涉及IGBT、功率IC等，名冠微电子200亿元项目主厂房建设启动

7月10日，江西赣州经开区举行名冠微电子项目主厂房建设启动仪式。

　　据赣州经开区微新闻报道，名冠微电子（赣州）有限公司由赣州经开区和名芯有限公司、电子科技大学广东电子信息工程研究院合资设立，投资200亿元，致力于成为一家开发、生产、销售世界先进水平功率半导体产品的高科技企业。

　　据此前公开消息显示，该项目一期总投资60亿元，建设一条8英寸0.09-0.11微米功率晶圆生产线。一期建成后，将实现年产100万片功率半导体晶圆；项目二期规划建设第三代6/8英寸晶圆制造生产线或12英寸硅基晶圆制造生产线，投资约140亿元，项目整体达产达标后年产值过百亿元。

　　此外，项目涉及产品类型包括IGBT、功率MOS、功率IC、电源管理芯片等，覆盖全球功率器件领域全部类别中80%品种。据赣州经开区微新闻此前报道，项目建成后，将填补江西省半导体晶圆生产线空白，也是赣州市首个总投资超200亿元的电子信息产业项目。

　　2019年11月30日，名冠微电子（赣州）有限公司功率芯片项目正式签约。

　　2020年3月10日，赣州经开区名冠微电子功率芯片生产项目（一期）正式开工。

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