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SemiQ是一家总部位于美国的碳化硅 (SiC) 功率半导体器件和材料开发商和制造商，包括：SiC 功率 MPS 二极管（650V、1200V、1700V）碳化硅模块碳化硅功率MOSFETSiC 定制模块碳化硅裸片 SiC 定制 N 型外延晶圆SemiQ 是一家私营企业，部分员工持股。 SemiQ（以前称为 Global Power Technologies Group）于 2012 年开始在其位于南加州的总部开发碳化硅技术，该公司还在那里种植 Epi 并设计设备。 为了降低客户的风险，SemiQ 正在构建一个具有多个来源的完全冗余供应链，用于：碳化硅衬底组装和测试工厂SiC外延晶圆仓库碳化硅晶圆制造
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BASiC 基本半导体深圳基本半导体有限公司 是中国第三代半导体创新企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司总部位于深圳，在北京、上海、无锡、香港以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。 基本半导体掌握碳化硅核心技术，研发覆盖碳化硅功率半导体的材料制备、芯片设计、晶圆制造、封装测试、驱动应用等产业链关键环节，拥有知识产权两百余项，核心产品包括碳化硅二极管和MOSFET芯片、汽车级碳化硅功率模块 深圳市的数十项研发及产业化项目，与深圳清华大学研究院共建第三代半导体材料与器件研发中心，是国家5G中高频器件创新中心股东单位之一，获批中国科协产学研融合技术创新服务体系第三代半导体协同创新中心、广东省第三代半导体碳化硅功率器件工程技术研究中心 核心产品碳化硅肖特基二极管碳化硅MOSFET裸片和晶圆服务门极驱动芯片混合碳化硅分立器件汽车级全碳化硅功率模块工业级全碳化硅功率模块产品应用车用电子 , 工业电子
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Global Power 泰科天润泰科天润半导体科技（北京）有限公司 (Global Power Technology)是中国碳化硅（SiC）功率器件产业化的倡导者之一。 泰科天润在北京拥有一座完整的半导体工艺晶圆厂，可在4/6英寸SiC晶圆上实现半导体功率器件的制造工艺。 作为国内碳化硅研发生产和平台服务型公司，泰科天润的产品线涉及基础核心技术产品、碳化硅成型产品以及多套行业解决方案。 目前泰科天润的碳化硅器件650V/2A-100A，1200V/2A-50A，1700V/5A -50A，3300V/0.6A-50A等系列的产品已经投入批量生产，产品质量完全可以比肩国际同行业的先进水平 我们是谁中国碳化硅功率器件产业化的倡导者之一我们做什么碳化硅功率器件，包含各种封装形式的碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET和碳化硅模块我们如何做拥有完整的碳化硅加工产线和经验丰富的技术团队
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DACO 罡境电子台湾罡境电子股份有限公司，成立于1994年，是台湾半导体行业中先驱且创新的芯片和模块装配制造商，专注于设计、制造优质的半导体产品，涵盖IGBT、SiC（碳化硅）二极管、SiC（碳化硅）金属氧化物半导体场效晶体管 罡境电子的创办人来自台湾国家科学委员会的半导体研究中心，具有制造金属闸极集成电路、聚合物闸极集成电路、功率金属氧化物半导体以及Sipos GPP晶圆的丰富经验。 由于我们在晶圆和封装组装方面的丰富背景，罡境电子在新产品设计方面拥有高水平的技术知识。 （SiC） 产品开发2013 可控硅整流器 （SCR） 产品开发2014 推出碳化硅 （SiC） 二极管模块2015 推出功率 MOSFET 模块2016 推出碳化硅 （SiC） 功率 MOSFET2017 推出 IGBT 模块2018 新加坡销售代表处设立2020 推出碳化硅 （SiC） 桥式整流器2023 碳化硅 （SiC） MOSFET 分立器件主要产品IGBT；Silicon Carbide；MOSFET
