三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM开发成功

新款DRAM同时拥有卓越的速度与更高的能效。

　　三星电子宣布，已成功开发出其首款采用12纳米（nm）级工艺技术打造的16 Gb DDR5 DRAM，并与AMD一起完成了兼容性方面的产品评估。

　　三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术负责人Jooyoung Lee表示："三星12nm级DRAM将成为推动整个市场广泛采用DDR5 DRAM的关键因素。凭借卓越的性能和能效，我们希望新款DRAM能够成为下一代计算、数据中心和AI驱动系统等领域更可持续运营的基础。"

三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM

　　AMD高级副总裁、企业院士兼客户、计算、图形首席技术官Joe Macri表示："创新往往少不了与行业伙伴的密切合作，来拓宽技术的边界。我们很高兴能与三星电子再度合作，特别是推出在Zen平台上优化和验证的DDR5内存产品。"

　　这一技术突破是通过使用一种新的高介电（high-k）材料来增加电池电容，以及改进关键电路特性的专利设计技术而实现的。结合先进的多层极紫外（EUV）光刻技术，新款DRAM拥有三星最高的DDR5 Die密度（Die density），可使晶圆生产率提高20%。

　　基于DDR5最新标准，三星12nm级DRAM将解锁高达7.2千兆每秒（Gbps）的速度，这意味着一秒钟内处理两部30GB的超高清（UHD）电影。

　　新款DRAM同时拥有卓越的速度与更高的能效。与上一代三星DRAM产品相比，12nm级DRAM的功耗降低约23%，对于更多追求环保经营的全球IT企业来说，这将会是值得考虑的优选解决方案。

　　随着2023年新款DRAM量产，三星计划将这一基于先进12nm级工艺技术的DRAM产品扩展到更广泛的市场领域，同时继续与行业伙伴合作，推动下一代计算的快速发展。

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