总投资超200亿元，长飞先进武汉基地主体结构封顶
据长飞先进和中国光谷官方微信报道，6月18日，年产36万块碳化硅晶圆的长飞先进武汉基地主体结构正式封顶。下一步将进入塔楼内部装修和裙楼主体结构施工阶段，预计明年7月量产线。
据报道，长飞先进武汉基地专注于第三代半导体功率设备的研发和生产，致力于建设集芯片设计、制造和先进技术研发为一体的现代半导体制造基地。总投资预计超过200亿元，占地面积约22.94万平方米，建筑面积约30.15万平方米。主要建设内容包括晶圆厂、封装厂、外延厂、动力厂、成品仓库、综合办公楼、员工宿舍、配套房屋设施等。
项目投产后，每年可生产36万碳化硅晶圆和延伸，6100万功率设备模块，广泛应用于新能源汽车、光伏、储能、充电桩等领域，也将吸引和促进更多的化合物半导体产业链上下游企业聚集、沟通与合作，加快碳化硅产业生态建设。长飞先进发展战略是武汉基地的重要组成部分。该项目的顺利封顶标志着芜湖基地、上海技术中心和武汉基地布局的初步形成。
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