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HMT 恒迈瑞材料公司致力于Wide Bandgap宽禁带半导体晶体材料及晶圆材料，Silicon Substrate 半导体封装材料，Slicing Wafer /IC (Au Bumping Ready)封测Turnkey 苏州恒迈瑞主要产品及定制服务包括：COF封装驱动芯片(Driver IC) 的选型及应用；COF IC柔性封装基板(COF Film) 的设计、开模定制、封测；化合物半导体材料：4H-N型/4H-SI型SiC Ingots晶棒 ，SiC晶圆切割片，SiC双抛衬底片，碳化硅同质外延片；氮化镓GaN衬底片Free-Standing Substrate/ Gan-On-SAP Template, 各类GaN Epitaxy Wafer
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NOYUSEM 蓉矽半导体成立于2019年，是致力于第三代宽禁带半导体碳化硅（SiC）功率器件设计与开发的高新技术企业。 蓉矽拥有一支掌握碳化硅核心技术的国际化团队，整合台湾与欧洲先进碳化硅制造工艺平台，结合大陆封测和应用解决方案，建立了材料、外延、晶圆制造与封装测试均符合IATF 16949质量管理标准的完整供应链，独立自主开发世界一流水平的车规级碳化硅器件 产品涵盖碳化硅EJBS™ (Enhanced Junction Barrier Schottky)二极管与碳化硅MOSFET；硅基产品有175˚C高结温的理想二极管MCR®（MOS-Controlled 在全国范围内率先投资引入国际先进WLTBI (Wafer-Level Test & Burn-in) 测试系统，确保碳化硅晶圆出厂质量与可靠性达到行业最高标准。 技术优势蓉矽拥有全供应链IATF 16949认证以确保产能，前段具备台湾晶圆制造与工程管理能力，后段掌握大陆封测、应用方案，并有全球多平台与合作伙伴提供产能与技术支持，市场需求广阔。
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Cor Energy 能华微电子能华半导体采用IDM全产业链模式，致力于硅基GaN（GaN-on-Si),蓝宝石基GaN（GaN-on-Sapphire), 碳化硅基GaN（GaN-on-SiC) 晶圆与器件的研发、设计、制造与销售 能华的6英寸/8英寸GaN晶圆和功率器件涵盖40V-1200V。 荣誉资质主要产品外延产品 8寸硅基外延片、6寸硅基外延片、碳化硅基外延片、蓝宝石基外延片功率器件 DFN5*6、DFN8*8、TO220、TO220F、TO252代加工平台光刻、刻蚀、TSV、PECVD
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YASC 长飞先进安徽长飞先进半导体股份有限公司 是一家专注于碳化硅（SiC）功率半导体产品研发及制造的企业，具备从外延生长、器件与模块设计、晶圆制造到模块封测的全产业链能力。 产品与服务拥有国内一流的6英寸产线设备和先进的配套系统自研产品以碳化硅为代表的第三代半导体材料，具有电子饱和速率高、禁带宽度大、击穿场强高、热导率高等特点。 与第一代硅器件相比，碳化硅器件具有开关损耗小、工作结温高、导热能力强等优势。 因此，采用碳化硅器件的电力电子变换器，可以显著提高工作开关频率，减小储能、滤波器和散热器的体积，实现更高的系统效率和功率密度。 长飞先进拥有完备的碳化硅系列产品，包括分立式SiC肖特基二极管（SBD）、分立式SiC MOSFET、SiC 功率模块、SiC MOSFET裸芯片、SiC 肖特基二极管裸芯片，能涵盖电动汽车，工业电源、
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SMC Diode Solutions /桑德斯2000年建成晶圆生产线，并不断扩建改造，形成4英寸和6英寸片的关键工艺生产线。 产品分类硅分立器件碳化硅产品硅圆片和晶粒
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WeEn Semiconductors 瑞能半导体作为全球功率半导体行业的佼佼者，瑞能始终专注于研发行业领先、广泛且深入的功率半导体产品组合，公司主要产品主要包括碳化硅器件，可控硅整流器和晶闸管，快恢二极管，TVS,ESD，IGBT,模块等。 主要产品碳化硅二极管二极管可控硅开关汽车级产品双极性晶体管晶圆模块产品瞬态抑制二极管绝缘栅双极型晶体管静电保护二极管
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