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EPIHOUSE 全磊光电全磊光电股份有限公司 成立于2016年，总部位于美丽的海滨城市厦门，专注化合物半导体外延片材料的研发、生产和销售，主要为光电子和微电子行业客户提供光通信、数据中心、智能传感等应用的高品质外延片，包含InP 应用3D人脸识别、5G基站、工业机器人、光纤到户、数据中心、无人机、无人驾驶激光雷达数据中心外延片InP基外延片全磊光电数据中心外延片主要基于InP衬底和GaAs衬底外延生长。 基于InP衬底生长的外延片主要为边发射DFB/EML激光器和硅光外延片，速率超过25Gb/s,波长为1270nm、1310nm、1330nm等，满足100G/400G/800G光模块传输的要求。 GaAs基外延片全磊光电数据中心外延片主要基于InP衬底和GaAs衬底外延生长。 工业/传感外延片产品说明 全磊光电工业/传感外延片主要包括GaAs基905/940nm VCSEL激光器与650-980nm FP激光器。
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ESWIN 奕斯伟材料西安奕斯伟材料科技股份有限公司（简称“奕斯伟材料”）是一家12英寸电子级硅片产品及服务提供商，主要从事12英寸硅单晶抛光片和外延片的研发、制造与销售。 外延技术奕斯伟材料分析研究影响外延膜品质的核心部件，通过对核心部件的自主设计与去金属化优化，结合对外延炉气流调控方式的改善，不断提升外延片的几何形貌、金属水平和表面颗粒。 外延外延工序是以抛光片作为衬底，采用化学气相沉积法（CVD），在硅片表面沉积一层单晶外延层的过程。该工艺采用先进的CVD设备，能够有效控制外延层的电阻率、厚度均匀性、表面品质与边缘形貌。 外延片外延片是在抛光片基础上，通过化学气相沉积方法在硅片表面生长一层外延硅单晶薄膜的硅片产品。外延片能实现不同于抛光片的优良近表面特性，满足不同客户对硅片的定制化需求。 根据抛光片衬底中掺杂剂浓度的不同，外延片可分为P/P-、P/P+和N/N++等类型。
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华兴激光江苏华兴激光科技有限公司 成立于2016年2月，是一家专注于化合物半导体光电子外延片研发和制造的高新技术企业，主要基于先进半导体技术制备以磷化铟（InP）、砷化镓（GaAs）为基底的不同结构和功能的光电子外延片 公司拥有多条砷化镓、磷化铟外延片生产线，包括材料外延生长、微纳结构加工和分析检测等环节。公司技术团队通过长期自主研发和迭代，掌握化合物半导体光电子芯片材料核心技术，已累计获得授权专利50余项。
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HC Semitek 华灿光电LED外延片LED外延片生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和SiC、Si)上，将气态物质有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。 目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。LED外延片衬底材料是半导体照明产业技术发展的基石。 不同的衬底材料，需要不同的LED外延片生长技术、芯片加工技术和器件封装技术，衬底材料决定了半导体照明技术的发展路线。 蓝宝石衬底片对蓝宝石晶体毛坯按特定要求加工制作的基片，可以用金属氧化物化学气相沉积（MOCVD）等技术在基片上外延生长一层单晶薄膜，进一步制作各种元器件。
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Changelight 乾照光电厦门乾照光电股份有限公司（股票代码：300102）成立于2006年，是国内领先的全色系超高亮度发光二极管外延片及芯片生产厂商，总部坐落于美丽的厦门。 乾照光电主要从事全色系超高亮度LED外延片、芯片、Mini-LED/Micro-LED等化合物半导体器件的研发、生产与销售，产品性能指标居国际先进水平。 目前公司拥有超过19万平方米的现代化洁净厂房，上万台（套）国际最先进的外延生长和芯片制造等设备。依靠具备丰富光电技术积累及产业化经验的专家团队研发出拥有自主知识产权的外延片、芯片，并将其迅速产业化。 公司是专业从事超高亮度红黄光LED外延片、芯片等光电子产品的研发、生产和销售的企业。 主要产品 LED芯片系列LED外延片应用产品系列应用领域广泛应用于照明、数码、点阵、显示屏、背光源
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HMT 恒迈瑞材料封装驱动芯片(Driver IC) 的选型及应用；COF IC柔性封装基板(COF Film) 的设计、开模定制、封测；化合物半导体材料：4H-N型/4H-SI型SiC Ingots晶棒，SiC晶圆切割片， SiC双抛衬底片，碳化硅同质外延片；氮化镓GaN衬底片Free-Standing Substrate/ Gan-On-SAP Template, 各类GaN Epitaxy Wafer 外延片 GaN-On-SiC
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Wafer China 唐晶量子西安唐晶量子科技有限公司 位于西安市高新技术产业开发区，专注于采用金属有机化学气相沉积设备(MOCVD)进行以砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)为衬底的III-V族化合物半导体外延片研发与生产，提供专业的外延生长定制服务 公司拥有国际一流的MOCVD外延工艺经验技术团队，已攻克外延片生长关键技术难题，其重要参数已达或优于国际先进水平。唐晶量子是国内极少数具有GaAs和InP化合物半导体外延片量产能力的代工平台。 唐晶量子新生产基地项目位于西安高新区丝路科学城规划核心区，拟建设多条砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)化合物半导体外延片研发和生产产线，预计建成后外延片年产量超十万片。 该项目的建成将进一步强化公司在半导体激光器、光电探测器及HBT射频外延片的产业化优势，促进半导体行业及新材料产业技术水平的提升和产业集聚，推动国内数字化和智能化建设，助力“中国芯”扬帆起航。
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IQEIQE 对于技术增长市场至关重要，因为它是唯一一家业务遍及全球且具备大规模制造能力的化合物半导体外延代工厂。我们的愿景IQE的愿景是成为全球最好的先进半导体材料解决方案公司。
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Litecore 中科光芯公司高度垂直整合（IDM模式），拥有完整的外延生长、芯片微纳加工及器件封装产业线。 现有产品包括外延片、芯片（FP、DFB、EML、PD）、TO器件、蝶形器件、OSA器件、iTLA、SOA、SLD、高功率窄线宽激光器等，尤其值得一提的是，公司L band SOA已经大批量发货，高功率SLD 主要产品外延片、芯片（FP、DFB、EML、PD）、TO器件、蝶形器件、OSA器件、iTLA、SOA、SLD、高功率窄线宽激光器等应用领域光通信、医疗、激光治疗、医学成像、航空航天、卫星通信等
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Cor Energy 能华微电子江苏能华微电子科技发展有限公司 于2010年成立，是一家专注于第三代半导体GaN的高新技术企业，核心团队汇聚了从外延到器件设计、制造工艺，封装和测试到应用模块等各个环节的科技创新型高级专家，是全球为数不多同时掌握增强型 荣誉资质主要产品外延产品 8寸硅基外延片、6寸硅基外延片、碳化硅基外延片、蓝宝石基外延片功率器件 DFN5*6、DFN8*8、TO220、TO220F、TO252代加工平台光刻、刻蚀、TSV、PECVD
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IQE 宣布与 Lumentum 达成长期战略供应协议2022-06-29
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中欣晶圆40亿项目正式封顶2022-05-09
