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HC Semitek 华灿光电LED外延片LED外延片生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和SiC、Si)上，将气态物质有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。 目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。LED外延片衬底材料是半导体照明产业技术发展的基石。 不同的衬底材料，需要不同的LED外延片生长技术、芯片加工技术和器件封装技术，衬底材料决定了半导体照明技术的发展路线。 、日本、韩国等少数发达国家在蓝宝石晶体生长技术上的垄断。 蓝宝石衬底片对蓝宝石晶体毛坯按特定要求加工制作的基片，可以用金属氧化物化学气相沉积（MOCVD）等技术在基片上外延生长一层单晶薄膜，进一步制作各种元器件。
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EPIHOUSE 全磊光电全磊光电拥有零缺陷外延生长工艺和百纳米级光栅平台，激光器外延片已量产多年，产品良率高、可靠性好。全磊光电还拥有含Al材料侧向掩埋工艺和耦合异质对接生长工艺，可满足不同应用产品的制造需求。 应用3D人脸识别、5G基站、工业机器人、光纤到户、数据中心、无人机、无人驾驶激光雷达数据中心外延片InP基外延片全磊光电数据中心外延片主要基于InP衬底和GaAs衬底外延生长。 GaAs基外延片全磊光电数据中心外延片主要基于InP衬底和GaAs衬底外延生长。 VCSEL激光器的反射镜是由外延生长的数百层两种折射率不同的材料交替堆叠而成，称为布拉格反射器（DBR），谐振腔位于外延层中间，光从外延片的表面出射，因此，VCSEL具有光斑圆、发射角小、阈值低、可阵列集成的特点 客户定制外延片全磊光电根据客户需求与产业发展趋势，围绕器件设计、外延生长、工艺制造、可靠性等各环节进行技术研发，积累了丰富的外延底层技术，产品性能指标和产业化水平处于国际先进水平，在满足客户对产品复杂性和紧迫性需求的同时
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上海工研院上海工研院硅光工艺平台具备90nm高精度光刻、晶体外延、介质薄膜生长、干法及湿法刻蚀、掺杂、金属互连和在线工艺检测等成套关键工艺能力，并针对不同应用场景，实现了220nm薄硅SOI、1.5~3μm厚硅SOI
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ESWIN 奕斯伟材料奕斯伟材料在硅片技术、制造工艺等领域掌握数百项核心技术专利，拥有成熟量产能力，具备无缺陷晶体生长、高品质外延生长、硅片加工等自主关键技术，采用领先工艺及量测设备，对生产全过程进行高标准品质管控（已通过ISO 晶体生长奕斯伟材料组建了模拟、设计和工艺开发的晶体生长研发团队。一方面，优化特性参数的径向/轴向均匀性，完善小尺寸缺陷的评价技术，提升无缺陷晶体的品质。 外延技术奕斯伟材料分析研究影响外延膜品质的核心部件，通过对核心部件的自主设计与去金属化优化，结合对外延炉气流调控方式的改善，不断提升外延片的几何形貌、金属水平和表面颗粒。 工艺技术拉晶拉晶工序是指通过12英寸晶体生长，将高纯多晶硅原料通过直拉法，外加磁场抑制熔体对流并控制杂质，生长出缺陷可控、杂质含量低、电阻率均匀分布的高品质12英寸单晶硅棒。 外延片外延片是在抛光片基础上，通过化学气相沉积方法在硅片表面生长一层外延硅单晶薄膜的硅片产品。外延片能实现不同于抛光片的优良近表面特性，满足不同客户对硅片的定制化需求。
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Everbright 长光华芯核心技术外延生长技术 Epitaxial growth外延生长是指在一定结晶取向的原有晶体（一般称为衬底）上延伸出并按一定晶体学方向生长单晶层的方法，这个单晶层被称为外延层。 外延生长可以精确控制外延层的组分、厚度、界面、掺杂及均匀性，是半导体激光器制作的首步工序。 外延生长的材料结构及质量直接决定了半导体激光器芯片的波长、功率、寿命及可靠性，是半导体激光器制作的核心技术之一。 FAB晶圆工艺 FAB Wafer processFAB晶圆工艺加工是将半导体激光器或其他光电器件外延片加工成激光器芯片的关键加工过程。 再利用介质膜和金属膜生长等工艺完成半导体激光器等光电器件电流注入电极的制备，完成半导体激光器芯片等光电芯片的制备。
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Berxel 博升光电博升光电芯片设计及研发人员均具有博士后、博士、硕士学历，核心团队在芯片材料、外延生长、芯片工艺、芯片测试，以及3D光学系统等核心领域拥有超过20年以上的工作经验。 从外延生长，到先进芯片工艺制程、以及芯片测试、封装全平台服务。光学系统中心负责3D 传感系统研发，为机器人及AIoT场景提供解决方案。
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SMEI 赛微电子公司目前的主要产品及业务包括MEMS芯片的工艺开发及晶圆制造、GaN外延材料生长与器件设计，下游应用领域包括通信、生物医疗、工业科学、消费电子等。 已运营MEMS产线：瑞典FAB1&2-MEMS芯片-8英寸晶圆-产能7,000片/月；北京FAB3-MEMS芯片-8英寸晶圆-设计总产能3万片/月(已实现5,000片/月)；青岛GaN产线-GaN外延晶圆
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知芯外延陕西知芯外延半导体有限公司 2022年在秦创原平台支持下成立，基于西安电子科技大学微电子学院的研发团队，企业研究的硅基四族外延晶圆打破了国外的设备、技术封锁，解决了我国的“卡脖子”技术，带动了我国高端光电探测器 陕西知芯外延半导体有限公司，主要研究具有硅基四族外延晶圆，在不同掺杂、厚度、纳米结构等参数下的成熟生长工艺，同时团队还研发出了基于硅锗外延晶圆的红外探测器芯片。 目前企业生产的外延晶圆以硅基四族材料为主，包括硅基锗、硅基硅锗，硅基锗锡等，可应用于红外探测器、激光雷达、光通讯、三四族材料硅基衬底等各个领域。 基于硅锗外延片的硅锗短波红外探测器，作为一种全新的短波探测器技术路径，其高集成度、低成本的优势，将能够成为代替传统材料实现短波红外大规模、各领域应用。 在世界各国争相发展短波红外探测技术的当下，陕西知芯外延半导体为我国的技术突破持续发力。公司已入选陕西省光电子产业重点项目，并与多所研究院、军工单位达成合作。
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中科半导体微纳制造技术研究院研究院面向重大科研任务实施及区域产业发展需求，建设针对大尺寸材料外延、光电子器件、功率器件、射频器件、传感器件、生物芯片等领域的8吋硅基MEMS和化合物半导体芯片加工中试平台，开展GaN外延材料生长、芯片加工
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华兴激光江苏华兴激光科技有限公司 成立于2016年2月，是一家专注于化合物半导体光电子外延片研发和制造的高新技术企业，主要基于先进半导体技术制备以磷化铟（InP）、砷化镓（GaAs）为基底的不同结构和功能的光电子外延片 公司拥有多条砷化镓、磷化铟外延片生产线，包括材料外延生长、微纳结构加工和分析检测等环节。公司技术团队通过长期自主研发和迭代，掌握化合物半导体光电子芯片材料核心技术，已累计获得授权专利50余项。
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南京大学、东南大学团队突破双层二维半导体外延生长核心技术，成果登上《自然》正刊！2022-05-10
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派恩杰半导体：跨越“抗高压和高可靠”两座大山，GaN方能大规模“上车”2022-04-26
