英特尔全新混合结合封装：凸点密度猛增25倍
在Intel的六大技术支柱中，封装技术和制程工艺并列，是基础中的基础，这两年Intel也不断展示自己的各种先进封装技术，包括Foveros、Co-EMIB、ODI、MDIO等等。
在Intel的六大技术支柱中，封装技术和制程工艺并列，是基础中的基础，这两年Intel也不断展示自己的各种先进封装技术，包括Foveros、Co-EMIB、ODI、MDIO等等。
Intel又宣布了全新的“混合结合”(Hybrid Bonding)，可取代当今大多数封装技术中使用的“热压结合”(thermocompression bonding)。
据介绍，混合结合技术能够加速实现10微米及以下的凸点间距(Pitch)，提供更高的互连密度、更小更简单的电路、更大的带宽、更低的电容、更低的功耗(每比特不到0.05皮焦耳)。
Intel目前的3D Foveros立体封装技术，可以实现50微米左右的凸点间距，每平方毫米集成大约400个凸点，而应用新的混合结合技术，不但凸点间距能缩小到1/5，每平方毫米的凸点数量也能超过1万，增加足足25倍。
采用混合结合封装技术的测试芯片已在2020年第二季度流片，但是Intel没有披露未来会在什么产品上商用。
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