019年，成功引进DNF3*3,DNF5*6生产线，并实现批量生产，同时对新材料碳化硅二极管跟氮化镓 MOS管的芯片技术投入研究；2020年，年产量突破两亿只，碳化硅二极管开始小批量生产；2021年，氮化镓MOS管面世；2022年，获取SGS-ROHS,REACH等认证证书；2023年，实现12寸晶圆片自主研发流片
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ESWIN 奕斯伟科技目前在西安高新区已拥有两座工厂，满产后月产能将突破百万片。 奕斯伟材料在硅片技术、制造工艺等领域掌握数百项核心技术专利，拥有成熟量产能力，具备无缺陷晶体生长、高品质外延生长、硅片加工等自主关键技术，产品已达到国际领先水平，致力于为更多海内外客户提供卓越品质的12 可满足芯片及系统芯片组的封装及测试；专业IC封测领域项目包括显示驱动芯片、电源管理芯片、射频前端芯片等产品的先进封装测试，及用于薄膜覆晶封装的COF卷带材料；装备与耗材领域项目包含晶体生长、研磨抛光、工艺量测、芯片测试验证设备、硅与碳化硅部件和抛光液
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SOARING 索英电气模组测试GBBT-200/600GBBT模组测试系统采用业内领先的高频碳化硅技术，具备体积小、重量轻、响应快、效率高的特点。 该产品应用碳化硅开关器件，使得导通电阻、开关损耗大幅下降。其宽泛的高温工作特性，大大增强了高温稳定性，可广泛应用于电池实验室、测试机构、科研院所以及产线检测等。 该产品应用碳化硅开关器件，使得导通电阻、开关损耗大幅下降。其宽泛的高温工作特性，大大增强了高温稳定性，可广泛应用于电池实验室、测试机构、科研院所以及产线检测等。 该产品应用碳化硅开关器件，使得导通电阻、开关损耗大幅下降。其宽泛的高温工作特性，大大增强了高温稳定性，可广泛应用于电池实验室、测试机构、科研院所以及产线检测等。 该产品应用碳化硅开关器件，使得导通电阻、开关损耗大幅下降。其宽泛的高温工作特性，大大增强了高温稳定性，可广泛应用于电池实验室、测试机构、科研院所以及产线检测等。
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HT 金誉半导体为员工创造美好未来发展历程自2011年成立以来，金誉半导体在日新月异的科技发展中不断探索，稳中求进，在挑战中不断成长，终于成为了推进半导体行业发展的有力一员2011年 金誉半导体正式成立2012年 每月产能达 再次成为跻身广东省制造业500强2022年 荣获国家“专精特新”小巨人2023年 创新成就榜2023年 东莞分公司建成2023年 再次名列广东省制造业企业500强荣誉资质主要产品功率器件、分立器件、集成电路、碳化硅
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JJM 捷捷微电捷捷半导体有限公司共计划投建四条生产线及三条新产品研发线，一个产品性能检测和试验站，可形成年产90万片半导体分立器件芯片及11.48亿只半导体分立器件生产能力。 用于公司生产各类半导体防护器件芯片76,600万只，自封装半导体防护器件7.2亿只；三条新产品研发试验线和一个产品性能检测和试验站，包括超快恢复功率二极管研发试验线、功率MOSFET、IGBT研发试验线、碳化硅器件研发试验线
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环球晶圆：市场复苏速度慢于预期，第2、3季营运有压力2023-06-25
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“半导体复苏不如预期”2023-06-23
