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知芯外延陕西知芯外延半导体有限公司 2022年在秦创原平台支持下成立，基于西安电子科技大学微电子学院的研发团队，企业研究的硅基四族外延晶圆打破了国外的设备、技术封锁，解决了我国的“卡脖子”技术，带动了我国高端光电探测器 陕西知芯外延半导体有限公司，主要研究具有硅基四族外延晶圆，在不同掺杂、厚度、纳米结构等参数下的成熟生长工艺，同时团队还研发出了基于硅锗外延晶圆的红外探测器芯片。 目前企业生产的外延晶圆以硅基四族材料为主，包括硅基锗、硅基硅锗，硅基锗锡等，可应用于红外探测器、激光雷达、光通讯、三四族材料硅基衬底等各个领域。 基于硅锗外延片的硅锗短波红外探测器，作为一种全新的短波探测器技术路径，其高集成度、低成本的优势，将能够成为代替传统材料实现短波红外大规模、各领域应用。 在世界各国争相发展短波红外探测技术的当下，陕西知芯外延半导体为我国的技术突破持续发力。公司已入选陕西省光电子产业重点项目，并与多所研究院、军工单位达成合作。
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EPIHOUSE 全磊光电公司凭借自主核心技术、先进的制造设备以及完善的质量管理体系，逐步建立了稳定的客户网络，产品已广泛供应给中国、日本以及欧美国家的多个客户。 研发中心拥有先进的研发设备和器件仿真软件系统，重点面向光通信、5G、物联网、智能传感等领域开展化合物半导体材料的研究工作，并发展与国内外化合物半导体研究机构的全方位合作关系。 应用3D人脸识别、5G基站、工业机器人、光纤到户、数据中心、无人机、无人驾驶激光雷达数据中心外延片InP基外延片全磊光电数据中心外延片主要基于InP衬底和GaAs衬底外延生长。 GaAs基外延片全磊光电数据中心外延片主要基于InP衬底和GaAs衬底外延生长。 VCSEL激光器的反射镜是由外延生长的数百层两种折射率不同的材料交替堆叠而成，称为布拉格反射器（DBR），谐振腔位于外延层中间，光从外延片的表面出射，因此，VCSEL具有光斑圆、发射角小、阈值低、可阵列集成的特点
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ESWIN 奕斯伟材料奕斯伟材料在硅片技术、制造工艺等领域掌握数百项核心技术专利，拥有成熟量产能力，具备无缺陷晶体生长、高品质外延生长、硅片加工等自主关键技术，采用领先工艺及量测设备，对生产全过程进行高标准品质管控（已通过ISO 先进的专利技术和完善的质量管理体系，全力推动客户成功奕斯伟材料拥有精良的生产检测设备、全面完善的检测手段与专业的人才技术团队，确保高价值专利培育和产出。 外延技术奕斯伟材料分析研究影响外延膜品质的核心部件，通过对核心部件的自主设计与去金属化优化，结合对外延炉气流调控方式的改善，不断提升外延片的几何形貌、金属水平和表面颗粒。 外延外延工序是以抛光片作为衬底，采用化学气相沉积法（CVD），在硅片表面沉积一层单晶外延层的过程。该工艺采用先进的CVD设备，能够有效控制外延层的电阻率、厚度均匀性、表面品质与边缘形貌。 生态链开发业务致力于集成电路产业链上下游材料、部件、设备等细分领域及关键环节的项目孵化与开发。
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新顺微电子公司提供600多种规格、不同型号的产品：如VDMOS，快恢复、沟槽肖特基、平面肖特基等各类二极管，高反压双极功率晶体管，集成电阻的功率晶体管，外延晶体管，等等；种类多，系列全，规格齐，产品各项技术指标处于国内同行先进水平 产品广泛应用于能源转换、绿色照明、轨道交通、智能电网、智能家居、计算机设备、移动设备、通信、家电等，涉及电子信息产业众多领域。 功放电路汽车电子：充电桩质量有害物质检测报告肖特基二极管芯片肖特基二极管芯片(SVHC 英文)、肖特基二极管芯片(SVHC 中文)、肖特基二极管芯片(ROHS 英文)、肖特基二极管芯片(ROHS 中文)外延 NPN芯片外延NPN芯片(SVHC 英文)、外延NPN芯片(SVHC 中文)、外延NPN芯片(ROHS 英文)、外延NPN芯片(ROHS 中文)外延PNP芯片外延PNP芯片(SVHC 英文)、外延PNP 芯片(SVHC 中文)、外延PNP芯片(ROHS 英文)、外延PNP芯片(ROHS 中文)快恢复二极管芯片快恢复二极管芯片(SVHC 英文)、快恢复二极管芯片(SVHC 中文)、快恢复二极管芯片(ROHS
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上海工研院上海工研院于2017年建成全国首条8英寸研发中试线，洁净室面积近5000平方米，硬件投入超10亿元，拥有主流设备150多台，可提供智能传感器、硅基光子学、生物芯片等“超越摩尔”核心工艺技术，为产品设计公司提供高效的工艺研发和中试服务 上海工研院硅光工艺平台具备90nm高精度光刻、晶体外延、介质薄膜生长、干法及湿法刻蚀、掺杂、金属互连和在线工艺检测等成套关键工艺能力，并针对不同应用场景，实现了220nm薄硅SOI、1.5~3μm厚硅SOI
