高功率直流充电桩设计会使用交流-直流和直流-直流转换器将输入的三相交流电转换为电动汽车所需的直流电压250V-750V，构建15 kW 至 30 kW子功率模块。 我司利用沟槽栅场截止型IGBT技术（Trench Field Stop）理论，通过采用高密度器件结构设计以及先进的超薄芯片加工工艺，通过优化载流子注入效率和载流子分布，显著降低器件饱和压降和关断损耗，从而降低器件功耗 我司利用沟槽栅场截止型IGBT技术（Trench Field Stop）理论，通过采用高密度器件结构设计以及先进的超薄芯片加工工艺，通过优化载流子注入效率和载流子分布，显著降低器件饱和压降和关断损耗，从而降低器件功耗 为了追求输出的灯光更加稳定，在使用稳定的电压源基础上增加了去频闪电路，利用MOSFET的输出特性进一步地过滤电流实现了无频闪的光源。 由于采用自主创新独特技术，优化了开关特性，使器件在系统中有更好的EMI表现。

单向可控硅芯片在交直流电路中用于保护、锁存及功率控制等。应用于低压开关电器、工业控制、电力电子、家电、照明、摩托车等领域。双向可控硅芯片在交直流电路中用于保护、锁存及功率控制等。 具有特征频率高、饱和压降低、反向漏电小、功耗低等特点。高速开关二极管芯片主要应用于计算机、通讯、家电、娱乐影音等各种开关电路中。具有正向压降低、开关速度快、可靠性高等特点。 具有开损耗低、可靠性高、温特性好、反向漏电等特点。达林顿晶体管芯片主要应用于信号功率放大、驱动电路等。具有h大、高温特性好、反向漏电小等特点。集成电路芯片应用于家电、计算机、通信、电子仪器设备等领域。 具有饱和压降低、反向漏电小、功率耐量大等特点。