国家存储器基地项目二期在武汉开工
日前，国家存储器基地项目二期在武汉东湖高新区开工。湖北省委书记、省人大常委会主任应勇宣布项目开工。省委副书记、省长王晓东致辞。
日前，国家存储器基地项目二期在武汉东湖高新区开工。湖北省委书记、省人大常委会主任应勇宣布项目开工。省委副书记、省长王晓东致辞。
国家存储器基地项目由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设，计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂。项目一期于2016年底开工建设，进展顺利，32层、64层存储芯片产品已实现稳定量产，并成功研制出全球首款128层三维闪存芯片。
王晓东代表省委、省政府对项目开工表示祝贺，对长期以来关心支持湖北发展的国家部委和社会各界表示衷心感谢。他说，
国家存储器基地项目二期开工，是落实中央支持湖北一揽子政策的具体行动，也是强化湖北疫后重振重大项目支撑的有力举措，必将加快形成湖北创新发展的“产业航母”，为拓展壮大“光芯屏端网”产业链注入强劲动力。
湖北虽然遭受疫情前所未有的冲击，但经济长期向好的基本面没有改变，多年积累的综合优势没有改变，在国家和区域发展中的重要地位没有改变。项目此时开工，彰显了投资方的远见卓识和对湖北发展的坚定信心。
湖北、武汉各级各部门将全力以赴为项目创造最好条件、提供最好服务，有呼必应、无事不扰，在项目推进、要素保障、配套服务等方面当好贴心“店小二”，把项目打造成湖北高质量发展的样板工程、标杆工程，展现湖北一流的营商环境，汇聚更强的发展预期和信心。
紫光集团、长江存储董事长赵伟国介绍了项目有关情况。他说，国家存储器基地项目一期开工建设以来，从一片荒芜之地变成了一座世界领先的存储器芯片工厂，实现了技术水平从跟跑到并跑的跨越。雄关漫道真如铁，而今迈步从头越。我们要增强责任感、紧迫感，知难而进、迎难而上，为集成电路产业发展、为湖北经济社会高质量发展作出新的更大贡献。
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