台积电：明年N28及以下技术海外产能将比2020年增加3倍
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集微网消息，台积电在2023年北美技术论坛上公布了其未来的扩产计划。
据semiwiki报道，为了满足客户不断增长的需求，台积电加快了晶圆厂的扩产速度：
1.从2017年到2019年，台积电平均每年建设两期晶圆厂；
2.从2020年到2023年，晶圆厂建设的平均值将大幅增长到5左右；
3.在过去的两年里，台积电共启动了10期晶圆厂的建设，其中包括中国台湾的5期晶圆厂，中国台湾的2期先进封装厂，以及海外的3期晶圆厂；
3.到2024年，N28及以下技术的海外产能将比2020年增加3倍；
4.在中国台湾，台南Fab 18的第5、6和8期是台积电N3的量产基地。此外，台积电正在准备新的晶圆厂，新竹的Fab 20和台中的一个新工厂，用于N2生产；
5.在美国，台积电正计划在亚利桑那州建设两座晶圆厂，第一座N4晶圆厂已经开始设备搬入并将于2024年量产；第二座晶圆厂正在建设中，计划生产N3制程；这两座晶圆厂的总产能将达到60万片/年；
6.在日本熊本，台积电正在建设一家晶圆厂，为N16/12和N28系列技术提供代工服务，以满足全球市场对特种技术的强劲需求。该晶圆厂的建设已经开始，并将于2024年量产。
7.在中国大陆，N28技术的新产能于2022年开始量产。
此外，台积电揭示了最新技术发展情况，包括N2制程技术进展、新N3制程技术、3DFabric先进封装及硅晶堆叠的系统整合技术等。台积电宣布N3E、N3AE制程预计于今年量产；强化版N3P制程预计2024年下半年量产；N2制程在良率和元件效能进展良好，将如期于2025年量产；N3X制程预计于2025年进入量产。
据了解，支持更佳功耗、性能与密度的强化版N3P，相较于N3E制程，在相同功耗下速度增快5%；在相同速度下功耗降低5%至10%，芯片密度增加4%。N3X制程着重于性能与最大时脉频率，相较于N3P制程，在驱动电压1.2伏特下，速度增快5%，并拥有相同的芯片密度提升幅度。
（校对/王云朗）
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