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MBE-Komponenten德国 MBE-Komponenten 分子束外延设备德国 Dr. Eberl MBE-Komponenten GmbH 公司是一家专业的从事分子束外延设备研发和制造的高科技公司。 公司经过二十多年的发展，目前已经成长为拥有30余名员工的、产品线齐全的专业分子束外延设备供应商。公司拥有超过10名各MBE研究领域的专家和博士毕业生，产品线涵盖成套MBE系统和各主要部件。
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Changelight 乾照光电厦门乾照光电股份有限公司（股票代码：300102）成立于2006年，是国内领先的全色系超高亮度发光二极管外延片及芯片生产厂商，总部坐落于美丽的厦门。 目前公司拥有超过19万平方米的现代化洁净厂房，上万台（套）国际最先进的外延生长和芯片制造等设备。依靠具备丰富光电技术积累及产业化经验的专家团队研发出拥有自主知识产权的外延片、芯片，并将其迅速产业化。 公司是专业从事超高亮度红黄光LED外延片、芯片等光电子产品的研发、生产和销售的企业。 其中一期投资25亿元人民币，建设周期10个月，2018年12月份竣工投产，实现月产80万蓝绿外延芯片。 主要产品 LED芯片系列LED外延片应用产品系列应用领域广泛应用于照明、数码、点阵、显示屏、背光源
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华兴激光江苏华兴激光科技有限公司 成立于2016年2月，是一家专注于化合物半导体光电子外延片研发和制造的高新技术企业，主要基于先进半导体技术制备以磷化铟（InP）、砷化镓（GaAs）为基底的不同结构和功能的光电子外延片 公司位于江苏省徐州市邳州市经济开发区半导体材料与设备产业园，占地30亩，建筑面积2.3万平方米，其中百级、千级、万级洁净车间5000余平方米。 公司拥有多条砷化镓、磷化铟外延片生产线，包括材料外延生长、微纳结构加工和分析检测等环节。公司技术团队通过长期自主研发和迭代，掌握化合物半导体光电子芯片材料核心技术，已累计获得授权专利50余项。
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HC Semitek 华灿光电LED外延片LED外延片生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和SiC、Si)上，将气态物质有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。 目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。LED外延片衬底材料是半导体照明产业技术发展的基石。 不同的衬底材料，需要不同的LED外延片生长技术、芯片加工技术和器件封装技术，衬底材料决定了半导体照明技术的发展路线。 采用自主研发获得国家发明专利（专利号：200410008593.2）的蓝宝石晶体生长方法，并通过自主研发和生产用于蓝宝石晶体生长的关键设备，实现了蓝宝石晶体单晶（坩埚下降法）的规模化生产，打破了美国、俄罗斯 蓝宝石衬底片对蓝宝石晶体毛坯按特定要求加工制作的基片，可以用金属氧化物化学气相沉积（MOCVD）等技术在基片上外延生长一层单晶薄膜，进一步制作各种元器件。
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CASAcme 中科艾科米中科艾科米（北京）科技有限公司 坐落于北京怀柔科学城，公司致力于纳米材料表征、纳米材料制备技术的研发；核心团队在相关领域的科学研究及科研仪器设备的研制方面具有十多年的技术积累和扎实的基础，掌握目标仪器装备的多项核心技术 主要产品包括超高真空变温扫描探针显微镜系统（UHV-VT-SPM SYSTEM）、原子层沉积系统（ALD SYSTEM）、光学兼容超高真空低温扫描探针显微镜-分子束外延联合系统（UHV-LT-SPM-MBE SYSTEM）、分子束外延系统（MBE SYSTEM）、超高真空无液氦低温扫描探针显微镜系统（UHV-DRY-LT-SPM SYSTEM）等成套系统以及K-cell蒸发源（Effusion Cell） 主要产品系统：闭循环无液氦扫描探针显微镜系统；光耦合qPlus型扫描探针显微镜系统；分子束外延系统；超高真空VT-SPM系统；低温扫描探针显微镜-分子束外延联合系统；原子层沉积系统部件：电子束蒸发源；裂解源
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兆驰半导体新进Unimax设备经调试产出外延片成功点亮 Mini LED扩产提速2022-05-30
