Vishay推出新款200V N沟道MOSFET的RDS(ON)导通电阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型 200V n 沟道 MOSFET---SiSS94DN，器件采用热增强型 3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S 封装，10 V 条件下典型导通电阻达到业内最低的 61 mΩ。
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型 200V n 沟道 MOSFET---SiSS94DN，器件采用热增强型 3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S 封装，10 V 条件下典型导通电阻达到业内最低的 61 mΩ。同时，经过改进的导通电阻与栅极电荷乘积，即 MOSFET 开关应用重要优值系数（FOM）为 854 mΩ*nC。节省空间的 Vishay Siliconix SiSS94DN 专门用来提高功率密度，占位面积比采用 6mm x 5mm 封装相似导通电阻的器件减小 65 %。
日前发布的 TrenchFET® 第四代功率 MOSFET 典型导通电阻比市场上排名第二的产品低 20 %，FOM 比上一代解决方案低 17 %。这些指标降低了导通和开关损耗，从而节省能源。外形紧凑的灵活器件便于设计师取代相同导通损耗，但体积大的 MOSFET，节省 PCB 空间，或尺寸相似但导通损耗高的 MOSFET。
SiSS94DN 适用于隔离式 DC/DC 拓扑结构原边开关和同步整流，包括通信设备、计算机外设、消费电子； 笔记本电脑、LED 电视、车辆船舶 LED 背光；以及 GPS、工厂自动化和工业应用电机驱动控制、负载切换和功率转换。
器件经过 100 % RG 和 UIS 测试，符合 RoHS 标准，无卤素。
SiSS94DN 现可提供样品并已实现量产，供货周期为 12 周。
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