-
HMT 恒迈瑞材料的选型及应用；COF IC柔性封装基板(COF Film) 的设计、开模定制、封测；化合物半导体材料：4H-N型/4H-SI型SiC Ingots晶棒，SiC晶圆切割片，SiC双抛衬底片，碳化硅同质外延片 ；氮化镓GaN衬底片Free-Standing Substrate/ Gan-On-SAP Template, 各类GaN Epitaxy Wafer 外延片 GaN-On-SiC/GaN-On-Si/ GaN-On -SAP 的定制及应用。
-
Runxin 润新微电子公司采用整合设计与制造(IDM)的商业模式，主要从事硅基氮化镓外延材料及电子元器件的研发、设计、生产和销售，产品主要应用于三电：电源、电机、电池，覆盖电源管理、太阳能逆变器、新能源汽车及高端电机驱动等科技产业 润新微电子致力于推动我国第三代半导体产业发展，通过技术创新为业界带来高性能、高可靠性的硅基氮化镓外延材料与器件产品以及应用解决方案，助力5G通讯、新能源汽车、高端装备等战略产业飞速发展。 3月：通过1000小时HTRB测试；1月：ISO9001认证2018 12月：第二代650V器件出样；11月：国家级高新技术企业2017 12月：第一代650V器件出样；9月：二期器件厂房改建；4月：外延材料投产 2016 11月：首台MOCVD设备安装调试；4月：一期外延厂房改建；3月：公司成立主要产品氮化镓 (GaN) 外延片氮化镓 (GaN) 外延片控制生长条件实现优异的二维电子气利用特有的缓冲层生长技术实现高击穿电压和极低漏电流原位氮化硅沉积提供了优良的动态性能 ，更好的温度控制更高的效率，更低的能耗抗辐照等特殊应用氮化镓 (GaN) 功率器件氮化镓 (GaN) 功率器件润新微电子提供具有更高性价比、稳定可靠的氮化镓产品，致力于推动电能转换革命！
-
Cor Energy 能华微电子江苏能华微电子科技发展有限公司 于2010年成立，是一家专注于第三代半导体GaN的高新技术企业，核心团队汇聚了从外延到器件设计、制造工艺，封装和测试到应用模块等各个环节的科技创新型高级专家，是全球为数不多同时掌握增强型 GaN技术、耗尽型GaN技术以及耗尽型GaN直驱方案的半导体公司，自成立至今已获得专利100多项。 能华半导体采用IDM全产业链模式，致力于硅基GaN（GaN-on-Si),蓝宝石基GaN（GaN-on-Sapphire), 碳化硅基GaN（GaN-on-SiC) 晶圆与器件的研发、设计、制造与销售 2018年：6寸/8寸GaN功率器件通线2020年：D Mode GaN功率器件实现量产，获得车规级认证 IATF169492021年：E Mode GaN功率器件实现量产，D Mode GaN直驱方案功率器件工业级布局 荣誉资质主要产品外延产品 8寸硅基外延片、6寸硅基外延片、碳化硅基外延片、蓝宝石基外延片功率器件 DFN5*6、DFN8*8、TO220、TO220F、TO252代加工平台光刻、刻蚀、TSV、PECVD
-
SMEI 赛微电子北京赛微电子股份有限公司以半导体业务为核心，面向物联网与人工智能时代，一方面重点发展MEMS工艺开发与晶圆制造业务，一方面积极布局GaN材料与器件业务，致力于成为国际化知名半导体科技企业集团。 公司目前的主要产品及业务包括MEMS芯片的工艺开发及晶圆制造、GaN外延材料生长与器件设计，下游应用领域包括通信、生物医疗、工业科学、消费电子等。 已运营MEMS产线：瑞典FAB1&2-MEMS芯片-8英寸晶圆-产能7,000片/月；北京FAB3-MEMS芯片-8英寸晶圆-设计总产能3万片/月(已实现5,000片/月)；青岛GaN产线-GaN 外延晶圆-产能830片/月。
-
Ganhonor 镓宏半导体 （原金沙江半导体）.）, (原 GSR Semiconductor 徐州金沙江半导体有限公司)成立于2021年，项目发起人为氮化镓领域(GaN HEMT、氮化镓HEMT等GaN 功率晶体管器件，以及氮化镓外延片、氮化镓应用技术 主要产品芯片产品 HEMT功率器件外延片产品应用场景PD快充电源，车载OBC电源，IDC 服务器电源，光伏逆变器，车载逆变器，电动自行车充电器，移动储能模块，低速电动车辆充电器，V2G 双向充电桩模块
-
中科半导体微纳制造技术研究院研究院面向重大科研任务实施及区域产业发展需求，建设针对大尺寸材料外延、光电子器件、功率器件、射频器件、传感器件、生物芯片等领域的8吋硅基MEMS和化合物半导体芯片加工中试平台，开展GaN外延材料生长、芯片加工
-
Innoscience 英诺赛科英诺赛科（珠海）科技有限公司 是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓外延及器件研发与制造的高新技术企业，采用IDM（Integrated Device Manufacture）全产业链模式，建立了全球首条产能最大的 8英寸 GaN-on-Si 晶圆量产线。 公司核心技术团队由众多资深的国际一流半导体专家组成，我们相信GaN可以改变世界，我们的目标是以更低的价格，向客户提供品质一流、可靠性优异的GaN器件，并且实现GaN技术在市场的广泛应用。 英诺赛科（Innoscience）创立于2015年12月17日，旨在打造全球最大的采用全产业链模式，集设计、研发、生产和销售为一体氮化镓（GaN ）的生产基地。 产品类别GaN MOSFET , Transistor产品应用车用电子 , 工业电子 , 消费电子
-
洪启集成电路NBD) 二次离子质谱仪(SIMS)聚焦离子束(FIB)可靠性测试晶圆级工艺可靠性、封装级工艺可靠性、产品可靠性优势技术SIMS元素分析D-SIMS是目前拥有最优检测极限，且唯一定量的成分检测方法，对GaN 外延片进行掺杂元素分析时D-SIMS的检测是刚需开发出用于GaN的D-SIMS测试方法SCM扫描电容分析SCM，即扫面电容显微镜，是可以确认芯片微小区域参杂形状及参杂情况的最新技术开发出针对摄像头芯片的
-
LEKIN 立琻半导体公司在GaN、GaAs等光电化合物半导体的外延、芯片、封装、模组、应用等全产业链拥有完备的知识产权，专利覆盖美国、欧洲、日韩及中国、台湾等国家和地区，不仅能大力推动我国光电化合物半导体产业的自主可控发展
-
Aootin 紫芯半导体作为市场为数不多的量产AlGaN-MOCVD设备和深紫外LED、深紫外LED芯片、UV紫外固化灯珠,UVA LED紫外线传感器、UV254、UVC LED、UVB LED、DUV LED、外延片、UVC 外延片芯片、UVB外延片芯片、紫外光源、消毒光源、紫外消毒、的专业公司，使用高端GaN-MOCVD专用设备制造深紫外LED产品。 主要产品UVC.B.A外延片，UVC.B.A芯片，UVC.B.A LED封装，深紫外UVC-LED模组，UV254nm光源，UV340nm光源，UVA-365nm/385nm/395nm/405nm UVC.B.A
-
上海芯元基新型GaN生长衬底助力LED芯片发展2020-05-19
