长飞光纤子公司拟投资60亿元建第三代半导体功率器件生产项目
长飞光纤6月26日晚间公告，子公司安徽长飞先进半导体有限公司拟投资人民币60亿元建设第三代半导体功率器件生产项目。
本次对外投资拟在湖北省武汉市东湖新技术开发区建设第三代半导体功率器件生产项目。
项目地点位于湖北省武汉市东湖新技术开发区，总投资额约为人民币 60 亿元，其中包括约人民币 36 亿元的股权融资及约人民币 24 亿元的银行贷款。该项目建设内容包括第三代半导体外延、晶圆制造、封测等产线，建设完毕后将形成年产 36 万片 6 英寸碳化硅晶圆及外延、年产 6100 万个功率器件模块的能力，达产后预计年产值约人民币 53 亿元。该项目同时将建设第三代半导体科技创新中心，用于跟进第三代半导 体国际前沿技术并开发第三代半导体器件先进工艺。
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