片内传感器结构移至6nm

传感发烧友 20200821

  • 温度传感器
  • 5G基础设施
Moortec已将其片内传感器结构移植到台积电的6nm工艺缩减中。

　　由Moortec（英国普利茅斯，英国）开发的片内传感器结构可用于台积电（TSMC）的N6工艺上，用于目前的高端移动，消费类应用，人工智能，网络，5G基础设施， GPU和高性能计算等应用中。

　　传感器结构可在生产测试和实时动态条件测量期间监控关键的芯片参数。芯片内感测是在当今先进的处理技术中实现最高水平的性能和可靠性的基本要素，它是优化方案，遥测和半导体生命周期分析的基础。此外，目前热传感器已经针对5nm N5工艺开发。

　　N6工艺是7nm N7工艺的一种变体，具有相同的设计规则，但尺寸减小了18％，从而可以重复使用7nm设计。

　　台积电业务发展副总裁张凯博士表示：“ TSMC N6技术将进一步扩大我们在提供产品性能，成本和成本优势方面超越当前N7的领先地位。” “基于我们7nm技术的广泛成功，我们有信心，我们的客户将能够利用当今完善的设计生态系统，从新产品中快速提取更高的产品价值。”

　　“我们很高兴与Moortec合作，为台积电（TSMC）的N6工艺提供传感解决方案，以解决领先的移动和高性能计算应用的计算能力不断提高的设计挑战。”台积电设计基础设施管理部高级总监Suk Lee说。

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