公司致力于在新能源汽车、算力、储能、风电、工业驱动等领域，提供高可靠、高性能的分立器件、模块和板级方案，产品包括600v ~ 2000v电压平台的第三代半导体碳化硅 SiC MOSFET 和模块,、硅基超结 ；极低的开关损耗；开关速度快，芯片面积小，开关噪声小；产品随着温度上升，Rds(on)幅度变化不大；抗雪崩能力强，可以承受更大的浪涌电流；高品质衬底，高质量的栅氧生长技术品质保证为确保我们的产品品质可靠性 损耗能量；极低的开关损耗；开关速度快，芯片面积小，开关噪声小；产品随着温度上升，Rds(on)幅度变化不大；抗雪崩能力强，可以承受更大的浪涌电流；高品质衬底，高质量的栅氧生长技术萃锦半导体SiC Diode 我司 SiC Diode 反向恢复性能优，正向导通压降值低，损耗小。在结温175℃时，我司器件阈值电压、导通电阻、开关损耗等参数稳定性好，导通损耗低，适合感应加热的高温应用特点。 LED萃锦开发的HV Planer MOSFET，主要适用于LED照明、电池充电器等功率较小的场合，萃 锦S J M O S F E T可 为 反 激 类 拓 扑 提 供6 0 0 V ~ 9 0 0